株式会社マーケットリサーチセンター

IGBTパワーデバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（IGBTモジュール、IGBTディスクリート、プレスパックIGBT）・分析レポートを発表

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2026年7月11日 14:30

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「IGBTパワーデバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global IGBT Power Device Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、IGBTパワーデバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（IGBTモジュール、IGBTディスクリート、プレスパックIGBT）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のIGBTパワーデバイス市場規模は、2025年の101億1900万米ドルから2032年には180億7700万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）9.1％で成長すると見込まれています。
IGBTパワーデバイス（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は、MOSゲートを備えたバイポーラ伝導型パワー半導体スイッチであり、比較的単純なゲート駆動と強力な電流処理能力により、中～高出力の制御に使用されます。製品において、「IGBTパワーデバイス」は通常、複数の形態を網羅しています。ディスクリートIGBT（多くの場合、TO-247/TO-263クラスのパッケージに逆並列ダイオードと共封装）、マルチチップIGBTパワーモジュール（ハーフブリッジ/シックスパック/スリーレベルビルディングブロック）、および超高出力直列積層コンバータバルブ用のプレスパックIGBTなどです。インフィニオンの600 V/1200 V TRENCHSTOP™シリーズは、トレンチとフィールドストップの概念を組み合わせた代表的なディスクリートIGBT技術ファミリーであり、モーター制御、UPS、HVAC、太陽光発電変換などの主流アプリケーションを明確にターゲットとしています。グリッドクラスの直列接続および冗長性を重視したスタックについては、日立エナジーは、直列接続の容易さと短絡状態での導通能力からプレスパックが好まれると説明しており、StakPak を、マルチデバイス・スタックにおいて均一なチップ圧力を確保するように設計された高出力 IGBT プレスパックであると説明しています。
業界の状況および用途の観点から見ると、IGBTは依然として、世界のパワーエレクトロニクスの成熟した大量生産の基幹製品であり続けています。特に、kW当たりのコスト、堅牢性、そして実証済みのフィールド信頼性がシステムの決定要因となる分野において顕著です。代表的な高使用率のエンドシステムには、可変速モータードライブ、UPS、太陽光インバータ、およびモータードライブ／産業用インバータのパワーステージが含まれ、オンセミのアプリケーションノートでは、UPS、太陽光インバータ、モータードライブにおけるハーフブリッジの使用について具体的に論じています。並行して、「エネルギー転換」によりインバータ搭載機器の導入ベースは拡大し続けています。IEAは、2024年の世界の年間再生可能エネルギー設備容量の増加を666GW（メインケース）と予測しており、その後は増加傾向が続くと見込まれています。これにより、IGBTが依然として広く採用されている系統連系型電力変換ハードウェアへの需要が必然的に高まります。高電圧分野では、主要サプライヤーが鉄道および重工業用インバータ向けのHVIGBTデバイスプラットフォームの刷新を続けています。例えば、三菱電機は、鉄道車両や大型産業機器向けの効率的で信頼性の高いインバータを目的とした、新しい4.5 kV / 1,200 AのHVIGBTモジュールを発表しました。これは、過酷な環境下での長寿命アプリケーションにおいて、IGBTベースのソリューションが依然として中心的な役割を果たしていることを強調するものです。サプライチェーンは概して「シリコン中心」である。上流にはシリコンウェハーおよびフロントエンドのデバイス製造が含まれ、中流にはディスクリートパッケージやモジュールへのバックエンド組立・試験（および信頼性評価）が含まれ、下流にはドライブ／インバータ、再生可能エネルギー機器、トラクションおよびグリッドシステムのOEMメーカーが位置する。
今後の展望として、技術ロードマップは「損失低減＋堅牢性の向上＋高電力密度＋過酷な動作環境下での信頼性」によって形作られており、市場のストーリーは「IGBTが量産セグメントを維持し、SiCが高効率プレミアムセグメントへと成長する」というものです。デバイスレベルのイノベーションは、トレンチ＋フィールドストップアーキテクチャおよびダイオードの共同最適化を中心に継続している（インフィニオンは、静的・動的性能の向上とターンオン損失の低減を図るため、トレンチトップセル＋フィールドストップおよびソフトリカバリーダイオードのコンセプトを強調している）。ディスクリート製品ラインも、動作温度の向上とパラメータ制御の厳密化を追求し続けています。例えば、STは自社のトレンチゲート・フィールドストップ型1200V MシリーズIGBTについて、インバータ性能と効率（短絡機能付き）のバランスが取れていると説明しており、これは現代の産業用グレードのディスクリート製品に典型的な特徴です。需要の牽引要因は依然として堅調である。IEAの報告によると、2024年の世界の電気自動車販売台数は1,700万台を超え、デバイスの構成が変化する中でも、非常に大規模なトラクションインバータ市場が維持されている。競争環境においては、多角化したグローバルなパワー半導体IDMやプラットフォーム規模のメーカーが主導権を握る一方、専門サプライヤーはHVプレスパックなどのニッチ市場を守っている。インフィニオンは自社が「パワー半導体分野で圧倒的なNo.1」であると表明しており、これは規模、製品ポートフォリオの幅広さ、および製造拠点の広がりが競争優位性において果たす役割を如実に示している。
「IGBTパワーデバイス産業予測」では、過去の販売実績を検証し、2025年の世界のIGBTパワーデバイス総販売額を分析するとともに、2026年から2032年までのIGBTパワーデバイス販売予測について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供する。本レポートでは、IGBTパワーデバイスの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のIGBTパワーデバイス業界について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のIGBTパワーデバイス市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、IGBTパワーデバイスのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析することで、加速する世界のIGBTパワーデバイス市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、IGBTパワーデバイスの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界のIGBTパワーデバイス市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、IGBTパワーデバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
IGBTモジュール
IGBTディスクリート
プレスパックIGBT

