トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の世界市場

調査・報告

2025年8月15日 17:00

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の世界市場」（Global Industry Analysts, Inc.）の販売を8月15日より開始しました。

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トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の世界市場は2030年までに20億米ドルに到達

2024年に12億米ドルと推定されるトンネル電界効果トランジスタ（TFET）の世界市場は、2024年から2030年にかけてCAGR 8.6%で成長し、2030年には20億米ドルに達すると予測されます。本レポートで分析したセグメントの1つである横方向トンネル掘削は、CAGR 7.0％を記録し、分析期間終了までに12億米ドルに達すると予測されます。垂直トンネリングセグメントの成長率は、分析期間でCAGR 11.3％と推定されます。

米国市場は推定3億2,070万米ドル、中国はCAGR8.4％で成長予測

米国のトンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場は、2024年に3億2,070万米ドルと推定されます。世界第2位の経済大国である中国は、2030年までに3億2,010万米ドルの市場規模に達すると予測され、分析期間2024-2030年のCAGRは8.4%です。その他の注目すべき地域別市場としては、日本とカナダがあり、分析期間中のCAGRはそれぞれ7.6%と7.4%と予測されています。欧州では、ドイツがCAGR 7.1%で成長すると予測されています。

トンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場の成長はいくつかの要因によって牽引される

トンネル電界効果トランジスタ（TFET）市場は、技術的、産業的、アプリケーション固有の促進要因によって拡大しています。技術的には、リーク電流や電力密度の増加など、従来のCMOSスケーリングの限界により、チップメーカーは、熱下スイッチング機能とエネルギー効率の高い動作が可能なTFETの研究を進めています。特に、IoT、ヘルスケア・エレクトロニクス、ウルトラモバイル・コンピューティングなど、バッテリ効率が最重要視される分野では、最終用途産業からの需要が高まっています。常時接続のコネクテッド・デバイスを求める消費者の動向は、低消費電力ハードウェアの必要性をさらに高めており、TFETの特性と完全に一致しています。半導体製造エコシステムも進化しており、TFETと既存のCMOSプロセスフローとの互換性が高まっています。さらに、ウェアラブル・ヘルス・モニター、埋め込み型センサー、エッジ・コンピューティングにおける次世代マイクロコントローラーの台頭は、TFETが独自の立場で実現できる特定の設計機会を生み出しています。アジア、北米、欧州では、先端半導体技術に対する政府の支援イニシアティブと研究資金が、商業化の努力を後押ししています。製造面では、材料の革新と高度なエピタキシーおよびリソグラフィ・ツールの利用可能性が、ヘテロ接合TFETの歩留まりを向上させています。材料選択とゲート工学における学術的なブレークスルーは、産業グレードのプロトタイプに着実に反映され、従来のデバイスとの性能差を縮めています。これらの要因が相まって、TFET開発への関心が持続しているだけでなく、将来の商業的に実行可能な低電力半導体技術への転換を後押ししています。

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