Gowin Semiconductor社の AIエッジコンピューティング向け最新ソリューションが ウィンボンドの64Mビット HyperRAM(TM)を採用、 省スペース・省電力化を実現

ウィンボンドのHyperRAM(TM)は、小型KGDフォームファクタで少ピン数、 低消費電力、高データ帯域幅の魅力的な組み合わせを提供

台湾台中市 - 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクスは2021年1月13日、FPGAメーカーのGowin Semiconductor社がウィンボンドの64Mビット HyperRAM(TM)高速メモリデバイスを新しいGoAI 2.0機械学習プラットフォームに組み込んだことを発表しました。


Gowin社がウィンボンドのHyperRAM(TM)を採用


GoAI 2.0は、機械学習アプリケーション向けの完全な新しいハードウェアおよびソフトウェアのソリューションです。機械学習開発環境TensorFlowと互換性のあるGoAI 2.0は、スマートドアロック、スマートスピーカー、音声作動デバイス、スマート玩具などのエッジコンピューティングアプリケーションをターゲットとしています。


GoAI 2.0プラットフォームのハードウェアコンポーネントであるGW1NSR4は、KGD(Known Good Die)形式で提供されるウィンボンドの64Mビット HyperRAM(TM)によってサポートされた機械学習アプリケーション用のFPGAとARM Cortex M3マイクロコントローラを搭載したシステムインパッケージ(SiP)です。


HyperRAM(TM)テクノロジーをベースとしたウィンボンドのDRAMは、キーワード検出や画像認識などの計算負荷の高いワークロードをサポートするために十分なストレージとデータ帯域幅を提供しながら、電子回路を可能な限り小型化する必要がある、Gowin社のターゲットアプリケーションに理想的です。ウィンボンドの64Mbビット HyperRAM(TM)は11の信号ピンしか必要としないため、ホストFPGAへの接続は最小限に抑えられており、GW1NSR4 SiP全体のフットプリントはBGAパッケージでわずか4.2mm×4.2mmとなっています。ウィンボンドのデバイスが提供する64Mビットのメモリ容量は、オペレーティングシステムを実行し、同時にTinyMLモデルのバッファメモリとして、またはフレームバッファとして動作するのに十分です。


ウィンボンドの64Mビット HyperRAM(TM)の性能は、最大データ帯域幅500Mバイト/秒です。また、動作時は超低消費電力を実現し、ハイブリッドスリープモードもサポートしています。


Gowin社のCEO、Jason Zhu氏は次のように語っています。「Gowin SemiconductorはGW1NSR4に高性能で低消費電力のエッジコンピューティングエンジンを小型パッケージに組み込むという課題を解決しました。ウィンボンドのKGD形式とHyperRAM(TM)メモリテクノロジーは、FPGAと同じパッケージに封止できるため、外付け部品としてのDRAMを必要としないという点で理想的です」


「Gowin社は、GW1NSR4の開発においてウィンボンドをパートナーとして迎えたことを非常に嬉しく思っています。ウィンボンドのKGDに関する専門知識と、SiPの設計支援を通じて、非常に効果的で信頼性の高い設計を短期間で実現することができました」


ウィンボンドのHyperRAM(TM)は、128Mビット、64Mビット、32Mビットが量産中です。

詳細情報は、 http://www.winbond.com をご覧ください。



■ Gowin Semiconductorについて

2014年に設立され、主要なR&Dを中国本社に置くGOWINセミコンダクターは、当社のプログラマブル ソリューションで世界的に顧客のイノベーションを加速するビジョンを持っています。当社は、プログラマブル ロジック デバイスで製品の最適化と利便性を実現することに焦点を当てます。当社の技術と品質へのこだわりにより、顧客はFPGAを量産ボードに使用することでトータルコストを削減できます。当社の製品には、プログラマブル ロジック デバイス、デザインソフトウェア、IPコア、リファレンスデザイン、および開発キットの幅広いポートフォリオが含まれています。当社はコンシューマ、インダストリアル、通信、医療、そしてオートモーティブ市場で世界中の顧客にサービスを提供することを目指しています。


GOWINの詳細については、 http://www.gowinsemi.com をご覧ください。


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GOWIN、LittleBee(R)、GW1N/NR/NS/1NSR/1NZ(R)、Arora(R)、GW2A/AR(R)、GOWIN EDA、およびその他のここに含まれる指定ブランドは、GOWINセミコンダクターの中国およびその他の国における商標です。その他すべての商標はそれぞれの所有者の財産です。詳細については、 info@gowinsemi.com までお問い合わせください。



■ ウィンボンド・エレクトロニクスについて

ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、およびコードストレージフラッシュメモリ、およびTrsutME(TM)セキュアフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。

稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および建設中の高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。

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