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    フォトレジスト(PR)の世界市場(2026年~2032年)、市場規模(EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他)・分析レポートを発表

    株式会社マーケットリサーチセンター(本社:東京都港区、世界の市場調査資料販売)では、「フォトレジスト(PR)の世界市場(2026年~2032年)、英文タイトル:Global Photoresist (PR) Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、フォトレジスト(PR)の世界市場規模、市場動向、セグメント別予測(EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他)、関連企業の情報などが盛り込まれています。

    ■ 主な掲載内容

    世界のフォトレジスト(PR)市場規模は、2025年の32億6600万米ドルから2032年には51億900万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率(CAGR)6.8%で成長すると見込まれています。
    フォトレジスト(PR)は、特定の波長の光を照射すると性質が変化し、基板表面に所望のパターンを形成する化学物質である。PRは、製造プロセスにおける半導体回路のフォトリソグラフィーのための主要材料として機能する。
    半導体用フォトレジストの主要メーカーは、現在、日本、米国、韓国に集中している。 主要企業には、東京応化工業(TOK)、JSR、信越化学工業、Qnity、富士フイルム、住友化学、および韓国の東進セミケムが含まれる。2024年時点で、上位6社の半導体フォトレジストメーカーが世界市場シェアの約84.6%を占めている(業界推計)。 中国国内の主要サプライヤーには、現在、Red Avenue、Crystal Clear Electronic Material、Xuzhou B & C Chemical、Xiamen Hengkun New Material Technology、Zhuhai Cornerstone Technologies、Shanghai Sinyang Semiconductor Materials、ShenZhen RongDa Photosensitive Science & Technology、SINEVA、Guoke Tianji、Jiangsu Nata Opto-electronic Material、PhiChemなどが挙げられる。
    構造的には、2025年の構成比は依然としてDUVが主流である: ArFi(約26.1%)+KrF(約25.5%)+g/i-Line(約24.6%)≈ 総価値の76%。これは、最先端のプロセスフローにおいても、EUVが最も複雑な層に使用される一方で、残りの多くの層は引き続きDUVでパターニングされ、両プラットフォームが数年にわたり並行して稼働するという現実を反映している。 DUV内においても、ArFiの比重は技術的な限界と一致しています。多くの「メインストリームから先進成熟」ノードにおいて、液浸ArFは依然として基礎的なリソグラフィ技術であり続けています。 一方、EUVフォトレジストは明らかな成長エンジンとなっています(2020年から2025年にかけて約8,000万ドルから約3億7,400万ドルへ増加、貴社のセグメントの中で最も高い成長率)が、2025年の総額の約11.2%に留まっています。つまり、EUVが成長を牽引している一方で、DUVが依然として層の量と幅を担っているのです。
    今後数年間の見通しとしては、EUVが最も急速に成長し、ArFiは堅調さを維持し、KrFおよびg/i-Lineは横ばいから微増、ArFドライは緩やかに成長し、Eビームは着実に成長するもののニッチな位置にとどまるという方向性です。これらはそれぞれ、実際の製造現場における異なる理由によるものです。 EUVレジストは市場全体を上回る成長を維持する見込みです。これは、スケーリングの継続に伴いEUV層数と露光強度が上昇していることに加え、エコシステムが現在ハイNA EUV時代に入っているためです(受入試験やハイNAプラットフォームの量産開始といった装置のマイルストーンが公表されています)。これによりレジストへの要求が厳格化され、EUV材料へのイノベーション投資がさらに促進されます(確率論的特性・粗さ・感度のトレードオフ、アウトガス制御など)。 ArFiレジストは、今後も「主力となるプレミアムDUV」カテゴリーであり続ける可能性が高い。EUVが拡大する分野であっても、ArFiは多くの非EUV層の露光を担い続け、28/22/16/14nmクラス以下の巨大な導入ベースを支えている。また、世界的に追加されている生産能力の多くは、依然としてArFiの性能に依存する範囲にある。 ArFドライは通常、成熟したロジックおよび特殊IC生産の広範な分野に対応しているため、「ノードの微細化」よりも、ウェーハスタート数の拡大や製品構成(特殊IC、アナログ、PMIC、CISなど)に牽引された、1桁台前半から中盤の成長が見込まれる。 KrFは、多くの成熟ノードやArFが不要な特定の微細パターン層においてコストパフォーマンスの最適点に位置しているため、堅調を維持する見込みです。その主な成長要因は、成熟ノードの生産能力と自動車・産業分野の安定性であり、景気変動はウェハスタートの全体動向に連動します。 g/i-Lineは、厚膜レジストおよびバックエンド/パッケージング中心のリソグラフィにおいて「需要が堅調」であるため、最先端のフロントエンドが低迷している場合でも、先進パッケージングの微細化(RDL層の増加、バンプ形成/メッキプロセス、ウェーハ/パネルレベルパッケージング)が需要を下支えする傾向にある。サプライヤーは、g/i-Lineのポートフォリオを、厚膜バリエーションやパッケージング関連のパターニング用途(RDLを含む)を中心に明確に位置付けている。 電子ビーム用レジストは着実に成長する見込み(ただし規模は小さいまま)である。これは、先進的なマスク製造(特にEUVマスク)が電子ビームリソグラフィ用レジストの性能に大きく依存しており、設計ルールが厳格化するにつれてマスクの複雑さが増すためである。 マクロ的な観点では、2026年から2027年にかけてAI主導のロジックおよびメモリ需要によってウェハーファブの投資と生産能力の拡大が後押しされるとの予想が、すべてのカテゴリーにとって追い風となっている。これは通常、遅れてリソグラフィ材料の消費に波及する。
    「フォトレジスト(PR)業界予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界のフォトレジスト(PR)総売上高を分析するとともに、2026年から2032年までのフォトレジスト(PR)売上予測について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。 本レポートでは、フォトレジスト(PR)の売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のフォトレジスト(PR)業界について、単位:百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
    本インサイトレポートは、世界のフォトレジスト(PR)市場の包括的な分析を提供し、製品セグメンテーション、企業構成、収益、市場シェア、最新動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。 また、本レポートでは、加速する世界のフォトレジスト(PR)市場における各企業の独自の立場をより深く理解するため、フォトレジスト(PR)のポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析しています。
    本インサイトレポートでは、フォトレジスト(PR)の世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新たな機会の領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論を用いることで、本調査の予測は、世界のフォトレジスト(PR)市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
    本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、フォトレジスト(PR)市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