電圧別セグメンテーション：
高電圧IGBT
中電圧IGBT
低電圧IGBT

用途別セグメンテーション：
自動車
産業用モーター
家電
風力発電／太陽光発電／エネルギー貯蔵／電力網
鉄道
UPS／データセンター／通信
航空・軍事
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
インフィニオン
三菱電機
富士電機
株州中車タイムズ電気
BYDセミコンダクター
セミクロン・ダンフォス
スターパワー
オンセミ
デンソー
杭州シルアン・マイクロエレクトロニクス
ボッシュ
マクミック・サイエンス＆テクノロジー
ユナイテッド・ノヴァ・テクノロジー（UNT）
東芝
日立エナジー
智芯半導体
リトルヒューズ
ミネベア・パワー・セミコンダクター・デバイス
NJSMエレクトロニクス
ヴィシェイ・インターテクノロジー
中国資源微電子有限公司
マイクロチップ（マイクロセミ）
STマイクロエレクトロニクス
ジーパック
アルキメデス・セミコンダクター（合肥）
合肥Cパワー・テクノロジー
グレコン・セミコンダクター（上海）
サンレックス

本レポートで取り上げる主な課題
世界のIGBTパワーデバイス市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、IGBTパワーデバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術は何か？
IGBTパワーデバイス市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
IGBTパワーデバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、市場の紹介、調査対象期間、調査目的、市場調査方法、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、および市場推定における注意点などの、レポートの範囲に関する情報が記載されています。

第2章には、エグゼクティブサマリーとして、IGBTパワーデバイスの世界市場概要が収録されています。これには、2021年から2032年までの世界IGBTパワーデバイス年間販売量予測、2021年、2025年、2032年時点での地域別および国/地域別の現状と将来分析が含まれます。また、IGBTモジュール、IGBTディスクリート、プレスパックIGBTといったタイプ別の市場分析、高電圧IGBT、中電圧IGBT、低電圧IGBTといった電圧別の市場分析、さらに自動車、産業用モーター、家電製品、風力発電/PV/エネルギー貯蔵/電力系統、鉄道輸送、UPS/データセンター/通信、航空および軍事、その他のアプリケーション別の市場分析が提供され、それぞれのタイプ、電圧、アプリケーションごとの世界販売量、収益、販売価格、市場シェア（2021年から2026年まで）の詳細な分析が示されています。

第3章には、企業別のIGBTパワーデバイスに関する詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までの企業別年間販売量と市場シェア、企業別年間収益と市場シェア、企業別販売価格が含まれます。さらに、主要メーカーのIGBTパワーデバイス生産地域の分布、販売地域、提供される製品タイプ、市場集中度分析（競争環境と2024年から2026年までのCR3, CR5, CR10集中度）、新製品と潜在的参入者、市場におけるM&A活動と戦略に関する情報も記載されています。

第4章には、IGBTパワーデバイスの世界市場の地域別歴史的レビューが提供されています。これには、2021年から2026年までの地域別および国/地域別のIGBTパワーデバイス年間販売量と年間収益の市場規模が含まれます。また、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ地域におけるIGBTパワーデバイス販売の成長に関する情報も記載されています。

第5章には、アメリカ地域のIGBTパワーデバイス市場に特化した詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までのアメリカ地域の国別の販売量と収益、タイプ別およびアプリケーション別の販売量データが含まれます。さらに、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルの各国の市場が個別に分析されています。

第6章には、アジア太平洋（APAC）地域のIGBTパワーデバイス市場に特化した詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までのAPAC地域の地域別販売量と収益、タイプ別およびアプリケーション別の販売量データが含まれます。さらに、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾の各市場が個別に分析されています。

第7章には、ヨーロッパ地域のIGBTパワーデバイス市場に特化した詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までのヨーロッパ地域の国別の販売量と収益、タイプ別およびアプリケーション別の販売量データが含まれます。さらに、ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアの各国の市場が個別に分析されています。

第8章には、中東・アフリカ地域のIGBTパワーデバイス市場に特化した詳細な分析が示されています。これには、2021年から2026年までの中東・アフリカ地域の国別の販売量と収益、タイプ別およびアプリケーション別の販売量データが含まれます。さらに、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国の各市場が個別に分析されています。

