株式会社マーケットリサーチセンター

裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（小画素（1.0μm以下）BSI CMOSセンサー、中画素（1.0μm～2.0μm）BSI CMOSセンサー、大画素（2.0μm超）BSI CMOSセンサー）・分析レポートを発表

その他

2026年9月13日 16:30

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Backside-illuminated (BSI) CMOS Sensor Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（小画素（1.0μm以下）BSI CMOSセンサー、中画素（1.0μm～2.0μm）BSI CMOSセンサー、大画素（2.0μm超）BSI CMOSセンサー）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場規模は、2025年の83億9,400万米ドルから2032年には130億5,700万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）6.5％で成長すると見込まれています。
2025年、世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの生産台数は約2,681.5百万台に達し、世界平均市場価格は約3,200米ドル/千台でした。
裏面照射型（BSI）CMOSセンサーは、光利用効率を最適化した先進的なイメージセンサーであり、前面照射型（FI）技術から進化したものです。従来のセンサー構造を逆転させ、受光面から金属配線や回路層を取り除いています。これにより、光はマイクロレンズとカラーフィルターを通過した後、フォトダイオードの裏面に直接照射され、前面回路による光の遮断や反射が排除されます。この設計により、光感度（最大90%以上の光利用率）が大幅に向上し、低照度での撮像性能とS/N比が向上するとともに、画質を損なうことなくより小さな画素サイズを実現します。分類基準（画素サイズ、シャッター方式、分光感度範囲）はFIセンサーと同様ですが、構造上の利点によりハイエンドな撮像シーンに適しています。ただし、製造プロセスはFIセンサーよりも複雑で、コストも高くなります。
BSI CMOSセンサーへの需要は、フラッグシップ級民生用電子機器、業務用セキュリティ監視、高精度医療用イメージングなど、業界を横断するハイエンドなイメージング用途の高度化によって牽引されています。消費者市場では中小画素モデルが主流である一方、専門分野では大画素モデルが主流となっています。また、自動車用イメージング（ADAS、車内監視）や産業用マシンビジョンにおける需要の急増も、グローバルシャッターやNIR（近赤外）機能を備えたBSIセンサーの消費を後押ししています。ビジネスチャンスとしては、フラッグシップスマートフォン向けに小画素（1.0μm以下）技術を最適化し、解像度と低照度性能のバランスを向上させること、プロフェッショナル向け医療・セキュリティ機器向けに大画素（2.0μm超）モデルを開発すること、産業用オートメーション向けにグローバルシャッター／電子グローバルシャッターBSIセンサーを高度化すること、そして新興のスマートモビリティやIoTのハイエンドニーズに応えるため、マルチスペクトルおよびNIR BSIソリューションを拡大することが挙げられる。2.0μm）モデルを専門的な医療・セキュリティ機器向けに開発すること、産業用オートメーション向けのグローバルシャッター／電子グローバルシャッターBSIセンサーをアップグレードすること、そして新興のスマートモビリティやIoT向けハイエンドイメージングのニーズに応えるため、マルチスペクトルおよびNIR BSIソリューションを拡大することにあります。同時に、プロセス改良を通じて製造コストを削減し、ミッドレンジ市場への浸透を図ることが求められます。
「裏面照射型（BSI）CMOSセンサー産業予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの予測売上高について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの売上高を地域、市場セクター、およびサブセクター別に分類し、世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー業界について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、売上高、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、バックサイドイルミネーション（BSI）CMOSセンサーのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、世界的なバックサイドイルミネーション（BSI）CMOSセンサー市場の急速な拡大において、主要グローバル企業が占める独自の地位をより深く理解できるよう、各社の戦略を分析しています。
本インサイトレポートは、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、ピクセルサイズ、用途、地域、市場規模ごとに予測を細分化することで、新たな機会の領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性・定量市場データに基づく透明性の高い方法論を用いることで、本調査の予測は、世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の現状と将来の動向について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示します。

画素サイズ別セグメンテーション：
小画素（1.0μm以下）BSI CMOSセンサー
中画素（1.0μm～2.0μm）BSI CMOSセンサー
大画素（2.0μm超）BSI CMOSセンサー

