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    プレスリリース
    2026年6月20日 13:30
    株式会社マーケットリサーチセンター

    極端紫外線リソグラフィの日本市場（～2031年）、市場規模（光源、光学系、マスク）・分析レポートを発表

    株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「極端紫外線リソグラフィの日本市場（～2031年）、英文タイトル：Japan Extreme Ultraviolet Lithography Market 2031」調査資料を発表しました。資料には、極端紫外線リソグラフィの日本市場規模、動向、セグメント別予測（光源、光学系、マスク）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

    ■主な掲載内容

    日本の極端紫外線（EUV）リソグラフィー市場は、数十年にわたる技術的専門知識、産業的精度、そしてイノベーション主導の製造文化を反映し、同国の先進的な半導体分野における野心の礎となっています。日本において、この市場は単なる半導体産業の一分野にとどまらず、科学研究、高精度エンジニアリング、産業生産を統合した戦略的優先事項です。現代の半導体製造におけるEUVの重要性は、前例のない集積密度、性能向上、およびエネルギー効率を備えたチップを製造できる能力に由来しています。 この能力は、人工知能、機械学習、ハイパフォーマンスコンピューティング、大規模データ分析など、卓越した演算能力を必要とするアプリケーションにとって極めて重要です。日本のメーカーは、深紫外リソグラフィーを含む従来のフォトリソグラフィー手法が物理的な限界に達しつつあることを認識し、こうした先進プロセスへの事業展開を加速させています。EUVは、これらの従来技術からの大きな進化を象徴するものであり、より高い解像度、必要なプロセスステップの削減、そして回路の忠実度に対する優れた制御を提供します。 日本では、研究機関や産業界のコンソーシアムが連携を強化し、AIをチップ設計に統合することで、レイアウトの最適化、欠陥の低減、および運用効率の向上を図っています。同時に、電気自動車や自動運転技術を含む自動車用電子機器の成長に伴い、複雑なリアルタイム処理に対応できるチップへの需要が高まっています。 これらのシステムには、極めて高い信頼性、低遅延、そして堅牢なエネルギー効率を備えた半導体部品が求められており、EUVで製造されたチップは日本の自動車サプライチェーンにおいて不可欠な要素となっている。自動車やAIの用途に加え、ロボット工学、スマートヘルスケア機器、産業用センサー、民生用電子機器といった新興の半導体市場もEUVの重要性をさらに拡大させており、国内メーカーが先進的で高性能なソリューションを提供する機会を生み出している。

    調査レポート『Japan Extreme Ultraviolet Lithography Market 2031』によると、日本のEUVリソグラフィー市場は 2031年までに7億3,194万米ドルを超えると予測されている 。

    このプロセスには極めて高い精度が求められており、わずかなずれでもチップの性能を損なう欠陥につながる可能性がある。 日本のエンジニアたちは、光学、材料科学、産業オートメーションにおける日本の強みを活かし、光の生成からマスクアライメント、ウェハ露光に至るまで、EUVプロセスの各工程を洗練させてきた。深紫外（DUV）や従来の露光技術と比較して、EUVリソグラフィーはパターニング工程の数を削減し、微細構造密度を高め、より微細な回路形状を実現する。 人工知能プロセッサ、自動運転車の制御ユニット、高性能コンピューティングサーバー、次世代通信機器向けの最先端チップの生産を目指す日本にとって、この性能の飛躍は極めて重要です。高開口数EUVシステムなどの進歩は、実現可能な限界をさらに押し広げ、より微細な微細構造とより高いチップ性能を可能にしています。 日本の半導体メーカーは、世界中の研究機関、大学、装置メーカーと緊密な連携を維持しており、イノベーションを推進し、欠陥を減らし、製造全体の信頼性を向上させる継続的なフィードバックループを形成しています。EUVチップの設計やプロセス監視に人工知能（AI）を統合することで、エラーの予測分析、スループットの最適化、歩留まり管理の改善が可能となり、生産の効率化とコスト削減が実現します。 電気自動車や自動運転車を含む自動車用電子機器への注力により、高性能かつ高信頼性のチップに対する需要は着実に拡大しています。自動車分野以外にも、ロボット工学、産業用オートメーション、スマート医療機器、没入型コンシューマーエレクトロニクスといった新興アプリケーションが、EUV導入のさらなる推進力となっています。