    タイプ別セグメンテーション:
    EUVフォトレジスト
    ArFiフォトレジスト
    ArFドライフォトレジスト
    KrFフォトレジスト
    g/i-Line
    その他

    露光方式別セグメンテーション:
    ポジ型フォトレジスト
    ネガ型フォトレジスト

    プロセスノード別セグメンテーション:
    ハイエンド/アドバンスト <14nm
    ミッドエンド 18/22/28-90nm
    ローエンド >110nm
    DRAMおよびNAND

    用途別セグメンテーション:
    IC製造
    アドバンスト・パッケージング

    本レポートでは、地域別にも市場を分類しています:
    南北アメリカ
    米国
    カナダ
    メキシコ
    ブラジル
    アジア太平洋地域(APAC)
    中国
    日本
    韓国
    東南アジア
    インド
    オーストラリア
    欧州
    ドイツ
    フランス
    英国
    イタリア
    ロシア
    中東・アフリカ
    エジプト
    南アフリカ
    イスラエル
    トルコ
    GCC諸国

    以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
    東京応化工業株式会社 (TOK)
    JSR
    信越化学工業
    デュポン
    富士フイルム
    住友化学
    東進セミケム
    メルクKGaA (AZ)
    Allresist GmbH
    Futurrex
    KemLab™ Inc
    YCCHEM Co., Ltd
    SK Materials Performance (SKMP)
    Everlight Chemical
    Red Avenue
    クリスタル・クリア・エレクトロニック・マテリアル
    徐州B&C化学
    アモイ恒坤新材料科技
    江蘇愛森半導体材料
    珠海コーナーストーン・テクノロジーズ
    上海新陽半導体材料
    深セン栄達感光科技
    SINEVA
    国科天基
    江蘇ナタ光電子材料
    PhiChem

    本レポートで取り上げる主な課題
    世界のフォトレジスト(PR)市場の10年先の見通しは?
    世界全体および地域別に、フォトレジスト(PR)市場の成長を牽引している要因は何か?
    市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか?
    フォトレジスト(PR)市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか?
    フォトレジスト(PR)は、タイプ別、用途別にどのように分類されるか?

