GaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（GaN SG HEMT用ゲートドライバIC、GaN GIT HEMT用ゲートドライバIC）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「GaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、GaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（GaN SG HEMT用ゲートドライバIC、GaN GIT HEMT用ゲートドライバIC）、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■ 主な掲載内容

世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC市場規模は、2025年の2,562万米ドルから2032年には6,285万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）13.9%で成長すると見込まれています。
窒化ガリウム（GaN）FETベースの電力変換システムは、シリコンベースの代替品と比較して、より高い効率、増大した電力密度、および低いシステム総コストを実現します。これらの有利な特性により、eGaN FETの性能を特に高めるゲートドライバ、コントローラ、受動部品などのパワーエレクトロニクス部品のエコシステムが、ますます拡大しています。
現在、GaN RFデバイスは市場シェアの約85%を占め、支配的な地位にある一方、GaNパワーデバイスは残りの15%を占めています。GaNパワーデバイスは近年急速に成長しており、多くの企業が徐々にこの業界に参入しています。今後数年間で、GaNパワーデバイスの市場シェアはさらに拡大すると予想されます。
現在、GaN RFデバイスは住友電気デバイス・イノベーションズ（SEDI）、Wolfspeed、Qorvo、NXPなどの数社が主導しており、一方、GaNパワーデバイスはPower Integrations, Inc.、Navitas Semiconductor、GaN Systems、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）、 Innoscience、Transphorm Inc.、インフィニオンなどが主導しており、その中でもInnoscienceは世界最大のGaNパワーデバイスメーカーである。
「GaN HEMT用ゲートドライバIC市場予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年のGaN HEMT用ゲートドライバICの世界総売上高を概観するとともに、2026年から2032年までのGaN HEMT用ゲートドライバICの売上予測について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、GaN HEMT用ゲートドライバICの売上を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC業界について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業構成、収益、市場シェア、最新動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、GaN HEMT用ゲートドライバICのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、世界的なGaN HEMT用ゲートドライバIC市場の急速な拡大において、主要グローバル企業が占める独自の立場をより深く理解できるよう、各社の戦略を分析しています。
本インサイトレポートは、GaN HEMT用ゲートドライバICの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興のビジネスチャンスを浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論を採用した本調査の予測は、世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC市場の現状と将来の動向について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示します。

タイプ別セグメンテーション：
GaN SG HEMT用ゲートドライバIC
GaN GIT HEMT用ゲートドライバIC

用途別セグメンテーション：
産業用
通信
データセンター
その他

本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国

以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
インフィニオン・テクノロジーズAG
テキサス・インスツルメンツ
STマイクロエレクトロニクス
ローム
uPIセミコンダクター
オンセミコンダクター
モノリシック・パワー・システムズ（MPS）
アナログ・デバイセズ（ADI）
ルネサス
成都丹西科技
イノサイエンス

本レポートで取り上げる主な課題
GaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
GaN HEMT用ゲートドライバICの市場機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
GaN HEMT用ゲートドライバICは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？

■ 各チャプターの構成

第1章「調査範囲」には、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場の導入、調査対象となる期間、本調査の目的、採用された市場調査方法、データの収集と分析プロセスおよびデータソース、市場に影響を与える経済指標、考慮された通貨、および市場推定における潜在的な制約や前提に関する詳細な情報が記載されています。

第2章「エグゼクティブサマリー」には、世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC市場の概要が収録されています。具体的には、2021年から2032年までの世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC年間販売額、2021年、2025年、2032年における地域別および国/地域別のGaN HEMT用ゲートドライバICの世界現状および将来分析が示されています。また、GaN SG HEMT用およびGaN GIT HEMT用ゲートドライバICといったタイプ別のセグメント分析が展開され、タイプ別の世界販売市場シェア、収益および市場シェア、販売価格（いずれも2021年から2026年まで）が提供されています。さらに、産業用、通信、データセンター、その他といったアプリケーション別のセグメント分析も行われ、アプリケーション別の世界販売市場シェア、収益および市場シェア、販売価格（いずれも2021年から2026年まで）が詳細に分析されています。

