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3D NANDフラッシュメモリ市場、2035年に1,706億3,000万米ドルへ拡大｜CAGR 17.12％、大容量ストレージ需要とデータセンター向け高密度メモリ需要が市場成長を加速

その他

2026年10月8日 10:30

3D NANDフラッシュメモリ市場

3D NANDフラッシュメモリ市場は、2025年の351億4,000万米ドルから2035年には1,706億3,000万米ドルへ拡大すると予測されています。2026年から2035年の予測期間における年平均成長率（CAGR）は17.12％と見込まれ、データ処理量の増加やストレージ需要の高度化を背景に、半導体産業における重要性が一段と高まる見通しです。本市場の成長は単なる記憶容量の拡大にとどまらず、AI、クラウドコンピューティング、データセンター、スマートデバイスなど、膨大なデータを扱うデジタル基盤の進化と密接に関連しています。

3D NANDは、メモリセルを様々な層で垂直に積み重ねた不揮発性データ保存設備です。メモリセルは、NANDストリングによる電荷伝導のために、各面に水平または垂直にセルを積層することで3D構造を形成します。フラッシュメモリセルは論理ゲートであり、すべての論理ゲートはよく認識されている2進数の入力または出力（I/O）交換を利用します。メーカーは、ビットあたりのコストを抑えて高密度のストレージを実現するため、3D NANDフラッシュメモリーを製造しました。

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大容量データ時代の到来が3D NANDの需要拡大を促進

デジタルサービスの普及に伴い、企業や消費者が扱うデータ量は継続的に増加しています。動画、画像、業務データ、AI関連データなどの保存ニーズが拡大するなか、限られた物理スペースでより多くのデータを保存できるストレージ技術が求められています。3D NANDフラッシュメモリは、メモリセルを垂直方向に積層することで記憶密度を高められる点が大きな特徴です。そのため、従来型の平面NANDでは対応が難しくなりつつある大容量化への要求に応える技術として、ストレージ市場における存在感を高めています。

AIとデータセンターの拡大が高性能ストレージ需要を押し上げる

AIの利用拡大は、3D NANDフラッシュメモリ市場を支える重要な需要要因の一つとなっています。AIシステムでは学習データ、モデル、生成コンテンツなど大量の情報を保存・処理する必要があり、データセンターにおけるストレージ容量の拡張が不可欠です。さらにクラウドサービスの普及によって、企業のデータ保存や処理がオンプレミス環境から大規模なデータセンターへ移行する動きも続いています。こうした環境では、高密度かつ効率的なストレージへの需要が強まり、3D NANDの採用機会を広げる要因になると考えられます。

主要企業のリスト：

• SAMSUNG
• KIOXIA Holdings Corporation
• Micron Technology, Inc.
• Integrated Silicon Solution Inc.
• Western Digital Corporation
• STMicroelectronics
• Realtek Semiconductor Corp.
• Semiconductor Components Industries, LLC
• Infineon Technologies AG
• Advanced Micro Devices, Inc

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スマートデバイス市場でも大容量ストレージへの要求が強まる

3D NANDの需要拡大はデータセンターだけに限定されません。スマートフォン、タブレット、パソコンなどのデバイスでは、高解像度コンテンツやアプリケーション、AI機能などによって必要な保存容量が増えています。ユーザーがより多くの写真や動画、アプリケーションを端末内に保存するようになるにつれ、コンパクトなデバイスでも大容量ストレージを搭載することが重要になっています。3D NANDは高密度化を実現できることから、こうした小型機器におけるストレージ容量拡大にも適した技術として、市場成長を支える基盤の一つになるとみられます。

垂直積層技術の進展が市場競争の焦点に

3D NANDフラッシュメモリ市場では、単純な生産量の拡大だけでなく、メモリセルをどこまで効率的に積層し、高密度化と性能向上を両立できるかが重要な競争軸となっています。積層技術の高度化は、同一の設置面積でより多くのデータを保存する可能性を広げる一方、製造工程の複雑化や設備投資の増加といった課題も伴います。そのため、今後の市場では、製造技術の成熟度、生産効率、歩留まり、コスト競争力を含めた総合的な技術力が、企業の市場ポジションを左右する重要な要素となる可能性があります。