シャッタータイプ別セグメンテーション：
ローリングシャッターBSI CMOSセンサー
グローバルシャッターBSI CMOSセンサー

分光感度範囲別セグメンテーション：
可視光BSI CMOSセンサー
近赤外（NIR）BSI CMOSセンサー
マルチスペクトルBSI CMOSセンサー

用途別セグメンテーション：
民生用電子機器
産業用オートメーション
セキュリティ監視
医療用イメージング
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
ソニー
サムスン
オムニビジョン
STマイクロエレクトロニクス
オンセミ
SKハイニックス
ギャラクシーコア
パナソニック
スマートセンステクノロジー
キヤノン
シリコンオプトロニクス

本レポートで取り上げる主な課題
世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の10年先の見通しは？
バックサイドイルミネーション（BSI）CMOSセンサー市場の成長を、世界全体および地域別に牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
バックサイドイルミネーション（BSI）CMOSセンサー市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
バックサイドイルミネーション（BSI）CMOSセンサーは、画素サイズおよび用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、レポートの範囲に関する情報が記載されています。具体的には、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの市場導入、分析対象期間（Years Considered）、研究目標、市場調査方法論、研究プロセスとデータソース、市場に影響を与える経済指標、使用通貨、および市場推定に関する留意事項（Caveats）などが含まれています。

第2章には、エグゼクティブサマリーが収録されています。ここでは、世界の裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の概要が示され、2021年から2032年までの年間販売データ、2021年、2025年、2032年における地域別および国/地域別の現在および将来の分析が提供されています。また、裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場をピクセルサイズ別（Small Pixel (≤1.0μm)、Medium Pixel (1.0μm-2.0μm)、Large Pixel (>2.0μm)）、シャッタータイプ別（Rolling Shutter、Global Shutter）、スペクトル応答範囲別（Visible Light、Near-Infrared (NIR)、Multi-Spectral）、およびアプリケーション別（Consumer Electronics、Industrial Automation、Security Monitoring、Medical Imaging、Others）にセグメント化し、それぞれについて2021年から2026年までの販売市場シェア、収益および市場シェア、販売価格の詳細なデータが示されています。

第3章には、企業別のグローバル分析が示されています。これには、2021年から2026年までの企業別のグローバル裏面照射型（BSI）CMOSセンサー年間販売数と販売市場シェア、企業別の年間収益と収益市場シェア、企業別の販売価格が含まれます。また、主要メーカーの裏面照射型（BSI）CMOSセンサー製造拠点分布、販売地域、提供される製品タイプ、市場集中度分析（競争状況分析、CR3, CR5, CR10の集中度 (2024-2026)）、新製品と新規参入企業、市場のM&A活動と戦略に関する情報も提供されています。

第4章には、地域別の裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界的な歴史的レビューが記載されています。2021年から2026年までの裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界市場規模を地域別（年間販売数、年間収益）および国/地域別（年間販売数、年間収益）に詳述しています。さらに、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカにおける裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの販売成長率も示されています。

第5章には、アメリカ市場に特化した分析が提供されています。2021年から2026年までのアメリカにおける国別裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの販売数と収益、ピクセルサイズ別販売数、およびアプリケーション別販売数が含まれています。さらに、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルの各国の市場状況が個別に分析されています。

第6章には、APAC市場に特化した分析が提供されています。2021年から2026年までのAPACにおける地域別裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの販売数と収益、ピクセルサイズ別販売数、およびアプリケーション別販売数が含まれています。さらに、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾の各国/地域の市場状況が個別に分析されています。

第7章には、ヨーロッパ市場に特化した分析が提供されています。2021年から2026年までのヨーロッパにおける国別裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの販売数と収益、ピクセルサイズ別販売数、およびアプリケーション別販売数が含まれています。さらに、ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアの各国の市場状況が個別に分析されています。

第8章には、中東およびアフリカ市場に特化した分析が提供されています。2021年から2026年までの中東およびアフリカにおける国別裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの販売数と収益、ピクセルサイズ別販売数、およびアプリケーション別販売数が含まれています。さらに、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国の各国の市場状況が個別に分析されています。

第9章には、市場の推進要因、課題、およびトレンドに関する情報が記載されています。裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場の成長機会と推進要因、市場の課題とリスク、および業界の主要トレンドが分析されています。

第10章には、製造原価構造分析の詳細が示されています。原材料と供給元、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの製造原価構造、製造プロセス、および業界チェーン構造が包括的に分析されています。

