株式会社マーケットリサーチセンター

GaN-On-SiCデバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（GaN HEMT、GaN MMIC）・分析レポートを発表

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2026年8月16日 10:00

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「GaN-On-SiCデバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global GaN-On-SiC Devices Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、GaN-On-SiCデバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（GaN HEMT、GaN MMIC）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のGaN-on-SiCデバイス市場規模は、2025年の13億8500万米ドルから2032年には22億4000万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）7.0％で成長すると見込まれています。
GaN-on-SiCデバイスは、一般的に、半絶縁性SiC基板上に構築されたRF/マイクロ波/ミリ波デバイスおよびICを指し、そこではGaN/AlGaNヘテロ構造が（主にMOCVDによって）成長させられ、商用製品に加工されます。実用的な市場範囲としては、ディスクリートRF GaNパワートランジスタ（GaN HEMT、ダイまたはパッケージ品）、GaN MMIC（PA/ドライバ/LNA/スイッチ機能を統合したモノリシックマイクロ波IC）、およびPAやT/Rビルディングブロック内部で使用されるシステム向けチップなどが含まれます。この技術の理論的根拠は、GaNの高い電力密度能力と、SiCの高い熱伝導率および低いRF損失を組み合わせることにあり、そのためGaN-on-SiCは、高電力密度RF性能を実現するための最適なスタックとして長い間位置づけられてきました。
技術的には、GaN-on-SiCはGaN HEMTの2DEGチャネルを活用して、より高い破壊電圧/動作電圧、より高い電流密度、および高周波性能を実現し、高出力時における高効率とダイサイズの小型化につながります。同時に、SiC 基板の熱処理は、電力密度と寿命にとって第一級の制限要因であり、熱設計（Rth/ホットスポット）、トラップに関連する動的挙動、およびパッケージの寄生要素/熱経路が、デバイス、MMIC、モジュールの統合における中心的な差別化要因となっています。製造における主要なトレンドは、プラットフォームとウェーハサイズのスケールアップです。多くのGaN-on-SiCプロセスは従来100mmウェーハで稼働していましたが、主要なエコシステムでは、スケールとコスト効率を向上させるため、150mm（6インチ）へと拡大しています。業界調査では、QorvoやNXPにおける150mmへの移行や、フル稼働の100mmラインと稼働率の低い150mmライン間のコスト負担のトレードオフが明確に議論されており、技術文献では、ウェハのスケールアップ（100mm→150mm）がGaN MMICの単価を削減する直接的な手段として強調されている。
アプリケーション、バリューチェーン、市場動向を横断して見ると、GaN-on-SiCデバイスは主に無線インフラ、衛星通信、航空宇宙・防衛（レーダー、電子戦、AESA送受信モジュール）によって牽引されており、特殊産業用／マイクロ波システムへの浸透も進んでいる。公開資料では、GaN MMIC／HEMT PAおよびLNAがレーダーシステムのコア構成要素であることも示されている。上流チェーンは、半絶縁性SiC基板、エピタキシー（MOCVD）、デバイス／MMIC製造（IDMおよび信頼性の高いフローを含む専門RFファウンドリ）、ならびにRFパッケージングおよびテスト・フィーディング・システムのOEMに及びます。業界側では、ポートフォリオの集中化と統合によりサプライチェーンが再構築されています。例えば、Wolfspeedは2023年にRF事業をMACOMに売却し、SiC半導体専業メーカーとなったと発表しました。主なトレンドと推進要因としては、防衛および衛星通信の成長、より高い電力・直線性を要求する高帯域幅RFアーキテクチャ（5G/6G）、基板プラットフォームのセグメンテーション（コスト重視の大量生産型RANではGaN-on-Siが好まれる一方、超高電力密度・高信頼性のニッチ市場ではGaN-on-SiCが引き続き採用される）、そして、将来の規模拡大とコスト削減を支える新たなオープンR&Dラインに支えられた、150mmから200mmへの上流SiCエコシステムの進展などが挙げられる。
「GaN-on-SiCデバイス産業予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界のGaN-on-SiCデバイス総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までのGaN-on-SiCデバイス売上予測について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供します。本レポートでは、GaN-On-SiCデバイスの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のGaN-On-SiCデバイス産業について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のGaN-On-SiCデバイス市場の包括的な分析を提供し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、GaN-On-SiCデバイスのポートフォリオと技術力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析し、加速する世界のGaN-On-SiCデバイス市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、GaN-On-SiCデバイスの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界のGaN-On-SiCデバイスの現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、GaN-on-SiCデバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
GaN HEMT
GaN MMIC

