世界のIGBTおよびSiCモジュール市場成長率：2032年までに11.7%に達する見込み

IGBTおよびSiCモジュールとは
IGBTおよびSiCモジュールとは、電力変換・電力制御用途に用いられる高出力半導体デバイスを複数集積し、実装・冷却・絶縁・信頼性設計を含めて一体化したパワーエレクトロニクス用モジュールを指します。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、MOSゲート制御による高入力インピーダンスとバイポーラ素子による大電流・高耐圧特性を併せ持ち、中・高電圧領域において高い信頼性とコスト効率を発揮するため、産業用インバータ、電力網用変換装置、鉄道牽引、再生可能エネルギー用パワーコンディショナなどで中核デバイスとして広く採用されています。

QYResearch調査チームの最新レポート「IGBTおよびSiCモジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」によると、IGBTおよびSiCモジュールの世界市場は、2025年に10687百万米ドルと推定され、2026年には12123百万米ドルに達すると予測されています。その後、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）11.7%で推移し、2032年には23497百万米ドルに拡大すると見込まれています。

上記の図表／データは、QYResearchの最新レポート「IGBTおよびSiCモジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」から引用されている。

世界パワーモジュール市場の全体構造
世界のパワーモジュール市場は現在、「IGBTが安定した市場規模を維持し、SiCが急速に浸透する」という並行構造を形成しています。IGBTモジュールは中・高電力領域における中核デバイスとしての地位を確立しており、SiCモジュールは高効率・高電力密度を求める先端用途を中心に採用が拡大しています。
IGBTモジュールの主要用途と需要基盤
IGBTモジュールは、産業用インバータ・サーボドライブ、風力・太陽光発電向け系統連系インバータおよび蓄電システム用PCS、鉄道牽引装置、UPS・高電力電源装置、HVDCなどの超高圧送電用変換装置に幅広く使用されています。長寿命性、堅牢性、信頼性が重視される分野において、引き続き安定した需要基盤を有しています。
SiCモジュールの普及を牽引する成長分野
SiCモジュールは「高効率・高電力密度・高周波動作」を強みとし、新エネルギー自動車分野を中心に急速な普及が進んでいます。特にトラクションインバータ、OBC、DC-DCコンバータ、超急速充電器が代表的な用途です。IEAによれば、2024年の世界EV販売台数は約1,700万台に達すると予測されており、車載用パワーモジュールの需要拡大と構造高度化を直接的に促進しています。
電力網・再生可能エネルギー分野の市場動向
電力網および再生可能エネルギー分野では、IEAが2024年の世界年間再生可能エネルギー新規設備容量を約666GWと見込んでいます。これにより、IGBTは系統連系・電力品質関連装置における大規模需要を維持しつつ、SiCは高効率・高スイッチング周波数を求めるハイエンドインバータやエネルギー貯蔵システムへの浸透機会を拡大しています。
技術進化に見るIGBTとSiCの方向性
IGBTモジュールの技術進化は、高電流密度化、低損失化、高信頼性化、システムコスト最適化を中心に進展しています。産業制御、電力網、軌道交通といった分野での長期運用を前提とした改良が継続しています。
一方、SiCモジュールは性能優位性の確立段階から量産コスト低減フェーズへと移行しており、200mmウエハーへの産業化、モジュールの高集積化・低インダクタンス化、両面放熱や銀焼結技術の採用、Si＋SiCハイブリッド構成の登場などが進んでいます。さらに、AIデータセンター向け電源の高効率化需要も新たな成長要因となっています。
IGBTモジュール市場規模と主要企業
2025年の世界IGBTモジュール市場規模は78億5,400万米ドルと推定され、2032年には156億6,500万米ドルへ拡大すると予測されています。2026年から2032年までのCAGRは10.52％です。主要メーカーにはInfineon、三菱電機、富士電機、BYD Semiconductor、onsemi、DENSO、Semikron Danfoss、Silicon Microelectronicsなどが含まれ、2025年時点で上位10社が約85％の市場シェアを占めています。
SiCモジュール市場規模と地域別動向
2025年の世界SiCモジュール市場規模は28億3,300万米ドルで、2032年には78億2,900万米ドルへ拡大すると見込まれ、2026～2032年のCAGRは14.22％です。2025年時点で中国は33.59％、北米は15.95％のシェアを占めています。今後6年間の中国市場のCAGRは14.09％と予測され、2032年には約93億4,300万米ドル規模に達する見通しです。アジア太平洋地域では、日本、韓国、インド、東南アジアの存在感が一段と高まると見込まれています。
生産体制とグローバル供給構造
生産面では、欧州がIGBTおよびSiCモジュールの最大生産地域であり、約34.2％のシェアを占めています。次いで中国が約28.21％を占有しています。STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、BYD Semiconductor、三菱電機、富士電機などが主要プレイヤーで、上位10社が世界市場の約80％を掌握しています。
競争環境と産業チェーンの進化
競争環境は、デバイス性能中心の競争から、垂直統合能力、自動車規格対応力、生産能力とコスト曲線、モジュール封止技術を統合した競争へと進化しています。SiC分野では、長期供給契約や現地生産を通じた自動車プラットフォームの囲い込みが進み、200mmウエハー対応に向けた投資が加速しています。IGBT分野では、高信頼性とシステム認証を軸に、ウエハー大口径化とプロセス共通化によるコスト競争力強化が進められています。
今後、SiCは「材料・デバイス・モジュール・システム」の一体化競争へ、IGBTは信頼性と長期運用実績を基盤とした市場防衛型競争へと展開し、電力帯域とコスト帯域の違いの中で両者は共存していくと見込まれます。

本記事は、QY Research発行のレポート「IGBTおよびSiCモジュール―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」に基づき、市場動向および競合分析の概要を解説します。
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https://www.qyresearch.co.jp/reports/1721192/igbt-and-sic-module

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