    日本における極端紫外線（EUV）リソグラフィー市場は、光源、光学系、マスク、および高度なマイクロチップの製造を総体的に可能にするその他の重要部品といった製品セグメントの複雑な相互作用によって牽引されています。その中でも、光学系が市場をリードしています。これは、日本のメーカーが、極端紫外線を極めて高い精度で導き、集光できる高精度の反射型多層ミラーやレンズアセンブリの製造において、長年にわたり卓越した技術力を発揮してきたためです。 これらの光学システムはEUVリソグラフィの性能の中核を成し、比類のない解像度と忠実度で回路が露光されることを保証する。光源は露光に必要な高エネルギーの光を発生させることでEUVプロセスの基盤を形成しており、日本企業は安定した高出力のEUV照明の製造において著しい進歩を遂げている。技術的重要性と普及度では光学系が優勢である一方、光源の品質は解像度、スループット、および欠陥管理に直接影響を与える。 複雑な回路設計を記録したマスクもまた不可欠な要素であり、日本は高い歩留まりと運用効率を保証するため、これらのマスクの精密製造、欠陥検査、およびメンテナンスに重点を置いている。「その他」のカテゴリーには、フォトレジスト、計測ツール、ウェーハハンドリングシステム、その他の支援部品が含まれ、光学系や光源ほど目立たないものの、リソグラフィプロセスの信頼性と効率性を確保している。 これら製品群は相乗効果を生み出すエコシステムを形成しており、光学系が導入を牽引し、光源が重要な機能を提供し、マスクが設計の完全性を維持し、付帯部品がプロセス全体の安定性を高めている。

    エンドユーザーの観点から見ると、日本のEUV市場は、ICメーカーとファウンドリの相互補完的な役割によって形成されており、各セグメントが半導体エコシステムに異なる形で貢献している。 ファウンドリは、大量生産型半導体製造における日本の強固な地位を反映し、国内における主要なエンドユーザーセグメントとなっている。これらのファウンドリは、EUVリソグラフィをウェハー製造プロセスに統合し、自動車用電子機器、産業用オートメーション、高性能コンピューティング向けの大型チップを生産している。生産効率の管理、歩留まりの安定性、サプライチェーンの調整能力を兼ね備えているため、EUV導入の中核を担い、日本の半導体製造能力の基盤を形成している。 一方、集積デバイスメーカー（IDM）は、規模こそ小さいものの、イノベーションと技術進歩において極めて重要な役割を果たしている。チップ設計から製造、商品化までの全工程を自社で管理することで、IDMは最先端のプロセスノードでの実験、設計の最適化、そして人工知能システム、自動運転車、高度な通信技術向けの専用チップの開発が可能となる。 IDMが研究開発と製品の差別化を牽引する一方で、ファウンドリは利用実績、規模、および事業面での影響力において主導的な立場にあり、先進的なEUV技術に支えられた大量生産への日本の注力を浮き彫りにしている。これらのエンドユーザーセグメント間の相乗効果により、強固なEUVエコシステムが確保されている。すなわち、IDMがイノベーションを推進し次世代チップ設計を可能にする一方、ファウンドリは大規模な半導体製造に必要な生産量、信頼性、およびグローバルな展開力を提供している。