第11章には、マーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が提供されています。販売チャネル（直接チャネル、間接チャネル）、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの流通業者、および主要な顧客セグメントが詳細に記述されています。

第12章には、地域別の裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界予測レビューが収録されています。2027年から2032年までのグローバル裏面照射型（BSI）CMOSセンサー市場規模の地域別予測（販売数、年間収益）、アメリカの国別予測、APACの地域別予測、ヨーロッパの国別予測、中東およびアフリカの国別予測が含まれます。さらに、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーのピクセルサイズ別およびアプリケーション別のグローバル予測（2027-2032）も提示されています。

第13章には、主要企業の詳細な分析が示されています。SONY、Samsung、OmniVision、STMicroelectronics、Onsemi、SK Hynix、GalaxyCore、Panasonic、SmartSens Technology、Canon、Silicon Optronicsといった主要各社について、会社情報、裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売数、収益、価格、粗利益、主要事業概要、および最新の動向が個別に詳しく記述されています。

第14章には、調査結果と結論がまとめられています。レポート全体を通じて得られた主要な発見事項が要約され、それに基づいた最終的な結論が提示されています。

■ 裏面照射型（BSI）CMOSセンサーについて

裏面照射型CMOSセンサー（BSI CMOSセンサー）は、画像センサーの一種で、主にデジタルカメラやスマートフォンなどの画像処理に使用されています。従来のCMOSセンサーと比較して、画質や感度が向上しているのが特徴です。これにより、低照度環境での撮影時にも高品質な画像を生成することができます。

BSI CMOSセンサーは、光を受けるための構造が従来の前面照射型（FSI）センサーと異なります。BSIでは、センサーの回路や配線が光を受ける面の裏側に配置されているため、光が直接センサーの受光素子に届くことができます。この設計により、光のロスが減少し、より多くの光を取り込むことが可能になり、結果として感度が向上します。

BSI CMOSセンサーにはいくつかの種類があります。主なものとしては、単層構造のセンサーと多層構造のセンサーがあります。単層構造のBSIセンサーは、シンプルで製造コストが低いのが特徴ですが、光学的な性能においては限界があります。一方、多層構造のBSIセンサーは、複数の層を持つことでより高い性能を発揮し、特に解像度や感度が求められる用途に最適です。

このセンサーは、多様な用途に対応可能です。デジタルカメラ、スマートフォン、ウェブカメラ、監視カメラなど、多くのデバイスで使用されています。特に、スマートフォンのカメラにおいては、薄型化や小型化が進む中でも高画質な写真を撮影可能にするため、BSI CMOSセンサーの導入が進んでいます。また、医療用画像機器や産業用カメラなど、専門的なアプリケーションでもその特性が活かされています。

さらに、BSI CMOSセンサーは映像処理技術やアルゴリズムと組み合わせることで、より洗練された画像処理が可能になります。例えば、ノイズ除去技術やダイナミックレンジ拡張技術を組み合わせることで、低照度環境でも適切な画像を提供できるようになります。このように、関連技術の発展もBSI CMOSセンサーの性能向上に寄与しています。

BSI CMOSセンサーの技術には、いくつかの課題も存在します。製造プロセスの複雑さやコストが高くなることが一例です。また、配線の効率化や受光素子のサイズの最適化など、さらなる技術革新が求められます。加えて、BSI CMOSセンサーが持つ特性を最大限に引き出すためには、他のコンポーネントとの相互作用も考慮する必要があります。

今後の展望としては、より高性能なBSI CMOSセンサーが開発されることが期待されています。特に、AI（人工知能）技術の進展に伴い、自動的に画質を最適化するセンサーの実用化が進むでしょう。また、IoT（インターネット・オブ・シングス）の普及により、より多くのデバイスにBSI CMOSセンサーが搭載される可能性があります。これにより、私たちの日常生活においても、より高品質な画像体験が広がるでしょう。

このように、裏面照射型CMOSセンサーは、その設計や特性から多くのアプリケーションに応用可能で、今後も技術革新が期待される分野です。画像処理技術の進展とともに、私たちの視覚体験をより豊かにするための重要な役割を果たしていくことでしょう。各分野での利用が広がるにつれて、BSI CMOSセンサーは、動画や画像の品質向上に貢献し続けることが期待されています。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：裏面照射型（BSI）CMOSセンサーの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global Backside-illuminated (BSI) CMOS Sensor Market 2026-2032

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