第9章には、IGBTパワーデバイス市場における主要な推進要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界の主要なトレンドに関する分析が記載されています。

第10章には、IGBTパワーデバイスの製造コスト構造に関する分析が示されています。これには、主要な原材料とそのサプライヤー、IGBTパワーデバイスの製造コスト構造の詳細な分析、製造プロセス分析、およびIGBTパワーデバイスの産業チェーン構造に関する情報が含まれています。

第11章には、マーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が提供されています。これには、直接チャネルと間接チャネルを含む販売チャネル、IGBTパワーデバイスの主要な流通業者、および主要な顧客に関する詳細が記載されています。

第12章には、IGBTパワーデバイスの世界市場の将来予測が提供されています。これには、2027年から2032年までの地域別の市場規模予測（販売量と年間収益）が含まれます。さらに、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ地域の国別予測、ならびにタイプ別およびアプリケーション別の世界市場予測が示されています。

第13章には、主要な市場プレイヤーの詳細な分析が個別に記載されています。インフィニオン、三菱電機、富士電機、株洲中車時代電気、BYDセミコンダクター、セミクロン・ダンフォス、スターパワー、オンセミ、デンソー、杭州士蘭微電子、ボッシュ、MacMic Science & Technology、United Nova Technology (UNT)、東芝、日立エナジー、智芯半導体、リテルヒューズ、ミネベアパワー半導体デバイス、NJSM Electronics、ヴィシェイ・インターテクノロジー、中国華潤微電子、マイクロチップ (マイクロセミ)、STマイクロエレクトロニクス、GeePak、Archimedes Semiconductor (Hefei)、Hefei Cpower Technology、Grecon Semiconductor (Shanghai)、サンレックスといった合計28社の企業について、会社情報、IGBTパワーデバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売量、収益、販売価格、粗利益、主要事業概要、および最新の開発状況が詳細に分析されています。

第14章には、レポート全体の調査結果の要約と結論が記載されており、市場に関する主要な洞察がまとめられています。

■ IGBTパワーデバイスについて

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、電力変換において重要な役割を果たす半導体デバイスです。IGBTは高電圧・高電流の操作が可能で、スイッチング速度も比較的速いことから、電力エレクトロニクスの分野で広く使用されています。具体的には、IGBTはコンバータ、インバータ、モータードライブ、再生可能エネルギーシステムなど、多くのアプリケーションで見られます。

IGBTの基本構造は、絶縁ゲートとバイポーラトランジスタを組み合わせたもので、これにより高いスイッチング特性と電流容量が実現されています。入力側に信号を加えることで、デバイスをオン・オフできるため、電力の制御が容易です。そのため、IGBTは汎用性が高く、様々な電力変換用途に適しています。

IGBTの種類は大きく分けて、標準IGBTと高速IGBT、そして高温用IGBTなどがあります。標準IGBTは一般的な電力変換用に設計されており、コストパフォーマンスに優れています。高速IGBTはより高いスイッチング速度を持っており、高周波数での動作が要求されるアプリケーションに適しています。高温用IGBTは、高温環境下でも安定した性能を発揮するように設計されており、特に産業用や車載用のアプリケーションに適用されています。

IGBTは、特にモータードライブシステムにおいて重要な役割を果たしています。電動車両や産業機械のモーター制御において、IGBTを使用することで、高効率な電力変換が可能となり、エネルギー消費を削減することができます。また、再生可能エネルギーシステム、特に太陽光発電や風力発電においても、IGBTが活用されています。これらのシステムでは、発電した電力を電力網に供給する際に、液晶インバータやDC-DCコンバータとしてIGBTが必要です。

IGBTの特徴として、直流から三相交流への変換をスムーズに行える点が挙げられます。これは、IGBTがシングルスイッチングとトリガ処理を行えるためで、多くの産業用機械や電動車両における効率的な電力変換を実現しています。また、IGBTはスイッチング損失が比較的低く、冷却効率が良いため、長期間の使用においても高い信頼性を持つとされています。

IGBTの関連技術としては、パワーモジュールやサービス技術があります。パワーモジュールは、IGBTを含む複数のデバイスを一つのパッケージで管理するもので、これにより熱管理や接続の効率が向上し、システム全体のコンパクト化が実現されます。また、パワーエレクトロニクスの基礎技術としてのスイッチング技術や制御アルゴリズムも重要な要素であり、これらの技術の進化によってIGBTの性能が向上しています。

近年では、IGBTの材料としてシリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）などの次世代半導体材料が注目されています。これらの材料を用いることで、さらに高い効率と耐熱特性を持つデバイスが開発されつつあります。これにより、電力効率がさらに向上し、環境への負担が軽減されると期待されます。

IGBTは発展し続ける技術であり、今後も様々な分野での活用が進むことでしょう。電力エレクトロニクスやエネルギー管理の領域において、その重要性はますます高まっています。次世代のIGBT技術や新たな用法の開発は、グローバルなエネルギー効率向上や持続可能な社会の実現にも貢献するでしょう。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：IGBTパワーデバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global IGBT Power Device Market 2026-2032

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