【最新予測】原子層堆積装置（ALD）市場規模、2026年に5194百万米ドルへ｜年平均成長率9.7%で推移予測

原子層堆積装置（ALD）の定義と技術的特徴
原子層堆積（ALD）は、気相の前駆体を交互に基板表面へ供給し、自己制限的な表面化学反応を繰り返すことで薄膜を形成する成膜技術です。化学気相成長法（CVD）の一種に分類され、原料ガスを順番に導入することで、原子層レベルの膜厚制御と高い段差被覆性を実現します。

原子層堆積装置（ALD）は、熱エネルギーを利用する熱ALDと、プラズマなどで反応を促進するプラズマ支援型ALD（PEALD）を中心に構成されています。複雑な微細構造の内部にも均一な薄膜を形成できるため、半導体製造やナノ材料の研究開発に不可欠な装置となっています。

QYResearch調査チームの最新レポート「原子層堆積装置（ALD）―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」によると、原子層堆積装置（ALD）の世界市場は、2025年に4674百万米ドルと推定され、2026年には5194百万米ドルに達すると予測されています。その後、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）9.7%で推移し、2032年には9037百万米ドルに拡大すると見込まれています。

▪半導体製造装置市場の拡大とALD需要の連動

原子層堆積装置（ALD）の成長を後押しする最大の要因は、先端半導体製造における成膜工程の高度化です。2026年7月にSEMIが公表した「Mid-Year Total Semiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective」によると、世界の半導体製造装置販売額は2026年に1,659億米ドルとなり、前年比23.2％増加する見通しです。特にウエハー製造装置は1,439億米ドル、前年比23.1％増が予測されており、AI半導体、先端ロジック、HBM向けDRAMへの設備投資が市場を牽引しています。

また、2026年6月15日にはApplied Materialsが、微細化と三次元構造の高度化に対応する成膜・エッチング装置を発表しました。高アスペクト比構造における窒化シリコンの均一成膜を実現するALD技術が採用されており、複雑な内部構造への成膜精度が装置開発の重要な競争軸となっていることが分かります。

▪産業チェーンと主要企業の役割

原子層堆積装置（ALD）の産業チェーンは、前駆体材料、主要部品、装置メーカー、最終需要産業の4領域で構成されます。

上流では、TMA、TDMAT、HCDS、ルテニウム系・コバルト系・タングステン系前駆体などの有機金属原料に加え、高純度キャリアガスや希ガスが使用されます。主要部品にはマスフローコントローラー（MFC）、真空ポンプ、専用バルブ、プラズマ源、蒸発器、加熱・温度制御装置、石英・炭化ケイ素製反応チャンバー、高純度配管などがあります。関連企業としてEntegris、CKD、VAT、Edwards、Pfeiffer、MKS、Horibaが挙げられます。

中流の装置メーカーは、反応チャンバーの設計、前駆体の供給シーケンス、ガス経路の分離、温度分布、プラズマ制御、膜厚均一性の最適化などを担います。主要企業にはASM International、Tokyo Electron、Lam Research、Applied Materials、Jusung Engineering、NAURA、Mattson、Oxford Instruments、Beneqなどがあります。

下流では、半導体前工程（FEOL）の高誘電率ゲート絶縁膜や界面層、後工程（BEOL）のバリア・ライナー膜、銅・コバルト・ルテニウム配線、3D NANDの高アスペクト比構造、DRAMキャパシター誘電体膜などに利用されています。

▪製品タイプ・製造方式別の市場構造

原子層堆積装置（ALD）は、成膜方式によって熱ALD、プラズマ支援型ALD（PEALD）、空間分割型ALD（Spatial ALD）などに分類されます。熱ALDは反応性と膜質の制御が求められる用途、PEALDは低温成膜や高密度膜の形成が必要な工程に適しています。Spatial ALDは基板と反応領域を空間的に分離することで、高速成膜を実現し、ディスプレイや大面積基板への応用が期待されています。

