プレスリリース
自動車用GaNデバイスの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（パワーデバイス、高周波デバイス）・分析レポートを発表
株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「自動車用GaNデバイスの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global Automotive GaN Devices Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、自動車用GaNデバイスの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（パワーデバイス、高周波デバイス）、関連企業の情報などが盛り込まれています。
■ 主な掲載内容
世界の自動車用GaNデバイス市場規模は、2025年の7,080万米ドルから2032年には214億米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）128.6%で成長すると見込まれています。
自動車用GaNデバイスは、窒化ガリウム材料のワイドバンドギャップ特性を活用して、より高いエネルギー効率と小型化を実現するために、自動車用途向けに特別に設計された高性能パワーデバイスの一種です。これらのデバイスは、電気自動車やハイブリッド車において、特に車載充電器、インバーター、DC-DCコンバーター、先進運転支援システム（ADAS）などの分野で重要な役割を果たしています。 車載用窒化ガリウム半導体の高周波・高効率特性は、車両性能の向上、エネルギー消費の削減に寄与し、より環境に優しくスマートな方向への車両開発を推進しています。
米国の自動車用GaNデバイス市場は、2025年のUS$百万から2032年までにUS$百万へと拡大し、2026年から2032年までのCAGRは%になると推定されています。
中国の自動車用GaNデバイス市場は、2025年のUS$百万から2032年にはUS$百万に拡大し、2026年から2032年までのCAGRは%になると推定されています。
欧州の自動車用GaNデバイス市場は、2025年のXX百万米ドルから2032年にはXX百万米ドルへと拡大し、2026年から2032年までのCAGRはXX％になると予測されています。
世界の主要な自動車用GaNデバイス企業には、NXPセミコンダクターズ、インフィニオン・テクノロジーズAG、パナソニックオートモーティブシステムズ株式会社、テキサス・インスツルメンツ、Qorvo Inc.などが含まれます。売上高ベースでは、2025年に世界の上位2社が市場シェアの約％を占めました。
「自動車用GaNデバイス業界予測」では、過去の売上実績を検証し、2025年の世界の自動車用GaNデバイス総売上高を分析するとともに、2026年から2032年までの予測売上高について、地域および市場セクター別の包括的な分析を提供しています。本レポートでは、自動車用GaNデバイスの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界の自動車用GaNデバイス業界について、百万米ドル単位で詳細な分析を行っています。
本インサイトレポートは、世界の自動車用GaNデバイス市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。また、本レポートでは、自動車用GaNデバイスのポートフォリオと能力、市場参入戦略、市場での位置づけ、地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析し、加速する世界の自動車用GaNデバイス市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、自動車用GaNデバイスの世界的な展望を形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興の機会領域を浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論により、本調査の予測は、世界の自動車用GaNデバイス市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、および主要地域・国別に、自動車用GaNデバイス市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。
タイプ別セグメンテーション：
パワーデバイス
高周波デバイス
用途別セグメンテーション：
カーチャージャー
インバーター
モータードライブ
その他
また、本レポートでは地域別に市場を分類しています：
米州
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国
以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
NXPセミコンダクターズ
インフィニオン・テクノロジーズAG
パナソニック・オートモーティブ・システムズ株式会社
テキサス・インスツルメンツ
Qorvo Inc
OSRAMオプトセミコンダクターズGmbH
ローム株式会社
エフィシエント・パワー・コンバージョン・コーポレーション
ルネサス エレクトロニクス株式会社
東芝株式会社
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
Nexperia
ソイテック
INNOSECCO(Zhuhai)Technology Co., Ltd
本レポートで取り上げる主な課題