第3章「企業別グローバル分析」には、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場における企業別の詳細な分析が示されています。具体的には、2021年から2026年までの企業別の世界年間販売額、販売市場シェア、年間収益、収益市場シェア、および販売価格が提供されています。主要メーカーについては、GaN HEMT用ゲートドライバICの生産地域分布、販売地域、製品タイプ、および提供される製品の詳細が説明されています。また、市場集中度分析として、競争状況分析、および2024年から2026年までの集中度比率（CR3、CR5、CR10）が示されています。さらに、市場における新製品の動向、潜在的な新規参入企業、市場のM&A活動と戦略に関する情報も含まれています。

第4章「地域別のGaN HEMT用ゲートドライバIC世界過去レビュー」には、2021年から2026年までの世界のGaN HEMT用ゲートドライバIC市場の地域別および国/地域別の歴史的規模に関する詳細なデータが記載されています。これには、各地域および国/地域ごとの年間販売額と年間収益が含まれます。さらに、アメリカ、アジア太平洋地域、ヨーロッパ、中東およびアフリカにおけるGaN HEMT用ゲートドライバICの販売成長率も分析されています。

第5章「アメリカ」には、2021年から2026年までのアメリカにおけるGaN HEMT用ゲートドライバICの販売状況が詳細に分析されています。これには、国別の販売額と収益、タイプ別の販売、およびアプリケーション別の販売データが含まれます。さらに、アメリカ合衆国、カナダ、メキシコ、ブラジルといった主要国の市場動向が個別に記載されています。

第6章「アジア太平洋」には、2021年から2026年までのアジア太平洋地域におけるGaN HEMT用ゲートドライバICの販売状況が詳細に分析されています。これには、地域別の販売額と収益、タイプ別の販売、およびアプリケーション別の販売データが含まれます。さらに、中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、台湾といった主要国/地域の市場動向が個別に記載されています。

第7章「ヨーロッパ」には、2021年から2026年までのヨーロッパにおけるGaN HEMT用ゲートドライバICの販売状況が詳細に分析されています。これには、国別の販売額と収益、タイプ別の販売、およびアプリケーション別の販売データが含まれます。さらに、ドイツ、フランス、イギリス、イタリア、ロシアといった主要国の市場動向が個別に記載されています。

第8章「中東およびアフリカ」には、2021年から2026年までの中東およびアフリカにおけるGaN HEMT用ゲートドライバICの販売状況が詳細に分析されています。これには、国別の販売額と収益、タイプ別の販売、およびアプリケーション別の販売データが含まれます。さらに、エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国といった主要国/地域の市場動向が個別に記載されています。

第9章「市場の推進要因、課題、トレンド」には、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場を牽引する主要な要因と成長機会、市場が直面する課題とリスク、および業界全体の最新トレンドに関する分析が提供されています。

第10章「製造コスト構造分析」には、GaN HEMT用ゲートドライバICの製造に関する詳細な分析が記載されています。これには、原材料とそのサプライヤーに関する情報、GaN HEMT用ゲートドライバICの製造コスト構造の分析、製造プロセスの詳細な解説、およびGaN HEMT用ゲートドライバICの産業チェーン構造が示されています。

第11章「マーケティング、流通業者、顧客」には、GaN HEMT用ゲートドライバICの販売チャネルについて、直接チャネルと間接チャネルの両方を含む詳細な分析が提供されています。また、GaN HEMT用ゲートドライバICの主要な流通業者、および主要な顧客セグメントに関する情報が記載されています。

第12章「地域別のGaN HEMT用ゲートドライバIC世界予測レビュー」には、2027年から2032年までのGaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場予測が収録されています。具体的には、地域別の市場規模予測と年間収益予測が示されています。さらに、アメリカ、アジア太平洋地域、ヨーロッパ、中東およびアフリカの各主要国/地域におけるGaN HEMT用ゲートドライバICの予測が提供されています。また、タイプ別およびアプリケーション別のGaN HEMT用ゲートドライバICの世界予測も詳細に分析されています。