製造工程では研究開発用装置と量産用装置に分かれ、チャンバー構成ではシングルチャンバー型とマルチチャンバー型に区分されます。研究開発では材料探索やプロセス条件の最適化が重視される一方、量産用途ではスループット、稼働率、膜厚の再現性が重要です。

2025年の世界生産能力は約2,800台、生産台数は約2,244台で、平均市場価格は1台当たり約200万米ドルとされています。市場の粗利益率は主に35～45％です。なお、生産台数と平均価格から算出した金額は約44億8,800万米ドルとなり、市場推定額の46億7,400万米ドルとは一致しません。集計対象や算出基準の違いに留意する必要があります。

▪ディスプレイ・エネルギー・研究分野への応用

原子層堆積装置（ALD）の用途は半導体にとどまりません。ディスプレイ分野では、OLEDやMicro-LEDの封止膜、保護膜、機能性薄膜の形成に活用されています。液晶ディスプレイでは、薄膜トランジスタ（TFT）関連材料への応用も期待されます。特に高解像度化や大型化が進むなか、膜の均一性と耐久性が重要な評価項目となります。

エネルギー分野では、太陽電池のAl₂O₃パッシベーション膜や反射防止膜、蓄電池の電極材料表面コーティングなどが代表的な用途です。電池材料への均一な表面処理は、電気化学的安定性やサイクル寿命の改善につながる可能性があります。

さらに、ナノテクノロジー分野では触媒、センサー、機能性ナノ材料の研究に利用され、MEMS分野では自動車用センサー、民生電子機器、医療機器などの微小デバイスに保護膜や機能膜を形成します。こうした異業種への用途拡大も、原子層堆積装置（ALD）の中長期的な需要基盤を広げる要因です。

▪主要メーカーと競争環境

市場にはASM International、Tokyo Electron、Lam Research、Applied Materialsをはじめ、Eugenus、Veeco、Picosun、NAURA、Oxford Instruments、Jusung、Wonik IPS、ULVAC、Samco、Piotechなど、国内外の装置メーカーが参入しています。

このほか、SRI Intellectual Technology、Leadmicro、Ideal Deposition、Songyu Technology、Forge Nano、Solaytec、NCD、CN1、Arradiance、SENTECH Instruments、SVT Associates、ANAME、Nexusbe、Swiss Cluster、MNT Technology、Shenyang Piotech、Shenzhen Nashe Intelligent Equipmentなども主要な調査対象企業です。

競争の焦点は、単純な装置価格から、成膜品質、工程統合、量産安定性、保守対応を含めた総合的な性能へと移っています。特に高アスペクト比構造では、前駆体の供給効率や反応ガスの排気、チャンバー内の温度均一性が歩留まりを左右します。装置メーカーには、顧客の製造プロセスに合わせた条件調整と長期的な技術サポートも求められます。

今後の市場では、先端半導体向けの高性能装置に加え、ディスプレイ、太陽電池、蓄電池などに対応する用途特化型装置の重要性も高まるでしょう。原子層堆積装置（ALD）は、成膜精度と生産効率の両立を実現する基盤技術として、先端製造産業における競争力を左右する装置の一つになると考えられます。

本レポートでは、2021～2032年を対象に、原子層堆積装置（ALD）の販売台数、売上高、価格、主要企業別市場シェアおよび競争順位を分析します。さらに、熱ALD、PEALD、Spatial ALDなどの製品タイプ、研究開発用・量産用の製造方式、チャンバー構成、科学研究、パワー半導体・化合物半導体、集積回路、ディスプレイ、太陽光発電などの用途別に市場を評価します。地域別・国別の需要動向、主要メーカーの製品構成、収益性、産業チェーンも網羅し、市場参入や設備投資、事業拡大に向けた意思決定を支援します。

本記事は、QY Researchが発行したレポート「原子層堆積装置（ALD）―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」 を紹介しています。

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