ICフォトレジストの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「ICフォトレジストの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global IC Photoresist Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、ICフォトレジストの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のIC用フォトレジスト市場規模は、2025年の32億6600万米ドルから2032年には51億900万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）6.8％で成長すると見込まれています。
フォトレジストは、半導体製造に不可欠な化学物質です。感光性材料として知られるフォトレジストは、光によって化学反応を起こします。これは、半導体デバイスの製造に関わる技術であるフォトリソグラフィにおいて、重要な役割を果たす化学物質です。 半導体製造において、フォトリソグラフィ技術を用いた露光工程では、原版（フォトマスク）に描かれた設計図を縮小し、シリコンチップに転写します。省電力かつ高性能な半導体を実現するためには、転写される回路をさらに微細化する必要があります。
構造的には、2025年の構成比は依然としてDUVが主流です： ArFi（約26.1%）＋KrF（約25.5%）＋g/i-Line（約24.6%）＝総額の約76%。これは、最先端の製造フローにおいても、EUVが最も微細な層に使用される一方で、残りの多くの層は引き続きDUVでパターニングされ、両プラットフォームが長年にわたり並行して稼働するという現実を反映している。 DUV内においても、ArFiの比重は技術的な限界と一致しています。多くの「メインストリームから先進成熟」ノードにおいて、液浸ArFは依然として基礎的なリソグラフィ技術であり続けています。 一方、EUVフォトレジストは明らかな成長エンジンとなっています（2020年から2025年にかけて約8,000万ドルから約3億7,400万ドルへ増加、貴社のセグメントの中で最も高い成長率）が、2025年の総額の約11.2%に留まっています。つまり、EUVが成長を牽引している一方で、DUVが依然として層の量と幅を担っているのです。
今後数年間の見通しとしては、EUVが最も急速に成長し、ArFiは堅調さを維持し、KrFおよびg/i-Lineは横ばいから微増、ArFドライは緩やかに成長し、電子ビームは着実に成長するもののニッチな位置にとどまるという方向性です。これらはそれぞれ、実際の製造現場における異なる理由によるものです。 EUVレジストは市場全体を上回る成長を維持する見込みです。これは、スケーリングの継続に伴いEUV層数と露光強度が上昇していることに加え、エコシステムが現在ハイNA EUV時代に入っているためです（受入試験やハイNAプラットフォームの量産開始といった装置のマイルストーンが公表されています）。これによりレジストへの要求が厳格化され、EUV材料へのイノベーション投資がさらに促進されています（確率論的特性・粗さ・感度のトレードオフ、アウトガス制御など）。 ArFiレジストは、今後も「主力となるプレミアムDUV」カテゴリーであり続ける可能性が高い。EUVが拡大する分野であっても、ArFiは多くの非EUV層の露光を担い続け、28/22/16/14nmクラス以下の巨大な導入ベースを支えている。また、世界的に追加されている生産能力の多くは、依然としてArFiの性能に依存する範囲にある。 ArFドライは通常、成熟したロジックおよび特殊IC生産の幅広い分野に対応しているため、「ノードの微細化」よりも、ウェーハスタート数の拡大や製品構成（特殊IC、アナログ、PMIC、CISなど）に牽引された、1桁台前半から中盤の成長が見込まれる。 KrFは、多くの成熟ノードやArFが不要な特定の微細パターン層においてコストパフォーマンスの最適点に位置しているため、堅調を維持する見込みです。その主な成長要因は、成熟ノードの生産能力と自動車・産業分野の安定性であり、景気変動はウェハスタートの全体動向に連動します。 g/i-Lineは、厚膜レジストおよびバックエンド／パッケージング中心のリソグラフィにおいて「需要が堅調」であるため、最先端のフロントエンドが低迷している場合でも、先進パッケージングの微細化（RDL層の増加、バンプ形成／メッキプロセス、ウェーハ／パネルレベルパッケージング）が需要を下支えする傾向にある。サプライヤーは、g/i-Lineのポートフォリオを、厚膜バリエーションやパッケージング関連のパターニング用途（RDLを含む）を中心に明確に位置付けている。 電子ビーム用レジストは着実に成長する見込み（ただし規模は小さいまま）である。これは、先進的なマスク製造（特にEUVマスク）が電子ビームリソグラフィ用レジストの性能に大きく依存しており、設計ルールが厳格化するにつれてマスクの複雑さが増すためである。 マクロ的な観点では、2026年から2027年にかけてAI主導のロジックおよびメモリ需要によってウェハーファブの投資と生産能力の拡大が後押しされるとの予想が、すべてのカテゴリーにとって追い風となっている。これは通常、遅れてリソグラフィ材料の消費に波及する。
「ICフォトレジスト産業予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界のICフォトレジスト総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの予測売上高について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、ICフォトレジストの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のICフォトレジスト産業について、単位：百万米ドルで詳細な分析を行っています。
本インサイトレポートは、世界のICフォトレジスト市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、売上高、市場シェア、最新動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、ICフォトレジストのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析することで、加速する世界のICフォトレジスト市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、ICフォトレジストの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界のICフォトレジスト市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、ICフォトレジスト市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
EUVフォトレジスト
ArFiフォトレジスト
ArFドライフォトレジスト
KrFフォトレジスト
g/i-Line
その他

