NSCore社の不揮発性メモリIP、PermSRAM(R)の出荷数量で累積5,500万個を達成、信頼のおけるOTPを月産500万個の規模で市場に供給中

    企業動向
    2010年8月6日 11:30
    株式会社NSCore(所在地:福岡県福岡市、代表取締役社長兼CEO:堀内 忠彦)は、不揮発性メモリIPであるPermSRAM(R)のライセンス先での出荷数量が累計で5,500万個を超えたことを発表いたします。 0.18um、0.13um世代の標準CMOSプロセスでの製造が現在主力となっており、ライセンス先では現在月産500万個規模で量産を行っています。 メモリ容量は1Kbit~32kbitの製品が大半を占めており、アプリケーション別では、民生フラットパネルディスプレイ用LSIがもっとも多くの割合を占めています。 今後はアナログ製品のトリミング用途として256bit程度の小容量メモリがeFuse / Laser Fuse技術の代替として使われるケースが多くなる見通しです。 Fuse技術ではパッケージ後のトリミングが困難ですが、PermSRAM(R)はこれを可能としました。正確なトリミングの要求される電源ICでの需要が拡大する見通しです。 2011年第1四半期には65nm世代の製品の量産が開始される計画になっており、先端の世代にも製品供給を拡大する予定です。 ■PermSRAM(R)とは PermSRAM(R)とは、標準CMOSプロセスで製造可能なOne Time Programmable不揮発性メモリIPです。IPはライセンス、設計上のデータベース、テスト回路、信頼性データ、設計サポートなどの完全なパッケージとして提供されます。 追加のマスクを一切必要とせず、同一シリコン上でアナログトリミング、マイコンプログラム格納、セキュリティ暗号キー格納、チップID、ルックアップテーブル搭載などの機能を実現します。これにより、LSI設計者は大幅に設計上の自由度を得ることができ、システム性能の向上やコスト削減を容易に実現することが可能になります。 メモリ容量は128bitから1Mbitを超えるものも設計可能で、高速アクセスもオプションで可能となります。 現在、NSCoreでは設計ルール0.18um、0.13um、90nm、65nmのIPを提供しています。 <株式会社NSCoreについて> NSCore(エヌエスコア)は2004年9月に日本初のメモリIPベンチャーカンパニーとして創立されました。不揮発メモリ技術をコアコンピタンスとして、半導体集積回路における革新的な設計IPの提供をIDM、ファブレス設計会社をはじめ、多くのお客様向けに提供しています。 社名   : 株式会社NSCore 設立   : 2004年9月13日 本社所在地: 福岡県福岡市早良区百道浜3-8-33        福岡システムLSI総合開発センター611号 代表者  : 代表取締役社長兼CEO 堀内 忠彦 主要製品 : PermSRAM(R) URL    : http://www.nscore.com/ <商標について> 「PermSRAM(R)」は株式会社NSCoreの登録商標です。
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