プレスリリース
28nmウェハーファウンドリの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（8インチウェーハ、12インチウェーハ）・分析レポートを発表
株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「28nmウェハーファウンドリの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global 28nm Wafer Foundry Market 2026-2032」調査資料を発表しました。資料には、28nmウェハーファウンドリの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（8インチウェーハ、12インチウェーハ）、関連企業の情報などが盛り込まれています。
■ 主な掲載内容
世界の28nmウェハファウンドリ市場規模は、2025年の114億1000万米ドルから2032年には312億3000万米ドルに成長すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）15.8%で成長すると見込まれています。
28nmウェハファウンドリは半導体産業において重要な分野です。28nmプロセス技術は、成熟プロセスと先端プロセスの境界線となるものです。より高度な14nmや7nmプロセスと比較して、28nmプロセスはコストが低く抑えられます。同時に、40nmなどの旧プロセスよりも性能が優れており、消費電力、速度、ゲート密度が向上しています。現在、28nmウェハファウンドリ市場は主にTSMC、Samsung、GlobalFoundries、SMIC、UMCに集中しており、市場は比較的寡占状態にあります。
この最新調査レポート「28nmウェハファウンドリ業界予測」は、過去の売上高を分析し、2025年の世界全体の28nmウェハファウンドリ売上高を概観するとともに、2026年から2032年までの予測売上高を地域別および市場セクター別に包括的に分析しています。地域別、市場セクター別、サブセクター別に28nmウェハファウンドリ売上高を細分化したこのレポートは、世界の28nmウェハファウンドリ業界を百万米ドル単位で詳細に分析しています。
このインサイトレポートは、世界の28nmウェハファウンドリ市場の状況を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業設立、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動など、主要なトレンドを明らかにしています。本レポートでは、28nmウェハファウンドリのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場における地位、地理的展開に焦点を当て、世界有数の企業の戦略を分析し、急成長する世界の28nmウェハファウンドリ市場における各社の独自の立ち位置をより深く理解することを目的としています。
本インサイトレポートは、28nmウェハファウンドリの世界的な展望を形成する主要な市場動向、推進要因、影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新たなビジネスチャンスを明らかにします。数百ものボトムアップ型の定性的・定量的市場インプットに基づく透明性の高い手法により、本調査予測は、世界の28nmウェハファウンドリ市場の現状と将来の軌跡について、非常に詳細な見解を提供します。
本レポートは、製品タイプ別、用途別、主要メーカー別、主要地域・国別に、28nmウェハファウンドリ市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示します。
タイプ別セグメンテーション：
8インチウェハ
12インチウェハ
用途別セグメンテーション：
スマートフォン
コンピュータ
IoT
車載エレクトロニクス
産業制御
その他
本レポートでは、市場を地域別にも分類しています。
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国
以下の企業は、主要な専門家から収集した情報に基づき、企業の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
TSMC
サムスン
GlobalFoundries
SMIC
UMC
上海華虹
PSMC
本レポートで取り上げる主な質問
世界の28nmウェハファウンドリ市場の10年間の見通しは？
世界および地域別に、28nmウェハファウンドリ市場の成長を牽引する要因は？
市場別・地域別に見ると、どの技術が最も急速な成長が見込まれるのか？
28nmウェハファウンドリ市場の機会は、最終市場規模によってどのように異なるのか？
28nmウェハファウンドリは、タイプ別、用途別にどのように分類されるのか？
■ 各チャプターの構成
第１章には、市場導入、調査対象期間、調査目的、市場調査方法、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、市場推定の注意点といった、レポートの範囲に関する情報が記載されている。
第２章には、世界市場の概要、タイプ別（8インチウェーハ、12インチウェーハ）、およびアプリケーション別（スマートフォン、コンピューター、IoT、自動車用電子機器、産業用制御など）の28nmウェーハファウンドリー市場セグメントに関する要約情報が収録されている。世界市場の売上、地域別・国別の分析、タイプ別・アプリケーション別の売上、収益、価格、市場シェアなどが含まれる。
第３章には、主要企業ごとの28nmウェーハファウンドリーの売上データ、収益、販売価格、市場シェア、主要メーカーの生産・販売地域、製品タイプ、市場集中度分析、新規参入企業、M&A活動および戦略に関する情報が記載されている。
第４章には、2021年から2026年までの世界市場の歴史的レビューが収録されており、地域別および国別の売上と収益、アメリカ大陸、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカにおける売上成長率に関する情報が含まれる。