ウェーハサイズ別セグメンテーション：
6インチGaN-on-SiCデバイス
4インチGaN-on-SiCデバイス

用途別セグメンテーション：
通信インフラ
軍事・防衛
衛星通信
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
住友電気デバイス・イノベーションズ（SEDI）
MACOM
Qorvo
NXP
RFHIC Corporation
レイセオン
Dynax Semiconductor
三菱電機
CETC 55
ノースロップ・グラマン
Ampleon
UMS RF
CETC 13
ReliaSat (Arralis)
WAVICE Inc
Microchip Technology
Youjia Technology (Suzhou) Co., Ltd
Shenzhen Taigao Technology
Hebei Sinopack Electronic Technology

本レポートで取り上げる主な質問
世界のGaN-On-SiCデバイス市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、GaN-On-SiCデバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
GaN-On-SiCデバイスの市場機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
GaN-On-SiCデバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章には、市場の紹介、レポートで考慮された年数、調査の目的、市場調査の方法論、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮された通貨、および市場推定に関する注意点など、レポートの範囲に関する基本的な情報が記載されています。

第2章には、エグゼクティブサマリーとして、世界市場の概要が収録されています。具体的には、グローバルGaN-On-SiCデバイスの2021年から2032年までの年間販売推移、2021年、2025年、2032年における地理的地域別および国/地域別の世界市場の現状と将来分析が示されています。また、GaN HEMTとGaN MMICsに分けられたタイプ別のGaN-On-SiCデバイスセグメントについては、2021年から2026年までの販売市場シェア、収益と市場シェア、販売価格が詳細に分析されています。さらに、6インチと4インチに分けられたウェーハサイズ別のGaN-On-SiCデバイスセグメントについても、同時期の販売市場シェア、収益と市場シェア、販売価格が提供されています。テレコムインフラ、軍事・防衛、衛星通信、その他に分けられたアプリケーション別のGaN-On-SiCデバイスセグメントに関しても、2021年から2026年までの販売市場シェア、収益と市場シェア、販売価格の分析が含まれています。

第3章には、企業別のグローバルGaN-On-SiCデバイス市場に関する詳細な分析が示されています。具体的には、2021年から2026年までの企業別年間販売データと販売市場シェア、企業別年間収益データと収益市場シェアが掲載されています。また、企業別のグローバルGaN-On-SiCデバイスの販売価格、主要メーカーのGaN-On-SiCデバイスの生産地域分布、販売地域、製品タイプ（生産拠点分布と提供される製品）も網羅されています。市場集中度分析では、競争状況分析、CR3、CR5、CR10といった集中度、および2024年から2026年までのデータが提供され、新製品と潜在的な新規参入者、市場のM&A活動と戦略についても触れられています。

第4章には、GaN-On-SiCデバイスの世界市場の過去のレビューが地理的地域別にまとめられています。2021年から2026年までの地域別の市場規模（年間販売と年間収益）と、国/地域別の市場規模（年間販売と年間収益）が示されています。さらに、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ各地域のGaN-On-SiCデバイス販売成長率も詳細に記載されています。

第5章には、アメリカ地域のGaN-On-SiCデバイス市場に関する詳細な情報が提供されています。2021年から2026年までの国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売データが示されています。具体的には、米国、カナダ、メキシコ、ブラジルの各国の市場状況が個別に分析されています。

第6章には、APAC地域のGaN-On-SiCデバイス市場に関する詳細な情報が提供されています。2021年から2026年までの地域別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売データが示されています。具体的には、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾の各地域・国の市場状況が個別に分析されています。

第7章には、ヨーロッパ地域のGaN-On-SiCデバイス市場に関する詳細な情報が提供されています。2021年から2026年までの国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売データが示されています。具体的には、ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアの各国の市場状況が個別に分析されています。

第8章には、中東・アフリカ地域のGaN-On-SiCデバイス市場に関する詳細な情報が提供されています。2021年から2026年までの国別の販売と収益、タイプ別の販売、アプリケーション別の販売データが示されています。具体的には、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国の各国の市場状況が個別に分析されています。

第9章には、GaN-On-SiCデバイス市場の主要な動向が分析されています。具体的には、市場の推進要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界全体のトレンドが詳細に解説されています。

第10章には、GaN-On-SiCデバイスの製造コスト構造に関する分析が収録されています。原材料とそのサプライヤー、GaN-On-SiCデバイスの製造コスト構造の詳細な分析、製造プロセス分析、およびGaN-On-SiCデバイスの産業チェーン構造に関する情報が提供されています。

