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GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（GaNパワートランジスタ、GaN集積パワーステージ）・分析レポートを発表

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2026年7月14日 13:30

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global GaN-on-Si Power Devices Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（GaNパワートランジスタ、GaN集積パワーステージ）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のGaN-on-Siパワーデバイス市場規模は、2025年の5億5,900万米ドルから2032年には28億2,900万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）26.6%で成長すると見込まれています。
GaN-on-Si（シリコン基板上の窒化ガリウム）パワーデバイスは、窒化ガリウム（GaN）の高性能特性と、シリコン基板のコスト効率の高い製造インフラを組み合わせた半導体部品の一種です。
市場規模の面では、現在、GaNパワーデバイスはSiCパワーデバイスの約10分の1である。SiCパワーデバイス市場は、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード、ローム、オンセミコンダクター、BYDセミコンダクターが主導していた。
近年、GaNパワーデバイスは急速に成長しており、多数の企業が徐々にこの業界に参入しています。GaNパワーデバイス市場は、Innoscience、インフィニオン（GaN Systems）、Power Integrations, Inc.、Navitas Semiconductor、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）が主導しており、その中でもInnoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーです。
近年、GaNパワーデバイスは急速に成長しており、多くの企業が徐々にこの業界に参入しています。現在、GaNパワーデバイスは主に、携帯電話の急速充電やアダプターなどの民生用電子機器に使用されています。自動車分野では、GaNパワーデバイスの参入ポイントは車載充電器（OBC）です。現在、GaNパワーデバイス市場は、Innoscience、インフィニオン（GaN Systems）、Power Integrations, Inc.、Navitas Semiconductor、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）が主導しており、その中でもInnoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーである。
「GaN-on-Siパワーデバイス産業予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界のGaN-on-Siパワーデバイス総売上高を分析するとともに、2026年から2032年までの予測売上高について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、GaN-on-Siパワーデバイスの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のGaN-on-Siパワーデバイス業界について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のGaN-on-Siパワーデバイス市場の包括的な分析を提供するとともに、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、GaN-on-Siパワーデバイスのポートフォリオと技術力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、世界的なGaN-on-Siパワーデバイス市場の急速な拡大の中で、主要グローバル企業の独自の立場をより深く理解できるよう、各社の戦略を分析しています。
本インサイトレポートは、GaN-on-Siパワーデバイスの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興のビジネスチャンスを浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界のGaN-on-Siパワーデバイスの現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、GaN-on-Siパワーデバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。

タイプ別セグメンテーション：
GaNパワートランジスタ
GaN統合パワーステージ

用途別セグメンテーション：
民生用電子機器
産業用
通信・データ通信
自動車用電子機器
防衛・航空宇宙
再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
Innoscience
インフィニオン（GaN Systems）
Navitas（GeneSiC）
Efficient Power Conversion Corporation（EPC）
Power Integrations, Inc.
ルネサスエレクトロニクス（Transphorm）
STマイクロエレクトロニクス
ローム
テキサス・インスツルメンツ
Nexperia
中国資源微電子有限公司
南京新幹線科技
onsemi
杭州シルアン・マイクロエレクトロニクス
アルファ・アンド・オメガ・セミコンダクター・リミテッド（AOS）
潤新微電子
GaNext
成都丹西科技
GaNPower
CloudSemi

本レポートで取り上げる主な質問
世界のGaN-on-Siパワーデバイス市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、GaN-on-Siパワーデバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
GaN-on-Siパワーデバイスの市場機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
GaN-on-Siパワーデバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章「レポートの範囲」には、市場の概要（Market Introduction）、対象期間（Years Considered）、調査目的（Research Objectives）、市場調査方法（Market Research Methodology）、調査プロセスおよびデータソース（Research Process and Data Source）、経済指標（Economic Indicators）、考慮された通貨（Currency Considered）、市場推定に関する注意点（Market Estimation Caveats）などの情報が記載されています。