    目次

    1. 概要
    2. 市場構造
      2.1. 市場概要
      2.2. 前提条件
      2.3. 制限事項
      2.4. 略語
      2.5. 出典
      2.6. 定義
    3. 調査方法
      3.1. 二次調査
      3.2. 一次データ収集
      3.3. 市場の形成と検証
      3.4. レポート作成、品質チェック、および納品
    4. 日本の地理
      4.1. 人口分布表
      4.2. 日本のマクロ経済指標
    5. 市場の動向
      5.1. 主な洞察
      5.2. 最近の動向
      5.3. 市場の推進要因と機会
      5.4. 市場の制約要因と課題
      5.5. 市場動向
      5.6. サプライチェーン分析
      5.7. 政策・規制の枠組み
      5.8. 業界専門家の見解
    6. 日本の極端紫外線リソグラフィー市場の概要
      6.1. 金額ベースの市場規模
      6.2. 製品タイプ別市場規模と予測
      6.3. エンドユーザータイプ別市場規模と予測
      6.4. 地域別市場規模と予測
    7. 日本の極端紫外線リソグラフィー市場のセグメンテーション
      7.1. 日本極端紫外線リソグラフィー市場：製品タイプ別
      7.1.1. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模：光源別、2020-2031年
      7.1.2. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模：光学系別、2020-2031年
      7.1.3. 日本における極端紫外線リソグラフィー市場規模（マスク別、2020-2031年）
      7.1.4. 日本における極端紫外線リソグラフィー市場規模（その他別、2020-2031年）
      7.2. 日本における極端紫外線リソグラフィー市場（エンドユーザー別）
      7.2.1. 日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（集積デバイスメーカー（IDM）別）、2020-2031年
      7.2.2. 日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（ファウンドリ別）、2020-2031年
      7.3. 日本極端紫外線リソグラフィー市場、地域別
      7.3.1. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模、北部別、2020-2031年
      7.3.2. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模、東部別、2020-2031年
      7.3.3. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模（西地域別、2020-2031年）
      7.3.4. 日本極端紫外線リソグラフィー市場規模（南地域別、2020-2031年）
    8. 日本極端紫外線リソグラフィー市場の機会評価
      8.1. 製品タイプ別、2026年～2031年
      8.2. エンドユーザータイプ別、2026年～2031年
      8.3. 地域別、2026年～2031年
    9. 競争環境
      9.1. ポーターの5つの力
      9.2. 企業概要
      9.2.1. JSR株式会社
      9.2.1.1. 企業概要
      9.2.1.2. 会社概要
      9.2.1.3. 財務ハイライト
      9.2.1.4. 地域別分析
      9.2.1.5. 事業セグメントと業績
      9.2.1.6. 製品ポートフォリオ
      9.2.1.7. 主要幹部
      9.2.1.8. 戦略的動きと動向
      9.2.2. 東京応化工業
      9.2.3. 信越化学工業株式会社
      9.2.4. アプライド マテリアルズ社
      9.2.5. HOYA株式会社
      9.2.6. カール・ツァイスAG
      9.2.7. ASMLホールディングN.V.
      9.2.8. KLAコーポレーション
    10. 戦略的提言
    11. 免責事項

    図表一覧

    図1：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（金額ベース）（2020年、2025年、2031年予測）（単位：百万米ドル）
    図2：市場魅力度指数（製品タイプ別）
    図3：市場魅力度指数（エンドユーザータイプ別）
    図4：地域別市場魅力度指数
    図5：日本の極端紫外線リソグラフィー市場におけるポーターの5つの力

    表一覧

    表1：極端紫外線リソグラフィー市場に影響を与える要因（2025年）
    表2：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模および予測（製品タイプ別）（2020年～2031年予測）（単位：百万米ドル）
    表3：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模および予測（エンドユーザー別）（2020年～2031年予測）（単位：百万米ドル）
    表4：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模および予測（地域別）（2020年～2031年予測）（単位：百万米ドル）
    表5：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（光源別）（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表6：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（光学系別）（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表7：日本の極端紫外線リソグラフィー市場規模（マスク別）（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表8：日本の極端紫外線リソグラフィ市場におけるその他製品の市場規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表9：日本の極端紫外線リソグラフィ市場における集積デバイスメーカー（IDM）の市場規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表10：日本の極端紫外線リソグラフィー市場におけるファウンドリの市場規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表11：日本の極端紫外線リソグラフィー市場における北部の市場規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表12：日本の極端紫外線リソグラフィー市場における東部の市場規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表13：日本における極端紫外線リソグラフィー市場の西地域別規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）
    表14：日本における極端紫外線リソグラフィー市場の南地域別規模（2020年～2031年）（単位：百万米ドル）