セグメンテーションの概要

タイプ別

• シングルレベルセル（SLC）
• トリプルレベルセル（TLC）
• マルチレベルセル（MLC）

用途別

• スマートフォン
• タブレット
• ノートパソコン
• パソコン
• カメラ
• その他

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エンドユーザー別

• 家電製品
• ヘルスケア
• 自動車
• その他

ストレージ性能とコストの両立が企業の採用判断を左右

市場拡大が続く一方、3D NANDメーカーにとっては高性能化とコスト効率の両立が重要な課題です。大容量化を実現するための技術開発が進むほど、製造プロセスや設備への要求も高度になります。また、半導体市場では需要変動が大きく、生産能力と市場需要のバランスが価格や収益性に影響する可能性があります。したがって、今後の成長局面では、単に記憶容量を増やすだけでなく、性能、信頼性、消費電力、製造コストを総合的に最適化する取り組みが、サプライヤーとストレージ関連企業の双方にとって重要になります。

データインフラ投資の拡大が中長期的な市場機会を創出

企業のデジタル化やクラウドサービスの利用拡大により、データを保存するためのインフラ投資は中長期的な重要テーマとなっています。特にAIやデータ集約型サービスが広がることで、データセンターでは計算能力だけでなく、大量のデータを効率的に保存・管理するストレージ基盤の重要性も高まっています。3D NANDフラッシュメモリはこうしたストレージ環境を構成する主要技術の一つであり、データ生成量の増加とストレージ容量需要の拡大が続く限り、市場には継続的な成長機会が存在すると考えられます。

地域別

北アメリカ

• アメリカ
• カナダ
• メキシコ

ヨーロッパ

• 西ヨーロッパ
• イギリス
• ドイツ
• フランス
• イタリア
• スペイン
• その地の西ヨーロッパ
• 東ヨーロッパ
• ポーランド
• ロシア
• その地の東ヨーロッパ

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アジア太平洋

• 中国
• インド
• 日本
• オーストラリアおよびニュージーランド
• 韓国
• ASEAN
• その他のアジア太平洋

中東・アフリカ（MEA）

• サウジアラビア
• 南アフリカ
• UAE
• その他のMEA

南アメリカ

• アルゼンチン
• ブラジル
• その他の南アメリカ

2035年に向けて3D NANDはデジタル社会のストレージ基盤へ

3D NANDフラッシュメモリ市場は、2025年の351億4,000万米ドルから2035年には1,706億3,000万米ドルへ拡大し、2026～2035年に17.12％のCAGRで成長すると予測されています。この大幅な市場拡大の背景には、AI、クラウド、データセンター、スマートデバイスなどによるデータ保存需要の構造的な増加があります。今後は、より高密度な積層技術の開発に加え、性能、信頼性、製造効率、コスト競争力をいかに両立するかが市場競争の重要なテーマとなります。3D NANDは、大容量データを支えるストレージ技術として、次世代デジタルインフラの発展とともに市場での重要性をさらに高めていくとみられます。

3D NANDフラッシュメモリ市場における次の成長分野はどこか？

• 日本の次なる成長ポケットは「AI半導体」だけではない――3D NANDフラッシュメモリ市場が映し出す、AIデータセンター時代のストレージ投資機会と日本企業が狙うべき新たなバリューチェーン

日本の半導体成長戦略を考える際、GPUや先端ロジック半導体だけに注目すると、次の事業機会を見落とす可能性があります。生成AIからAI推論、エージェント型AI、フィジカルAIへと利用領域が広がるにつれて、AIが処理するデータ量そのものが増加し、GPUやHBMだけでなく、それらを支える大容量・高速・低消費電力のストレージが重要性を増しています。キオクシアは2026年のInvestor Dayで、AI推論時代にはフラッシュメモリとSSDが次世代AIシステムの中核的構成要素になるとの方向性を示しており、これは3D NANDを単なる記憶媒体ではなく、AIインフラの性能・容量・電力効率を左右する戦略的コンポーネントとして捉える必要性を示しています。 351億4,000万米ドルから1,706億3,000万米ドルへ拡大する3D NANDフラッシュメモリ市場は、こうした構造変化の中で、日本企業にとって「AIそのもの」ではなく「AIを動かすデータ基盤」という別の成長ポケットを検討する材料となります。