    ■ 各チャプターの構成

    第1章には、フォトレジスト(PR)市場の紹介、調査対象期間、調査目的、市場調査方法、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、および市場推定に関する注意点など、レポートの範囲に関する情報が記載されています。

    第2章には、エグゼクティブサマリーとして、世界のフォトレジスト(PR)市場の全体像が要約されています。具体的には、2021年から2032年までのグローバルな年間売上高予測、2021年、2025年、2032年における地域別および国/地域別のフォトレジスト(PR)の現在および将来の分析が提供されています。また、EUVフォトレジスト、ArFiフォトレジスト、ArFドライフォトレジスト、KrFフォトレジスト、g/i-Line、その他といったタイプ別のフォトレジスト(PR)のセグメントが詳細に分析されており、それぞれの売上高、市場シェア、収益、販売価格の2021年から2026年までのデータが示されています。さらに、ポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジストという露光機構別のセグメント、ハイエンド/アドバンスト(14nm未満)、ミッドエンド(18/22/28-90nm)、ローエンド(110nm超)、DRAMおよびNANDといったプロセスノード別のセグメント、IC製造と先進パッケージングといったアプリケーション別のセグメントについても、売上高、市場シェア、収益、販売価格(2021-2026年)が分析されています。

    第3章には、世界のフォトレジスト(PR)市場における企業別の詳細な分析が示されています。具体的には、2021年から2026年までの企業別のフォトレジスト(PR)年間売上高と市場シェア、年間収益と市場シェア、および販売価格が記載されています。また、主要メーカーの製造拠点分布、販売地域、製品タイプに関する情報、提供される製品、市場集中度分析(競争状況、CR3、CR5、CR10比率)、新製品と潜在的な新規参入企業、市場のM&A活動と戦略が網羅されています。

    第4章には、地域別の世界のフォトレジスト(PR)市場の歴史的レビューが収録されています。2021年から2026年までの地域別および国/地域別の市場規模、年間売上高、年間収益が示されています。さらに、米州、APAC、ヨーロッパ、中東&アフリカにおけるフォトレジスト(PR)の売上成長率が個別に分析されています。

    第5章には、米州地域のフォトレジスト(PR)市場の詳細な分析が記載されています。2021年から2026年までの国別の売上高と収益、タイプ別の売上高、アプリケーション別の売上高が示されています。また、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルの各国の市場状況が個別に詳述されています。

    第6章には、APAC地域のフォトレジスト(PR)市場の詳細な分析が記載されています。2021年から2026年までの地域別の売上高と収益、タイプ別の売上高、アプリケーション別の売上高が示されています。また、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾の各国/地域の市場状況が個別に詳述されています。

    第7章には、ヨーロッパ地域のフォトレジスト(PR)市場の詳細な分析が記載されています。2021年から2026年までの国別の売上高と収益、タイプ別の売上高、アプリケーション別の売上高が示されています。また、ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシアの各国の市場状況が個別に詳述されています。

    第8章には、中東&アフリカ地域のフォトレジスト(PR)市場の詳細な分析が記載されています。2021年から2026年までの国別の売上高と収益、タイプ別の売上高、アプリケーション別の売上高が示されています。また、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国の各国の市場状況が個別に詳述されています。

    第9章には、フォトレジスト(PR)市場の推進要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界の主要なトレンドが詳細に分析されています。

    第10章には、フォトレジスト(PR)の製造コスト構造に関する分析が記載されています。具体的には、原材料とサプライヤー、フォトレジスト(PR)の製造コスト構造、製造プロセス、およびフォトレジスト(PR)の産業チェーン構造に関する情報が提供されています。

    第11章には、フォトレジスト(PR)のマーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が記載されています。具体的には、販売チャネル(直接チャネルと間接チャネル)、フォトレジスト(PR)の主要な流通業者、および顧客層が詳述されています。

    第12章には、地域別の世界のフォトレジスト(PR)市場の将来予測が提供されています。具体的には、2027年から2032年までの地域別の市場規模予測と年間収益予測、米州、APAC、ヨーロッパ、中東&アフリカの国別予測、およびタイプ別、アプリケーション別の世界のフォトレジスト(PR)予測が示されています。