第11章には、GaN-On-SiCデバイスのマーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が記載されています。具体的には、直接チャネルと間接チャネルを含む販売チャネル、GaN-On-SiCデバイスの主要な流通業者、およびGaN-On-SiCデバイスの顧客層について言及されています。

第12章には、GaN-On-SiCデバイスの世界市場の将来予測が地理的地域別にまとめられています。2027年から2032年までの地域別市場規模予測（販売と年間収益）、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ各地域の国別予測が示されています。さらに、タイプ別およびアプリケーション別のグローバルGaN-On-SiCデバイスの予測も提供されています。

第13章には、主要なGaN-On-SiCデバイスメーカーの詳細な企業分析が記載されています。Sumitomo Electric Device Innovations (SEDI)、MACOM、Qorvo、NXP、RFHIC Corporation、Raytheon、Dynax Semiconductor、Mitsubishi Electric、CETC 55、Northrop Grumman、Ampleon、UMS RF、CETC 13、ReliaSat (Arralis)、WAVICE Inc、Microchip Technology、Youjia Technology (Suzhou) Co., Ltd、Shenzhen Taigao Technology、Hebei Sinopack Electronic Technologyといった各企業について、企業情報、GaN-On-SiCデバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売、収益、価格、粗利、主要事業概要、および最新の開発状況が詳細にプロファイリングされています。

第14章には、このレポートで実施されたすべての調査から得られた主要な調査結果と結論がまとめられています。

■ GaN-On-SiCデバイスについて

GaN-On-SiCデバイスとは、窒化ガリウム（GaN）を炭化ケイ素（SiC）基板上に成長させた半導体デバイスのことです。GaNは広いバンドギャップを持つ化合物半導体であり、高温、高電圧、高周波数での動作が可能です。一方、SiCは高い熱伝導性と高耐圧特性を持ち、効果的な熱管理が求められるデバイスに適しています。このため、GaN-On-SiCデバイスは、パワーエレクトロニクスやRF通信の分野で非常に注目されています。

GaN-On-SiCデバイスにはいくつかの種類があります。まず、パワー半導体としての利用が挙げられます。これには、電力変換器や高効率なスイッチングデバイスが含まれます。GaN-On-SiC技術を用いることで、従来のシリコンベースのトランジスタに比べて、小型化が可能であり、エネルギー効率も向上します。また、高いスイッチング速度と低いスイッチング損失を実現します。

次に、RFデバイスへの応用があります。特に、パワーアンプやミリ波通信において、GaN-On-SiCデバイスは非常に高い出力を提供し、長距離通信や高速データ転送を実現します。このため、無線通信や衛星通信、米軍のレーダーシステムなどの用途で需要が高まっています。

さらに、GaN-On-SiCデバイスは、LED（発光ダイオード）技術にも関連しています。GaNは青色LEDの材料として知られており、SiC基板上での成長により、発光効率が向上します。この技術は、照明やディスプレイ技術においても重要な役割を果たしています。

GaN-On-SiCデバイスに関連する技術には、エピタキシー技術や薄膜技術が含まれます。エピタキシーは、原子レベルでの薄膜成長を実現する技術であり、高品質なGaN層をSiC基板上に形成するために不可欠です。このプロセスには、金属有機化学蒸着（MOCVD）や分子線エピタキシー（MBE）などの手法が利用されます。

また、GaN-On-SiCデバイスは、熱管理技術が重要です。高い電力密度が要求されることで、デバイスの発熱が問題となります。そのため、高効率な冷却システムの採用が必要になります。熱対策として、高熱伝導性の材料や設計が盛り込まれ、デバイスの性能を最大限に引き出す努力がされています。

最後に、GaN-On-SiCデバイスの市場動向についても触れておきます。最近では、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムなど、環境に優しい技術の普及にともない、GaN-On-SiCデバイスの需要が急激に拡大しています。これにより、より効率的な電力変換や消費電力の削減が求められており、今後の市場成長が期待されています。

以上のように、GaN-On-SiCデバイスは電力変換や無線通信など多岐にわたる用途で活用される先進的な半導体デバイスです。その特性を最大限に引き出すために、エピタキシー技術や熱管理などの関連技術の進展が重要です。今後も更なる研究開発が進められ、さまざまな分野への応用が期待されています。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：GaN-On-SiCデバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global GaN-On-SiC Devices Market 2026-2032

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