第2章「エグゼクティブサマリー」には、世界のGaN-on-Siパワーデバイス市場の概要が収録されています。具体的には、2021年から2032年までのグローバルGaN-on-Siパワーデバイス年間販売予測、2021年、2025年、2032年時点での地域別、国/地域別の世界GaN-on-Siパワーデバイスの現状と将来分析が含まれています。また、GaN-on-Siパワーデバイスをタイプ別（GaNパワー・トランジスタ、GaN集積型パワー・ステージ）に分類し、タイプ別の世界販売量、収益、市場シェア、および販売価格（2021年～2026年）の詳細な分析が示されています。さらに、アプリケーション別（民生用電子機器、産業用、通信・データセンター、車載電子機器、防衛・航空宇宙、再生可能エネルギー・エネルギー貯蔵、その他）のGaN-on-Siパワーデバイス販売市場シェア、収益、および販売価格（2021年～2026年）の概要も提供されています。

第3章「企業別グローバル」には、企業ごとのGaN-on-Siパワーデバイスに関する詳細な分析が示されています。グローバルでの企業別年間販売量、販売市場シェア、年間収益、収益市場シェア、および販売価格（いずれも2021年～2026年）が記載されています。主要メーカーのGaN-on-Siパワーデバイスの生産地域分布、販売地域、および製品タイプに関する情報も含まれています。市場集中度分析では、競合状況の分析に加え、上位3社（CR3）、上位5社（CR5）、上位10社（CR10）の集中率（2024年～2026年）が分析されています。新製品情報、潜在的な新規参入企業、市場におけるM&A活動および戦略についても言及されています。

第4章「地域別GaN-on-Siパワーデバイス世界過去レビュー」には、地域別のGaN-on-Siパワーデバイス市場の過去の推移が詳細に記録されています。2021年から2026年までの地域別および国/地域別の年間販売量と年間収益に基づいた世界市場規模の歴史的なデータが提供されています。アメリカ、APAC（アジア太平洋）、ヨーロッパ、中東・アフリカにおけるGaN-on-Siパワーデバイスの販売成長率も示されています。

第5章「アメリカ」には、アメリカ地域のGaN-on-Siパワーデバイス市場に関する詳細な分析が収録されています。2021年から2026年までの国別（アメリカ、カナダ、メキシコ、ブラジル）の販売量と収益、および同期間におけるタイプ別とアプリケーション別の販売データが含まれています。

第6章「APAC」には、アジア太平洋地域のGaN-on-Siパワーデバイス市場に関する詳細な分析が収録されています。2021年から2026年までの地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾）の販売量と収益、および同期間におけるタイプ別とアプリケーション別の販売データが含まれています。

第7章「ヨーロッパ」には、ヨーロッパ地域のGaN-on-Siパワーデバイス市場に関する詳細な分析が収録されています。2021年から2026年までの国別（ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシア）の販売量と収益、および同期間におけるタイプ別とアプリケーション別の販売データが含まれています。

第8章「中東・アフリカ」には、中東およびアフリカ地域のGaN-on-Siパワーデバイス市場に関する詳細な分析が収録されています。2021年から2026年までの国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国）の販売量と収益、および同期間におけるタイプ別とアプリケーション別の販売データが含まれています。

第9章「市場の推進要因、課題、トレンド」には、市場を牽引する要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界の主要なトレンドに関する分析が記載されています。

第10章「製造コスト構造分析」には、原材料およびサプライヤーに関する情報、GaN-on-Siパワーデバイスの製造コスト構造分析、製造プロセス分析、およびGaN-on-Siパワーデバイスの産業チェーン構造が詳細に説明されています。

第11章「マーケティング、販売業者および顧客」には、販売チャネル（直接チャネル、間接チャネル）に関する情報、GaN-on-Siパワーデバイスの販売業者一覧、およびGaN-on-Siパワーデバイスの主要顧客に関する情報が記載されています。

