EUVフォトマスク基板市場規模、2032年に最大6.2億米ドルへ AGC・HOYAの供給体制と先端半導体需要を分析

2025年の世界市場は約2.2億米ドル、年平均成長率は約13％。2ナノメートル級半導体、高開口数EUV露光、国内メーカーの技術開発と供給網をレポートプライムが調査

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2026年11月10日 05:30

レポートプライム（Report Prime）は、世界のEUVフォトマスク基板市場規模に関する市場分析を公表しています。同社の推計によると、コーティング済みEUVマスクブランクを対象とした2025年の世界市場規模は約2.2億米ドル。2025～2032年の年平均成長率は基本シナリオで約13％となり、2032年の予測レンジは4.4億～6.2億米ドルに達する見通しです。先端半導体の微細化に伴う製品仕様の高度化が、需要と供給体制の双方に影響しています。

市場の特徴は、技術的な参入障壁の高さと供給企業の集中です。レポートプライムは、コーティング済みEUVマスクブランクの市場シェアをAGC約59％、HOYA約34％と推計しています。2026年6月にはAGCが2ナノメートル級向け製品や高開口数EUV露光への対応を説明し、HOYAは2026年の統合報告書でシンガポール新工場への約420億円の初期投資計画を示しました。本稿では、こうした企業動向と市場予測を区別しながら、今後の成長機会と調達上の課題を整理します。

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EUVフォトマスク基板市場規模と成長率――2025～2032年の世界予測

レポートプライムの2025年市場規模推計は約2.2億米ドルで、推計幅は1.9億～2.5億米ドルです。2032年の公開予測は4.4億～6.2億米ドルの範囲となり、単一の基本シナリオ金額は有料レポート本編に収録しています。年平均成長率約13％は基本シナリオの値であり、需要や生産条件に応じた想定範囲は10.3～15.1％です。
成長の背景には、人工知能向け半導体の高性能化、先端論理半導体の微細化、メモリ製造へのEUV露光の採用拡大があります。ただし、市場売上高は半導体生産量だけで決まりません。高精度マスクブランクの製品構成、検査工程の複雑さ、製造歩留まり、販売価格なども市場価値を左右します。

EUVフォトマスク基板市場規模の公開予測（2025年推計・2032年予測レンジ）

EUVマスクブランクとは？フォトマスク基板・完成マスクとの市場範囲の違い

EUVフォトマスクの製造工程は、低熱膨張ガラス基板、反射多層膜などを形成したコーティング済みマスクブランク、回路パターンを形成した完成フォトマスクという段階に分けられます。今回の約2.2億米ドルという推計は、コーティング済みEUVマスクブランクを対象とするものです。原料ガラス単体や完成フォトマスク、露光装置の売上高は含みません。市場調査によって数字が大きく異なる理由の一つは、この対象範囲の違いにあります。

日本のEUVマスクブランク市場シェア――AGC・HOYAの量産と設備投資

日本企業はEUVマスクブランクの供給網において重要な役割を担っています。高精度な基板加工、反射膜の形成、欠陥検査、顧客認定を一体で管理する必要があり、設備の増設だけで短期間に供給企業を増やすことは難しい市場です。

AGCのEUVマスクブランク事業――2ナノメートル級・高開口数EUVへの対応

AGCは2026年6月2日の半導体関連事業説明会で、2ナノメートル級の論理半導体向け製品の量産数量が増えていること、位相シフト型マスクブランクを量産していること、高開口数EUV露光向け製品の評価を進めていることを説明しました。国内では福島県の本宮工場と郡山工場が主要な製造拠点です。同社は半導体の世代交代と需要動向を見ながら、先端材料の開発と投資を継続する方針を示しています。

HOYAのEUVフォトマスク基板供給――シンガポール新工場と設備投資

HOYAの2026年統合報告書によると、同社は既存施設に隣接するシンガポール新工場の建設を決定しました。初期投資は約420億円、稼働開始は2028年度を予定しています。高開口数EUVや次世代の露光技術への対応を進めるとともに、需要増に備えて生産能力を拡充する計画です。これは将来の設備投資計画であり、現時点の実出荷量を意味するものではありません。

EUVマスクブランク市場シェア――AGC・HOYAの供給集中度を分析

レポートプライムによるAGC約59％、HOYA約34％、合計約93％という数値は、同社が定義するコーティング済みEUVマスクブランク市場の推計です。企業公表の売上高や原料ガラス市場のシェアと直接比較できる数値ではありません。一方、このような供給集中は、半導体メーカーにとって品質の安定と長期調達契約を重視する理由の一つになっています。