世界の自動車用GaNデバイス市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、自動車用GaNデバイス市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
自動車用GaNデバイスの市場機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
自動車用GaNデバイスは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？
■ 各チャプターの構成
第1章には、市場の紹介、調査対象期間、調査目的、市場調査方法、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮される通貨、市場推定に関する注意点といった、レポートの基礎的な情報と調査の前提が記載されています。
第2章には、エグゼクティブサマリーが収録されています。世界全体の自動車用GaNデバイス市場の概要が提示されており、2021年から2032年までのグローバル年間販売台数の予測が示されています。また、2021年、2025年、2032年の地理的地域別および国/地域別の世界市場の現状と将来分析が含まれています。自動車用GaNデバイスのタイプ別セグメント（パワーデバイス、高周波デバイス）については、2021年から2026年までのグローバル販売市場シェア、収益と市場シェア、および販売価格が詳細に分析されています。同様に、アプリケーション別セグメント（車載充電器、インバーター、モーター駆動、その他）についても、2021年から2026年までのグローバル販売市場シェア、収益と市場シェア、および販売価格が詳細に分析されています。
第3章には、企業別のグローバル分析が示されています。グローバル自動車用GaNデバイスの企業別データが提供されており、2021年から2026年までの企業別年間販売台数、販売市場シェア、年間収益、収益市場シェア、および販売価格が分析されています。主要メーカーの自動車用GaNデバイスの生産地域分布、販売地域、製品タイプに関する情報も含まれています。市場集中度分析として、競争環境分析、集中度（CR3, CR5, CR10）および2024年から2026年の予測が記載されています。さらに、新製品と潜在的な新規参入者、市場のM&A活動と戦略についても言及されています。
第4章には、地域別の世界歴史レビューが収録されています。2021年から2026年までの地理的地域別の世界自動車用GaNデバイス市場規模の歴史的レビューが提供されており、年間販売台数と年間収益が詳細に分析されています。また、2021年から2026年までの国/地域別の世界自動車用GaNデバイス市場規模の歴史的レビューも含まれ、年間販売台数と年間収益が分析されています。米州、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカにおける自動車用GaNデバイスの販売成長が個別に示されています。
第5章には、米州市場に関する詳細が記載されています。米州における自動車用GaNデバイスの地域別分析が提供されており、2021年から2026年までの国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルを含む）販売台数と収益が示されています。また、2021年から2026年までの米州におけるタイプ別、およびアプリケーション別の販売も詳細に分析されています。
第6章には、APAC市場に関する詳細が記載されています。APACにおける自動車用GaNデバイスの地域別分析が提供されており、2021年から2026年までの地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾を含む）販売台数と収益が示されています。また、2021年から2026年までのAPACにおけるタイプ別、およびアプリケーション別の販売も詳細に分析されています。
第7章には、ヨーロッパ市場に関する詳細が記載されています。ヨーロッパにおける自動車用GaNデバイスの地域別分析が提供されており、2021年から2026年までの国別（ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアを含む）販売台数と収益が示されています。また、2021年から2026年までのヨーロッパにおけるタイプ別、およびアプリケーション別の販売も詳細に分析されています。
第8章には、中東・アフリカ市場に関する詳細が記載されています。中東・アフリカにおける自動車用GaNデバイスの地域別分析が提供されており、2021年から2026年までの国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国を含む）販売台数と収益が示されています。また、2021年から2026年までの中東・アフリカにおけるタイプ別、およびアプリケーション別の販売も詳細に分析されています。
第9章には、市場の推進要因、課題、トレンドが分析されています。市場の成長を促す要因と機会、市場が直面する課題とリスク、および業界全体のトレンドが詳細に記述されています。
第10章には、製造コスト構造分析が記載されています。原材料とサプライヤーに関する情報、自動車用GaNデバイスの製造コスト構造分析、製造プロセス分析、および産業チェーン構造が詳細に説明されています。
第11章には、マーケティング、流通業者、顧客に関する情報が提供されています。販売チャネル（直接チャネル、間接チャネル）の種類、自動車用GaNデバイスの流通業者、および顧客に関する詳細が含まれています。