• 「容量競争」から「AIストレージ性能競争」へ――332層・4.8Gb/s・大容量SSDの進化が示す、日本の3D NAND市場で次に価値が生まれる領域とは何か

3D NANDフラッシュメモリ市場の次の成長機会を見極めるうえで重要なのは、単純なメモリ容量の増加ではなく、AIワークロードに合わせてストレージそのものの役割が変化していることです。キオクシアとSandiskは第10世代3Dフラッシュメモリについて、332層の積層、4.8Gb/sのNANDインターフェース速度、ビット密度の向上、消費電力低減などを打ち出しており、2026年には第10世代BiCS FLASHのサンプル出荷も開始しました。さらに、AIデータセンター向けSSDでは大容量化だけでなく、高帯域、低レイテンシ、高IOPS、電力効率といった複数の性能軸が重要になっています。この変化は、日本の半導体関連企業にとって、NANDチップそのものだけでなく、SSD、コントローラー、実装・パッケージング、製造装置、材料、電力効率化技術、データセンター向けストレージソリューションまでを含む周辺バリューチェーンに新しい成長機会が生まれる可能性を示しています。

• 北上・四日市から始まる次の投資サイクル――3D NANDフラッシュメモリの国内生産能力拡張は、日本の半導体サプライチェーンにどのような波及機会を生み出すのか

日本市場における3D NANDの注目点は需要拡大だけではなく、国内の製造能力そのものが次の投資局面に入っていることです。キオクシアとSandiskは2025年に北上工場Fab2の稼働を開始し、8世代218層3Dフラッシュメモリに対応するとともに、AIによるストレージ需要を見据えて生産能力を段階的に拡大しています。さらに2026年8月には北上工場で新たなFab3の建設に向けた準備を開始し、2029年度の操業開始を目標として、先端3Dフラッシュメモリの生産能力拡大を進めています。この動きは、3D NAND市場をメモリメーカーだけの成長テーマとして見るのではなく、半導体製造装置、材料、クリーンルーム、工場自動化、電力・冷却、検査・計測、物流、設備保全など、日本国内の広範な産業プレイヤーに波及する設備投資テーマとして捉える必要性を示しています。

• 3D NANDフラッシュメモリ市場で本当に見るべきKPIは「出荷量」だけではない――AI時代における容量・電力・帯域・レイテンシの最適化が企業競争力を左右する

3D NANDフラッシュメモリ市場の成長を経営戦略の観点から評価する場合、従来型の「メモリビット数」や「出荷容量」だけでは市場の変化を十分に捉えられなくなっています。生成AIの普及によってデータセンターでは、学習、推論、RAG、ベクトルデータベースなどワークロードごとに異なるストレージ要件が発生しており、キオクシアもAIワークロードに応じて大容量、高帯域、高IOPS、低レイテンシを実現するSSD開発を進めています。さらに2025年には、NEDOのプロジェクトにおいて5TB容量・64GB/s帯域のフラッシュメモリモジュールの試作にも成功しており、フラッシュメモリが従来の「保存するための記憶媒体」から、AI処理を支える高性能なデータアクセス基盤へ進化していることが分かります。したがって、経営層が日本の3D NAND市場を見る際には、**「どれだけ売れるか」だけではなく、「どのAIワークロードで、どの性能要件に対して、どの企業が付加価値を獲得するのか」**という視点が、次の成長ポケットを見つけるうえで重要になります。

• 2035年に向けた成長ポケットはどこにあるのか――3D NANDフラッシュメモリ市場の拡大を「半導体製造」から「AIデータインフラ」へ読み替える日本企業の戦略的アプローチ

3D NANDフラッシュメモリ市場が2025年の351億4,000万米ドルから2035年に1,706億3,000万米ドルへ拡大するとされる中で、日本企業にとって重要なのは、市場規模そのものを追うことではなく、その成長を生み出す需要構造の変化をどこで事業機会に転換できるかを見極めることです。キオクシアはAI推論時代に向けてフラッシュメモリとSSDをAIインフラの中核に位置付け、10世代BiCS FLASHの開発・サンプル出荷や北上Fab3への投資を進めています。一方、日本ではAIデータセンターへの大型投資も進んでおり、2026年10月には千葉県で400MW規模のAIデータセンター計画が発表されるなど、AI計算基盤そのものの国内拡張が加速しています。こうした動きを重ね合わせると、今後の成長ポケットは3D NANDチップ単体に限定されず、AI向けSSD、大容量ストレージ、データセンターインフラ、半導体製造装置・材料、電力効率化、ストレージアーキテクチャ、そしてAIデータ基盤を支える周辺ソリューションへ広がる可能性があります。経営層にとっては、3D NANDを「半導体の一市場」として見るのではなく、AI時代の日本産業におけるデータ保存・移動・処理能力を支える戦略的インフラ市場として再評価することが、2035年に向けた新規事業・投資判断の重要な視点となります。

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