主要EUVマスクブランクメーカーの推計シェア（コーティング済み製品）

EUVフォトマスク基板の需要動向――先端半導体・次世代EUV露光技術

EUV露光では約13.5ナノメートルの波長の光を使用し、先端半導体の微細な回路形成に対応します。新しい製造世代では回路設計や工程数が変化するため、量産拠点の数だけでなく、必要なフォトマスクの種類や仕様がマスクブランクの需要を左右します。

EUVフォトマスク基板の用途――2ナノメートル級論理半導体と先端メモリ

人工知能向け演算半導体や高性能計算向けの論理半導体では、微細化に伴ってマスクの精度要求が高まります。先端メモリでもEUVを用いる工程が拡大する可能性があります。ただし、工場建設計画がそのままマスクブランクの出荷数量になるわけではなく、製造装置の稼働開始、製品設計の世代交代、実際の露光採用状況を見極める必要があります。

高開口数EUVマスクブランクの製造課題――品質管理・歩留まり・価格

高開口数EUV露光は、より微細な回路形成を可能にする一方、基板の平坦性、反射膜の均一性、微小欠陥の管理に厳しい条件を求めます。材料メーカーには製造工程の安定化と検査能力の向上が必要です。高性能品への需要は付加価値の上昇につながる可能性がありますが、設備投資や製造歩留まりの悪化は費用増加につながるため、収益性は一律に改善するとは限りません。

EUVマスクブランクの製造工程と供給網――低熱膨張ガラス・成膜・検査

EUVマスクの基板には、温度変化による寸法変動を抑える超低熱膨張ガラスが使用されます。研磨された基板の上にはモリブデンとシリコンを交互に重ねた反射多層膜などが形成され、高度な欠陥管理が必要になります。原料ガラスではコーニングやショットなどが関係する一方、コーティング済みマスクブランクではAGCやHOYAなどの製造技術が重要です。材料の供給段階を分けて確認することが、調達戦略や競争分析の精度を高めます。

EUVフォトマスク基板の製造工程と市場の対象範囲

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EUVフォトマスク基板市場の地域別分析――日本の供給とアジアの需要

EUVマスクブランクの供給では日本企業が大きな役割を担う一方、製品を利用する先端半導体工場は台湾、韓国、中国などアジア太平洋地域に集積しています。米国や欧州の企業は上流材料などの供給で関係しています。日本企業の世界市場シェアと日本国内の消費シェアは異なるため、地域別の市場分析では生産拠点と需要地を分ける必要があります。

EUVフォトマスク基板市場の課題――供給集中・量産歩留まり・調達リスク

市場の主要課題は、第一に少数の供給企業への依存、第二に高度な製品仕様を満たす量産歩留まり、第三に新規供給元の品質認定に要する期間です。供給企業の設備停止や品質問題が発生した場合、短期間で代替品に切り替えることは容易ではありません。また、技術要件の高度化によって、品質保証と検査に必要な費用が増える可能性があります。
半導体メーカーにとっては、長期契約や調達先の多様化、量産予定に合わせた認定計画が重要になります。材料メーカー側では、次世代技術に対応した製品開発に加え、品質を保ちながら供給能力を拡大できるかどうかが競争力を左右すると考えられます。

EUVマスクブランク市場の今後の見通し――レポートプライムの分析

「EUVマスクブランクの需要は、半導体の微細化だけでなく、製品世代の更新や露光技術の高度化によって支えられています。一方、実際の市場成長を左右するのは、設備能力の増加だけではありません。厳しい品質要件を満たす製品を継続的に出荷し、顧客が安心して調達できる供給体制を築けるかが重要です。日本のメーカーには、先端技術への対応と安定供給を両立することが求められます。」

―― レポートプライム

EUVフォトマスク基板市場調査レポートの対象範囲・分析項目

本調査は2025年を基準年とし、2020～2024年の市場動向と2032年までの予測を扱います。コーティング済みEUVマスクブランクを基準とした市場規模、成長率、主要企業の競争構造、原料ガラスとの区分、先端論理半導体・メモリの需要、地域別の生産・消費構造、製造歩留まり、調達リスクなどを分析します。詳細な市場データや製品・地域別の分析項目はレポート本編およびサンプルで確認できます。