第12章には、地域別の世界予測レビューが収録されています。2027年から2032年までの地域別の世界自動車用GaNデバイス市場規模の予測が示されており、地域別の販売台数および年間収益の予測が提供されています。米州、APAC、ヨーロッパ、中東・アフリカの国/地域別予測も2027年から2032年までの期間で含まれています。さらに、グローバル自動車用GaNデバイスのタイプ別およびアプリケーション別の予測も2027年から2032年まで詳細に分析されています。
第13章には、主要プレイヤー分析が詳細に記述されています。NXP Semiconductor、Infineon Technologies AG、Panasonic Automotive Systems Co., Ltd、Texas Instruments、Qorvo Inc、OSRAM Opto Semiconductors GmbH、ROHM Co., Ltd、Efficient Power Conversion Corporation、Renesas Electronics Corporation、Toshiba Corporation、MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.、Nexperia、Soitec、INNOSECCO(Zhuhai)Technology Co., Ltdなど、主要な14社の企業情報が個別に分析されています。各企業について、会社情報、自動車用GaNデバイスの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までの販売台数、収益、価格、粗利益、主要事業の概要、および最新の動向が記載されています。
第14章には、調査結果と結論がまとめられています。本レポートで得られた主要な調査結果と結論が簡潔に提示されています。
■ 自動車用GaNデバイスについて
自動車用GaNデバイスは、次世代のパワーエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たす半導体デバイスです。GaNとは、窒化ガリウムの略であり、高い動作速度や効率を持つ特性が評価されています。従来のシリコンデバイスに比べて、GaNデバイスは高い電圧耐性や温度耐性を持ち、サイズの縮小が可能です。
自動車用GaNデバイスにはいくつかの種類があります。一般的には、GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）やGaN FET（Field Effect Transistor）が主要なデバイスとなります。HEMTは、高速動作が必要とされる用途に適しており、効率的な電力変換が可能です。一方、GaN FETは、より高い信号処理能力を提供し、パワーエレクトロニクスにおける柔軟性を持っています。これらのデバイスは、自動車の電動化や効率的なエネルギー管理において非常に重要です。
用途としては、主に電気自動車（EV）やハイブリッド自動車（HEV）における電源変換回路や充電器に利用されます。GaNデバイスは、小型化と高効率を両立しているため、バッテリーからモーターへのエネルギー供給や、電池の充電プロセスにおいて非常に効果的です。また、オートモーティブアプリケーションにおいては、より強固な電力供給が求められる高度運転支援システム（ADAS）や、自動運転車にも応用されています。これらのシステムでは、リアルタイムのデータ処理が必要であり、高速かつ効率的なエネルギー管理が不可欠です。
さらに、自動車のライトや情報通信システム、インフォテインメントシステムにおいてもGaNデバイスの使用が広がっています。これにより、全体的なエネルギー効率を高めつつ、車両の性能や快適性を向上させることが可能となります。特に、LEDヘッドライトやテールライトのドライブ回路においては、GaNデバイスの優れたスイッチング特性が活かされています。
関連技術としては、GaNデバイスの製造プロセスが挙げられます。高品質なGaN基板の開発やエピタキシャル成長技術は、GaNデバイスの性能向上に直結します。最近では、サファイア基板やシリコン基板上にGaNを成長させる技術が進化しており、コスト削減とデバイスの量産化が進められています。これにより、自動車市場においてもGaN技術の普及が加速しています。
また、GaNデバイスは熱管理が重要な課題です。高効率化に伴い、発生する熱を適切に管理するための冷却技術や熱伝導材の開発も進められています。さらに、GaNデバイスは高周波での動作が可能であるため、高周波関連の技術や回路設計も発展しています。
未来の自動車用GaNデバイスは、さらに進化することが期待されています。特に、自動運転技術やIoTとの連携が進む中で、より高性能で高効率なエネルギー管理が求められています。このため、GaN技術のさらなる革新や新しい応用が模索されています。自動車業界における環境規制の厳格化や、エネルギーコストの上昇を考慮した場合、GaNデバイスの需要は今後も増加していくでしょう。
このように、自動車用GaNデバイスは、持続可能な未来に向けた自動車技術の中で重要な位置を占めています。高効率なエネルギー変換や小型化、高動作速度が求められる現代の自動車産業において、GaNデバイスの役割はますます大きくなると考えられます。エンジニアや研究者は、この分野のさらなる発展に向けて研究と開発を進めているため、今後の技術革新が楽しみです。
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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：自動車用GaNデバイスの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global Automotive GaN Devices Market 2026-2032
■株式会社マーケットリサーチセンターについて
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