露光方式別セグメンテーション：
ポジ型フォトレジスト
ネガ型フォトレジスト

プロセスノード別セグメンテーション：
ハイエンド／アドバンスト <14nm
ミッドエンド 18/22/28-90nm
ローエンド >110nm
DRAMおよびNAND

用途別セグメンテーション：
IC製造
アドバンスト・パッケージング

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
東京応化工業株式会社 (TOK)
JSR
信越化学工業
デュポン
富士フイルム
住友化学
東進セミケム
メルクKGaA (AZ)
Allresist GmbH
Futurrex
KemLab™ Inc
YCCHEM Co., Ltd
SK Materials Performance (SKMP)
Everlight Chemical
Red Avenue
クリスタル・クリア・エレクトロニック・マテリアル
徐州B&C化学
アモイ恒坤新材料科技
江蘇愛森半導体材料
珠海コーナーストーン・テクノロジーズ
上海新陽半導体材料
深セン栄達感光科技
SINEVA
国科天基
江蘇ナタ光電子材料
PhiChem

本レポートで取り上げる主な課題
世界のICフォトレジスト市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、ICフォトレジスト市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術は何か？
ICフォトレジスト市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
ICフォトレジストは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、市場の紹介、調査対象期間、調査目的、市場調査方法論、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、および市場推定に関する留意事項など、本レポートの範囲に関する基礎情報が記載されています。

第2章には、グローバルICフォトレジスト市場の概要がまとめられています。2021年から2032年までの世界市場の年間売上高、2021年、2025年、2032年における地域別および国/地域別の現状と将来分析が含まれます。また、EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他といったタイプ別、ポジティブフォトレジストとネガティブフォトレジストといった露光方式別、ハイエンド(<14nm)、ミッドエンド(18/22/28-90nm)、ローエンド(>110nm)、DRAMおよびNANDといったプロセスノード別、そしてIC製造とアドバンストパッケージングといったアプリケーション別のICフォトレジストセグメントが詳細に記述されています。これらのセグメントごとに、2021年から2026年までの世界市場の売上高シェア、収益と市場シェア、および販売価格のデータが提供されています。

第3章には、グローバルICフォトレジスト市場における企業ごとの詳細な分析が示されています。2021年から2026年までの企業別年間売上高と売上高市場シェア、年間収益と収益市場シェア、企業別販売価格の内訳データが提供されます。主要メーカーのICフォトレジスト生産地域分布、販売地域、提供される製品タイプに関する情報も含まれています。さらに、競争状況分析、2024年から2026年までの集中度（CR3、CR5、CR10）を含む市場集中度分析、新製品や潜在的参入者、市場のM&A活動と戦略についても言及されています。

第4章には、2021年から2026年までの地理的地域および国/地域別のICフォトレジスト世界市場の歴史的レビューが収録されています。このレビューには、期間中のグローバル年間売上高と年間収益データが含まれており、特にアメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカにおけるICフォトレジストの売上高成長が強調されています。

第5章には、アメリカ地域におけるICフォトレジスト市場の詳細な分析が提供されています。この地域における国別の売上高と収益（2021年～2026年）、タイプ別の売上高（2021年～2026年）、およびアプリケーション別の売上高（2021年～2026年）が含まれています。また、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルといった特定の国ごとの詳細な内訳も掲載されています。

第6章には、APAC地域におけるICフォトレジスト市場の詳細な分析が提供されています。この地域における地域/国別の売上高と収益（2021年～2026年）、タイプ別の売上高（2021年～2026年）、およびアプリケーション別の売上高（2021年～2026年）が含まれています。さらに、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾といった特定の国/地域ごとの詳細な内訳も掲載されています。

第7章には、ヨーロッパ地域におけるICフォトレジスト市場の詳細な分析が提供されています。この地域における国別の売上高と収益（2021年～2026年）、タイプ別の売上高（2021年～2026年）、およびアプリケーション別の売上高（2021年～2026年）が含まれています。また、ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアといった特定の国ごとの詳細な内訳も掲載されています。

第8章には、中東およびアフリカ地域におけるICフォトレジスト市場の詳細な分析が提供されています。この地域における国別の売上高と収益（2021年～2026年）、タイプ別の売上高（2021年～2026年）、およびアプリケーション別の売上高（2021年～2026年）が含まれています。さらに、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国といった特定の国ごとの詳細な内訳も掲載されています。

第9章には、ICフォトレジスト市場に影響を与える主要な要因が分析されています。市場の推進要因と成長機会、市場の課題とリスク、そして業界の主要なトレンドが議論されています。