    【極端紫外線リソグラフィについて】

    極端紫外線リソグラフィ（EUVリソグラフィ）は、半導体製造において非常に重要なプロセスです。この技術は、微細な回路パターンをシリコン基板上に転写するために極端紫外線（EUV）を利用するものです。EUVは、波長が約13.5ナノメートルという非常に短い光であり、これによって高い解像度でのパターン形成が可能となります。

    EUVリソグラフィは、主にフォトリソグラフィの一種と位置付けられます。フォトリソグラフィは、従来の紫外線（UV）や可視光を用いるリソグラフィ技術とは異なり、その短波長故により微細な構造を形成できる点が特徴です。これにより、トランジスタやその他の回路素子のサイズを縮小し、集積度を高めることが可能になりました。

    EUVリソグラフィの主な利点は、その高解像度にあります。従来の技術では、光の波長に制約されるため、小さなパターンを形成するのが難しいとされていました。しかし、EUVリソグラフィを用いることで、10ナノメートル以下のプロセス技術が実現でき、トランジスタの数を増やすことができるため、性能向上や省電力化が期待されます。

    この技術は、半導体産業において特に先進的なプロセス技術を採用する企業にとって不可欠なものとなっています。特に、AppleやIntel、Samsung、TSMCなどの主要な半導体メーカーは、EUVを活用した製造プロセスの導入を進めています。これにより、デバイスの性能向上や新しいアプリケーションの実現が可能となり、デジタル技術の進化を加速させています。

    EUVリソグラフィには、いくつかの製造プロセスが含まれています。最初に、シリコンウエハーの上に感光剤（フォトレジスト）を塗布し、その表面にEUV光を照射します。この照射により、レジストの化学変化が起こり、照射された部分と照射されていない部分で異なる性質を持つようになります。次に、ウエハーを化学薬品で洗浄し、パターンが形成されると、その後エッチングやデポジションのプロセスを通じて最終的な回路が仕上げられます。

    EUVリソグラフィには、いくつかの関連技術や課題も存在します。例えば、EUV光源の技術が特に重要です。EUVリソグラフィの実用化には高輝度のEUV光源が必要ですが、この光源の開発は技術的に非常に困難です。現在、最も一般的なEUV光源は、プラズマを生成し、そこからX線を発生させる方式です。この技術は高い出力を持ちますが、コストも高く、エネルギー効率の面で課題があります。

    さらには、EUVリソグラフィにおけるマスク技術も重要です。マスクは形成したいパターンを決定する要素であり、高精度でなければなりません。また、マスクの衝突によって生じる散乱光やその他の影響を最小限に抑えるための技術開発も進められています。

    さらに、EUVリソグラフィは高コストであるため、投資効率も考慮する必要があります。製造設備が高精度な分、初期投資は大きなものとなります。それでも、多くの企業はEUVリソグラフィの導入によって競争力を高める価値があると考えており、今後ますます普及していくことが予想されます。

    今後の展望としては、EUV技術のさらなる進化や新たな材料の開発が期待されています。また、次世代リソグラフィ技術として、ナノインプリントリソグラフィや、ハイライトグラフィなどの新しい手法も研究されていますが、EUVリソグラフィは依然として高い解像度を必要とする半導体製造において重要な役割を果たすと考えられています。

    EUVリソグラフィは、半導体業界のさらなる革新を推進する鍵となる技術であり、この分野の進展により、私たちの生活に新しいテクノロジーやデバイスがもたらされることを期待しています。

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    ■株式会社マーケットリサーチセンターについて
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