NSCoreのOne-Time Programmable(OTP)メモリ　 TSMC 65nmおよび0.18umプロセスでの認証を完了

株式会社NSCore(本社：福岡県福岡市、代表取締役社長兼CEO：堀内 忠彦、以下 NSCore)は、本日、主力IP製品である1回書き込み(OTP)型-高密度エンベデッド不揮発メモリ(NVM)PermSRAM(R)がTSMCの65nm Low Power(LP)プロセス、65nm Generic(G)プロセスおよび0.18um Generic(G)プロセスで正式にTSMC9000として認証され、0.18umは既に量産を開始し、2011年12月からは複数の先行顧客で65nmでの量産も開始する予定であることを発表いたします。

■関係者のコメント
TSMC社のIPアライアンスプログラムマネージャであるRichard Lee氏は、「NSCoreはこの認証プロセスを通じ、同社のOTPメモリ技術をTSMCの65nmLPおよび0.18umGプロセスで顧客による実設計上での動作を証明した。」と述べました。

GainSpan社CTOのLew Adams氏は「NSCoreのPermSRAM(R)のTSMC9000認証は、我々に信頼性の確証を与え、この技術により我々の65nmLP製品は非常に有効な面積効率を得て製品コストを下げることに貢献してくれた。」と述べています。

NSCore代表取締役社長兼CEOの堀内 忠彦は「我々はNSCoreのOTPメモリPermSRAM(R)がTSMC9000認証を得たことを非常に喜んでおります。PermSRAM(R)は小さなマクロサイズと非常に信頼性の高いテスタビリティにより、より低コストとより良い歩留まりを実現させます。TSMC9000認証により、我々のOTPソリューションを自信を持ってお客様にご提供いたします。」と述べています。


■製品の特長
「PermSRAM(R)」の特長は次の通りです。
(1)マスク追加、プロセス変更する事無く、標準CMOSロジックプロセスに組込める
(2)最小のマクロ面積
(3)独自のテスト回路により、プログラム前でも全ビットテストが可能
(4)製品出荷後のフィールドでもプログラム可能
(5)高速のデータ読み出し
(6)低プログラム電圧
(7)幅広いプロセス世代に対応
(8)車載品質の高温データ保持
(9)光照射によるデータ破壊無し(LCDパネル等のガラス基板にも実装可能)


■「PermSRAM(R)」技術によるアプリケーション
PermSRAM(R)技術は、プログラマブルロジックコンフィグレーション、アナログトリミング、マイコンプログラム格納、セキュリティ暗号キー格納、リージョンコードの格納、チップIDの格納、ルックアップテーブルデータ搭載、ディップスイッチの削減、プログラマブルな配線経路のコンフィグレーションなど、あらゆるアプリケーション向けのソリューションをシステムLSI、ASICやASSP上で実現します。これにより、半導体メーカーやセットメーカーのIC設計者は設計上の大きな自由度を獲得し、システム性能の向上やコスト削減および在庫のリスク低減をも容易に達成できます。


■株式会社NSCoreについて
NSCore(エヌエスコア)は2004年9月に日本初のメモリIP・ベンチャーカンパニーとして創立されました。創立以来、不揮発メモリ技術をコアコンピタンスとして半導体集積回路における革新的な設計IPの提供をIDM、ファブレス設計会社をはじめ、多くのお客様向けに行なっています。NSCoreのIPは、ライセンス、設計上のデータベース、信頼性データ、設計サポート等の完全なパッケージとして提供されます。NSCoreは最先端の独自技術を背景にお客様ニーズに応え、最適なソリューションをリーズナブルな価格で提供するビジネスパートナーを目指しております。

社名　　　： 株式会社NSCore
設立　　　： 2004年9月13日
本社所在地： 福岡県福岡市早良区百道浜3-8-33
　　　　　　 福岡システムLSI総合開発センター611号
代表者　　： 代表取締役社長兼CEO　堀内 忠彦
主要製品　： PermSRAM(R)
URL　　　 ： http://www.nscore.com/


【商標について】
PermSRAM(R)は株式会社NSCoreの登録商標です。