第５章には、アメリカ大陸における28nmウェーハファウンドリー市場の詳細な分析が提供されており、国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルなど）、タイプ別、アプリケーション別の売上と収益に関する情報が記載されている。
第６章には、アジア太平洋地域（APAC）における28nmウェーハファウンドリー市場の詳細な分析が提供されており、地域別および国別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾など）、タイプ別、アプリケーション別の売上と収益に関する情報が記載されている。
第７章には、ヨーロッパにおける28nmウェーハファウンドリー市場の詳細な分析が提供されており、国別（ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアなど）、タイプ別、アプリケーション別の売上と収益に関する情報が記載されている。
第８章には、中東およびアフリカにおける28nmウェーハファウンドリー市場の詳細な分析が提供されており、国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国など）、タイプ別、アプリケーション別の売上と収益に関する情報が記載されている。
第９章には、市場の推進要因、成長機会、課題、リスク、および業界のトレンドに関する情報が記載されている。
第１０章には、製造コスト構造に関する分析が提供されており、原材料とサプライヤー、28nmウェーハファウンドリーの製造コスト構造、製造プロセス、および業界チェーン構造に関する情報が記載されている。
第１１章には、マーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が提供されており、販売チャネル（直接、間接）、28nmウェーハファウンドリーの流通業者、および顧客に関する情報が記載されている。
第１２章には、2027年から2032年までの世界市場の予測レビューが収録されており、地域別、国別、タイプ別、アプリケーション別の売上と収益の予測に関する情報が含まれる。
第１３章には、主要な市場プレーヤーに関する詳細な分析が提供されており、TSMC、Samsung、GlobalFoundries、SMIC、UMC、Shanghai Huahong、PSMCといった各企業の会社情報、製品ポートフォリオ、売上、収益、価格、粗利益、事業概要、最新の動向に関する情報が記載されている。
第１４章には、調査結果と結論が記載されている。
■ 28nmウェハーファウンドリについて
28nmウェハーファウンドリは、半導体製造において非常に重要なプロセス技術の一つです。この技術は、28ナノメートル（nm）のトランジスタを使用した集積回路を製造する能力を持つファウンドリを指します。製造技術の進化とともに、トランジスタの微細化は進んできましたが、28nmは現在でも多くの用途において重要なノードとして位置づけられています。
28nmの技術は、特にパワー効率と性能のバランスが重要視される場面で採用されます。具体的には、スマートフォンやタブレットなどのモバイルデバイス、自動車の電子機器、IoTデバイス、高性能コンピュータやサーバーなど、多岐にわたるアプリケーションで使用されています。これらのデバイスは、コンパクトな設計要求と高い処理能力を必要としているため、28nm技術はそのニーズに適しているといえるでしょう。
28nmプロセス技術には、さまざまな種類のトランジスタ技術が含まれています。例えば、フィンFET（FinFET）と呼ばれる三次元的なトランジスタ構造が挙げられます。フィンFETは、従来の平面トランジスタと比べてより高い集積度を持ち、省電力性能を向上させることが可能です。また、高性能なデジタル回路やアナログ回路の設計においても、28nm技術は重要な役割を果たしています。
関連技術としては、リソグラフィ技術やエッチング技術、そして成膜技術が挙げられます。リソグラフィ技術は、トランジスタの微細化において最も重要な工程であり、光や電子ビームを用いてシリコンウェハー上にパターンを形成します。エッチング技術は、不要な材料を取り除くプロセスを担い、成膜技術は、薄膜を形成してトランジスタの動作に必要な層を作る役割を果たします。これらの技術の進化も、28nmプロセスの性能向上に寄与しています。
28nmウェハーファウンドリは、複数のファウンドリ企業により提供されています。これにより、多くの企業が自社の設計を28nmプロセスで製造することが可能になっています。著名なファウンドリ企業には、TSMC（台湾セミコンダクター製造会社）、Samsung Electronics、GlobalFoundriesなどがあります。これらの企業はそれぞれ独自の製造技術やチューニングを施したプロセスを提供し、クライアントのニーズに応えています。
また、28nm技術は、コスト効率や生産性の面でも優れています。製造設備の投資が整ったファウンドリでは、生産量が増加することにより、1チップあたりのコストが低減することが期待されます。そのため、このノードは量産に適した技術として重視され、より多くの消費者向け製品やエンタープライズ向け製品に使用されています。
しかし、28nmノードにおいても挑戦があります。特に、さらなる微細化が進む中での熱管理や電力消費、信号の遅延など、技術的な課題に対処する必要があります。また、新たな材料の導入や設計手法の革新が求められる場面も増えてきています。こうした技術革新は、今後の半導体産業の発展に大きな影響を与えることでしょう。
総じて、28nmウェハーファウンドリは、高い性能とコスト効率を兼ね備えた製造プロセスとして、現在の半導体業界において欠かせない技術となっています。今後も、この技術は進化し続け、さまざまな応用分野での利用が期待されています。
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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：28nmウェハーファウンドリの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global 28nm Wafer Foundry Market 2026-2032
■株式会社マーケットリサーチセンターについて
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