    第13章には、世界のフォトレジスト(PR)市場における主要プレーヤー26社に関する詳細な分析が収録されています。各企業について、会社情報、フォトレジスト(PR)製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までのフォトレジスト(PR)の売上高、収益、価格、粗利益、主要事業の概要、および最新の動向が個別に詳述されています。

    第14章には、本レポートの調査を通じて得られた主要な調査結果と結論がまとめられています。

    ■ フォトレジスト(PR)について

    フォトレジスト(PR)は、半導体製造や微細加工において重要な役割を果たす材料です。フォトレジストは紫外線や電子ビームなどの光を利用して、基板上にパターンを形成するための感光性樹脂です。主にシリコンウェハーの加工に使用され、ナノメートル単位での微細な構造を形成可能です。

    フォトレジストには大きく分けて、ポジティブリジストとネガティブリジストの二種類があります。ポジティブリジストは、光照射された部分が溶解し、未照射部分が残る特性を持っています。これにより、照射されたパターンが基板に転写される仕組みです。一方、ネガティブリジストは、光照射された部分が硬化し、未照射部分が溶解する特性を持っています。これにより、光が当たった部分が残り、パターンが形成されます。

    フォトレジストの主な用途は半導体製造における回路パターンの形成です。集積回路(IC)やマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)、光学デバイスなど、多様な用途があります。また、フォトレジストはフラットパネルディスプレイ(FPD)や太陽電池の製造にも使用され、電子機器の高度化に寄与しています。これにより、スマートフォンやコンピュータ、さまざまな家電製品の小型化、高性能化が実現されています。

    フォトレジストに関連する技術として、フォトリソグラフィーがあります。これは、フォトレジストを用いて光を照射し、基板上にパターンを形成する技術です。特に、微細加工が求められる半導体業界では、先端の光源技術である極紫外線(EUV)リソグラフィーが注目されています。EUVは非常に短い波長の光を使用することで、より高い解像度のパターン形成が可能となります。この技術により、さらなる集積度の向上や、デバイスの性能向上が期待されています。

    フォトレジストには、感度や解像度、耐熱性、耐薬品性など、要求される特性が多くあります。これらの特性は、材料の化学組成や添加物によって調整されます。また、フォトレジストの設計においては、加工プロセスや環境条件に応じた最適化が不可欠です。現在、製品の高機能化に向けて、より高感度、低エネルギー消費、環境に優しいフォトレジストの開発が進められています。

    イオンビーム加工やX線リソグラフィーなど、フォトレジストを用いた代替技術も存在します。これらは従来の光リソグラフィーでは限界を迎えつつある微細加工技術に対するアプローチとして期待されています。電子ビームリソグラフィーは、高精度なパターン形成が可能で、特に試作などの少量生産に適しています。これにより、フォトレジストの用途はさらに広がる可能性があります。

    フォトレジストの供給業者や製造メーカーも国際的に競争が激化しています。技術革新や市場のニーズに応じて、企業は新たな材料や加工技術の開発に取り組んでいます。環境への配慮が高まる中で、より持続可能な製品の提供が求められています。

    このように、フォトレジストは多くの技術分野で欠かせない材料であり、その進化は半導体産業や関連技術の発展に大きく寄与しています。今後の技術革新によって、フォトレジストの性能や用途はさらに広がり、より高度な電子デバイスやシステムが実現されることが期待されます。

    ■ 本調査レポートに関するお問い合わせ・お申込みはこちら 
      ⇒ https://www.marketresearch.co.jp/contacts/
    ・レポートの形態:英文PDF(Eメールによる納品)
    ・日本語タイトル:フォトレジスト(PR)の世界市場2026年~2032年
    ・英語タイトル:Global Photoresist (PR) Market 2026-2032

    ■株式会社マーケットリサーチセンターについて
    https://www.marketresearch.co.jp/
    主な事業内容:市場調査レポ-トの作成・販売、市場調査サ-ビス提供
    本社住所:〒105-0004東京都港区新橋1-18-21
    TEL:03-6161-6097、FAX:03-6869-4797
    マ-ケティング担当、marketing@marketresearch.co.jp

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