第13章「主要プレーヤー分析」には、GaN HEMT用ゲートドライバIC市場における主要な企業に関する詳細な情報が記載されています。各企業について、企業情報、GaN HEMT用ゲートドライバICの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までのGaN HEMT用ゲートドライバICの販売、収益、価格、粗利益、主要事業の概要、および最新の事業展開が個別に分析されています。対象企業には、インフィニオンテクノロジーズAG、テキサスインスツルメンツ、STマイクロエレクトロニクス、ローム、uPIセミコンダクター、オンセミ、モノリシックパワーシステムズ (MPS)、アナログデバイセズ, Inc. (ADI)、ルネサス、成都単馳科技、イノセンスなどが含まれます。

第14章「調査結果と結論」には、レポート全体を通じて得られた主要な調査結果と結論がまとめられています。

■ GaN HEMT用ゲートドライバICについて

GaN HEMT用ゲートドライバICは、ガリウムナイトライド（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を駆動するための集積回路です。GaN HEMTは、高効率、高速動作および高電力密度を提供するため、特に電源変換や無線通信、電気自動車などの分野で注目されています。しかし、GaN HEMTの特性を最大限に引き出すためには、適切なゲートドライバICが必須です。

ゲートドライバICは、一般にトランジスタのゲート電圧を制御する役割を果たします。GaN HEMTには、高速スイッチングに対応したゲートドライバが求められるため、これらは特に高頻度で動作するアプリケーションに適しています。既存のシリコンベースのトランジスタ用のゲートドライバでは、GaN HEMTのニーズに応えきれないことが多いため、専用の設計が必要です。

GaN HEMT用ゲートドライバICには、いくつかの種類があります。まず、シングルチャネルドライバとデュアルチャネルドライバがあります。シングルチャネルドライバは、1つのGaN HEMTを駆動するために使用されますが、デュアルチャネルドライバは、2つのGaN HEMTを同時に駆動する能力を持っています。これにより、ブリッジ回路などの複雑なトポロジを効率的に実現できます。また、絶縁型ゲートドライバICも存在し、これらは高電圧環境での用途に向いています。絶縁型のゲートドライバは、信号伝送と電力供給の間に絶縁体を挿入することで、安全性を向上させます。

GaN HEMT用ゲートドライバICは、さまざまな用途で使用されます。例えば、スイッチング電源やDC-DCコンバータにおいては、高効率で電力を変換するために活用されます。また、太陽光発電や風力発電においても、インバータの駆動に利用され、再生可能エネルギーの効率的な利用に貢献しています。他にも、電気自動車の制御システムや、無線通信機器でのパワーアンプの駆動など、多さまざまな産業においてその重要性が増しています。

このような用途における要求を満たすため、GaN HEMT用ゲートドライバICにはいくつかの関連技術が存在します。例えば、高速スイッチング能力を向上させるための技術や、ノイズ耐性を高めるための設計手法などがあります。特に、周囲環境の影響を受けやすいGaN HEMTにおいては、電磁干渉（EMI）を抑えるための回路設計も重要な要素です。さらに、適切なゲート抵抗の選択や、スイッチング時の電圧および電流の最適化なども重要です。

GaN HEMT用ゲートドライバICの設計では、高速性と低消費電力を両立させることが求められます。このため、最新の半導体プロセス技術が活用され、より小型化されたデバイスが開発されています。これにより、回路基板の面積を削減し、集積度を向上させることが可能になります。

今後、GaN HEMT用ゲートドライバICの市場はさらに拡大していくと予想されています。電力効率の向上が求められる中で、GaN技術の利点はますます注目され、様々な分野での普及が期待されます。また、今後の技術革新により、GaN HEMT用ゲートドライバICの性能や機能も向上し続けるでしょう。したがって、これらのデバイスの設計者やエンジニアにとって、その特性や用途を理解することが非常に重要です。これにより、今後の電力電子の発展に寄与することができるでしょう。

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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：GaN HEMT用ゲートドライバICの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global Gate Driver ICs for GaN HEMTs Market 2026-2032

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