第10章には、ICフォトレジストの製造に関する側面が深く掘り下げられています。原材料とそのサプライヤー、ICフォトレジストの製造コスト構造に関する詳細な分析、製造プロセス、およびICフォトレジストの産業チェーン構造が検討されています。

第11章には、ICフォトレジストの市場開拓、流通、および顧客に関する情報がまとめられています。ダイレクトチャネルとインダイレクトチャネルを含む販売チャネル、ICフォトレジストの流通業者、そして顧客に関する詳細が記載されています。

第12章には、地理的地域別のICフォトレジスト世界市場に関する将来予測が収録されています。2027年から2032年までの地域別グローバル市場規模予測、年間売上高と収益予測が含まれます。アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカについては国/地域別の予測（2027年～2032年）が提供され、さらにタイプ別およびアプリケーション別のグローバル予測（2027年～2032年）も示されています。

第13章には、ICフォトレジスト市場における主要企業の詳細な分析が提供されています。東京応化工業株式会社（TOK）、JSR、信越化学、デュポン、富士フイルム、住友化学、東進セミケム、メルクKGaA（AZ）、Allresist GmbH、Futurrex、KemLab™ Inc、YCCHEM Co., Ltd、SK Materials Performance (SKMP)、Everlight Chemical、Red Avenue、Crystal Clear Electronic Material、Xuzhou B & C Chemical、Xiamen Hengkun New Material Technology、Jiangsu Aisen Semiconductor Material、Zhuhai Cornerstone Technologies、Shanghai Sinyang Semiconductor Materials、ShenZhen RongDa Photosensitive Science & Technology、SINEVA、Guoke Tianji、Jiangsu Nata Opto-electronic Material、PhiChemといった各企業について、会社情報、ICフォトレジストの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの売上高、収益、価格、粗利益、主要事業の概要、および最新の動向が詳細に記述されています。

第14章には、本レポートで実施された調査から導き出された全体的な調査結果が提示されています。主要な洞察が要約され、最終的な所見とともにレポートが締めくくられています。

■ ICフォトレジストについて

ICフォトレジストとは、半導体の集積回路（IC）を製造する過程で使用される光感応性材料のことです。この材料は、シリコンウエハーの表面に薄い膜として塗布されることで、フォトリソグラフィーというプロセスにおいて重要な役割を果たします。フォトリソグラフィーは、デザインした回路のパターンをウエハー上に転写する技術であり、高精度な微細加工が可能になります。

ICフォトレジストは大きく分けて「ポジ型」と「ネガ型」の2種類があります。ポジ型フォトレジストは、紫外線（UV）などの光を当てられた部分が溶解しやすくなり、光が当たった部分が除去され、その結果、回路パターンが形成されます。一方、ネガ型フォトレジストは、光照射によって硬化し、照射された部分が残ります。これらのフォトレジストは、目的に応じて使用され、特に微細構造の作成において非常に重要です。

ICフォトレジストの用途は多岐にわたります。主に半導体デバイスの製造に使用されますが、太陽電池やMEMS（微小電子機械システム）、さらには光学部品の製造など、様々な分野で活用されています。IC製造においては、トランジスタ、抵抗器、 capacitors などの様々な素子のパターン形成に直接関与します。また、高い解像度が求められるため、フォトレジストの材料には特に厳密な品質管理が求められます。

最近では、ナノメートルスケールの微細加工が必要とされるため、高解像度のフォトレジストが開発されています。これにより、より多くのトランジスタを同じ面積に集積することが可能になり、デバイスの性能向上に寄与しています。また、極紫外線（EUV）リソグラフィーの導入に伴い、その要求特性に合った新たなタイプのフォトレジストも研究開発されています。EUVリソグラフィーは、さらなる微細化を実現するための重要な技術であり、この技術に対応したフォトレジストの開発が急務となっています。

フォトレジストに関連する技術としては、塗布技術、現像技術、焼結技術などがあります。フォトレジストはウエハーの表面に均一に塗布される必要があり、スピンコーティングという方法が一般的に用いられています。この方法は、ウエハーを高速回転させながらレジストを塗布することで、均一な膜厚を得る技術です。現像プロセスでは、フォトレジストに光が当たった部分を除去するための化学的な反応が行われます。

また、焼結技術は、パターン形成の後に高温でフォトレジストを処理することにより、機械的特性を向上させたり、不純物を除去したりする工程です。これによって、生成されたパターンの精度や強度が向上し、製造工程の信頼性が高まります。

ICフォトレジストは、半導体産業において欠かせない材料であり、その性能や特性は、より高性能なデバイスの実現に直結します。常に進化を続ける半導体技術の中で、フォトレジストも新たな要求に応じて開発され、新たな材料やプロセスが模索されています。これにより、今後もさらなる技術革新が期待されている分野であると言えます。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：ICフォトレジストの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global IC Photoresist Market 2026-2032

■株式会社マーケットリサーチセンターについて
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