第12章「地域別GaN-on-Siパワーデバイス世界予測レビュー」には、GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場に関する将来予測が収録されています。2027年から2032年までの地域別（アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカ）の市場規模予測（販売量と年間収益）が含まれています。また、同期間におけるグローバルなタイプ別およびアプリケーション別のGaN-on-Siパワーデバイスの予測も示されています。

第13章「主要プレーヤー分析」には、Innoscience、Infineon (GaN Systems)、Navitas (GeneSiC)、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)など、GaN-on-Siパワーデバイス市場における主要なプレーヤー各社の詳細なプロファイルが提供されています。各企業について、企業情報、GaN-on-Siパワーデバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売量、収益、価格、粗利益、主要事業の概要、および最新の動向が記載されています。

第14章「調査結果と結論」には、レポート全体の調査結果の要約と最終的な結論が記載されています。

■ GaN-on-Siパワーデバイスについて

GaN-on-Siパワーデバイスは、高い効率と優れた熱特性を持つ半導体デバイスです。これらは、窒化ガリウム（GaN）をシリコン（Si）基板上に成長させたもので、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、高出力密度、低スイッチング損失、コンパクトな設計が可能になります。これにより、主にパワーエレクトロニクスの分野で広く利用されています。

GaN-on-Siパワーデバイスには、いくつかの種類があります。最も一般的なものは、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）です。HEMTは、高速スイッチングが可能で、電力変換や増幅に優れた性能を発揮します。また、GaN DモードトランジスタとEモードトランジスタもあり、Dモードは常にオン状態で動作し、Eモードはオフ状態からスタートする設計となっています。さらに、GaN-on-Siデバイスは、ブレークダウン電圧やスイッチング速度の向上によって、より高性能な電源変換システムや無線通信システムの実現を支援します。

GaN-on-Siパワーデバイスの用途は多岐にわたります。主な用途としては、商業用電源供給、EV（電気自動車）用の充電器、太陽光発電インバータ、無線通信機器、家庭用電化製品などが挙げられます。特に、トランジスタの高効率性は電力損失を大幅に削減するため、これらのシステムにおいては、エネルギー効率の向上と冷却コストの削減につながります。

GaN-on-Siデバイスの関連技術も多数存在します。例えば、材料技術においては、GaNの品質がデバイスの性能に大きく影響します。高品質なGaN結晶を育成する技術や、異常伝導の軽減を実現する材料処理技術などが研究されています。さらに、デバイス設計に関しても、先進的なシミュレーション技術やモデリング手法が導入されており、最適化されたデバイス構造を実現することで性能向上が図られています。

製造プロセスにおいては、GaN-on-Siのエピタキシー技術が重要です。異なる材料特性や熱膨張係数を持つGaNとSiとの組み合わせにおいて、基板の歪みを最小限に抑える技術が求められています。レーザーエッチングやCMP（化学的機械的平坦化）といった先進的な製造技術が、デバイスの均一性や信頼性を向上させるために使用されています。

また、GaN-on-Siデバイスは、最近では無線通信の分野でも注目されています。特に5G通信や次世代の無線基地局において、高出力と高周波数の要求に応えるためには、GaN-on-Siの特性が活かされています。高い周波数帯域を持つことから、高速データ伝送が可能となり、通信品質が向上します。

今後の展望としては、GaN-on-Siのさらなる低コスト化や性能向上が期待されています。製造プロセスの改善や新しい材料の導入によって、より高効率かつ高出力のデバイスが開発されるでしょう。すでに、GaN-on-Siデバイスは多くの分野で普及しており、エネルギー効率が求められる現代社会において、重要な技術であり続けることが予想されます。

このように、GaN-on-Siパワーデバイスは、高性能な電力変換機器としての役割を果たしています。今後も技術の進化に伴い、新たな応用や製品開発が進むことが期待され、その市場は拡大していくでしょう。特にエネルギーの効率性が重要視される中で、GaN-on-Siデバイスはますますその存在感を増していくと考えられます。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：GaN-on-Siパワーデバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global GaN-on-Si Power Devices Market 2026-2032

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