プレスリリース
SiCショットキーダイオードの世界市場（2026年～2032年）、市場規模（650V SiC SBD、1200V SiC SBD、その他）・分析レポートを発表
株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「SiCショットキーダイオードの世界市場（2026年～2032年）、英文タイトル：Global SiC Schottky Diodes Market 2026-2032」調査資料を発表しました。本資料には、SiCショットキーダイオードの世界市場規模、市場動向、セグメント別予測（650V SiC SBD、1200V SiC SBD、その他）、関連企業の情報などが盛り込まれています。
■ 主な掲載内容
世界のSiCショットキーダイオード市場規模は、2025年の7億3800万米ドルから2032年には35億9700万米ドルへと拡大すると予測されており、2026年から2032年にかけて年平均成長率（CAGR）25.9%で成長すると見込まれています。
炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオードは、半導体と金属の接合によって形成される半導体ダイオードです。SiCショットキーバリアダイオードは、シリコン（Si）製のものに比べて逆方向リーク電流が大幅に低く、順方向電圧も高くなっています。これにより損失を大幅に低減できるため、システムの効率向上や製品サイズの小型化に活用できます。
現在、SiCショットキーダイオードは主に、自動車・EV/HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電（PV）、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンター・サーバーなどで使用されている。
自動車分野が最大の市場であり、65%以上のシェアを占めており、主にOBC（車載用充電器）やDC/DCコンバータなどに使用されている。
世界の新エネルギー車市場は急速な成長を続けています。2023年、世界の新エネルギー車販売台数は1,465万台に達し、前年比35.4%増となりました。そのうち、中国の新エネルギー車販売台数は949万5,000台に達し、世界販売台数の64.8%を占めました。中国の新エネルギー車の生産・販売台数は8年連続で世界1位を維持しています。 2023年、米国と欧州の新エネルギー車販売台数はそれぞれ294万台、146万台となり、前年比成長率はそれぞれ18.3％、48.0％を記録した。
現在、SiCショットキーダイオード市場は、STマイクロエレクトロニクス、インフィニオン、ウルフスピード、ローム、オンセミ、三安光電など、少数のメーカーによって支配されている。
「SiCショットキーダイオード業界予測」では、過去の販売実績を検証し、2025年の世界のSiCショットキーダイオード総販売額を分析するとともに、2026年から2032年までのSiCショットキーダイオードの販売予測について、地域および市場セクターごとに包括的な分析を提供しています。 本レポートでは、SiCショットキーダイオードの売上高を地域、市場セクター、サブセクター別に分類し、世界のSiCショットキーダイオード産業について、単位：百万米ドルで詳細な分析を提供しています。
本インサイトレポートは、世界のSiCショットキーダイオード市場の全体像を包括的に分析し、製品セグメンテーション、企業動向、収益、市場シェア、最新の開発動向、M&A活動に関連する主要なトレンドを明らかにします。 また、本レポートでは、SiCショットキーダイオードのポートフォリオと技術力、市場参入戦略、市場での位置づけ、および地理的展開に焦点を当て、主要グローバル企業の戦略を分析し、加速する世界のSiCショットキーダイオード市場における各企業の独自の立場をより深く理解できるようにしています。
本インサイトレポートは、SiCショットキーダイオードの世界的な見通しを形作る主要な市場動向、推進要因、および影響要因を評価し、タイプ別、用途別、地域別、市場規模別に予測を細分化することで、新興のビジネスチャンスを浮き彫りにします。数百件に及ぶボトムアップ型の定性的・定量的市場データに基づく透明性の高い方法論を用いることで、本調査の予測は、世界のSiCショットキーダイオード市場の現状と将来の軌跡について、極めて精緻な見解を提供します。
本レポートでは、製品タイプ、用途、主要メーカー、主要地域および国別に、SiCショットキーダイオード市場の包括的な概要、市場シェア、成長機会を提示しています。
タイプ別セグメンテーション：
650V SiC SBD
1200V SiC SBD
その他
用途別セグメンテーション：
自動車およびEV/HEV
EV充電
産業用モーター／ドライブ
太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電
UPS、データセンターおよびサーバー
鉄道輸送
その他
本レポートでは、地域別にも市場を分類しています：
南北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
ブラジル
アジア太平洋地域（APAC）
中国
日本
韓国
東南アジア
インド
オーストラリア
欧州
ドイツ
フランス
英国
イタリア
ロシア
中東・アフリカ
エジプト
南アフリカ
イスラエル
トルコ
GCC諸国
以下に紹介する企業は、主要な専門家からの情報および各社の事業範囲、製品ポートフォリオ、市場浸透度を分析した上で選定されています。
STマイクロエレクトロニクス
インフィニオン
ウルフスピード
ローム
オンセミ
マイクロチップ（マイクロセミ）
富士電機
ナビタス（GeneSiC）
東芝
コーボ（UnitedSiC）
三安光電
リトルヒューズ（IXYS）
CETC 55
WeEn Semiconductors
BASiC Semiconductor
SemiQ
Diodes Incorporated
KEC Corporation
PANJIT Group
Nexperia
Vishay Intertechnology
Zhuzhou CRRC Times Electric
China Resources Microelectronics Limited
Yangzhou Yangjie Electronic Technology
Changzhou Galaxy Century Microelectronics
Cissoid
SK powertech
本レポートで取り上げる主な課題
世界のSiCショットキーダイオード市場の10年先の見通しは？
世界全体および地域別に、SiCショットキーダイオード市場の成長を牽引している要因は何か？
市場および地域別に、最も急速な成長が見込まれる技術はどれか？
SiCショットキーダイオード市場の機会は、エンド市場の規模によってどのように異なるか？
SiCショットキーダイオードは、タイプ別、用途別にどのように分類されるか？
■ 各チャプターの構成
第1章には、市場の導入、調査対象期間、調査目的、市場調査方法論、調査プロセスとデータソース、経済指標、考慮された通貨、および市場推定に関する注意点などの情報が記載されています。
第2章には、エグゼクティブサマリーとして、世界のSiCショットキーダイオード市場の概要が収録されています。具体的には、2021年から2032年までの世界のSiCショットキーダイオード年間販売量、2021年、2025年、2032年における地理的地域別および国/地域別のSiCショットキーダイオードの現在および将来の分析が含まれます。また、タイプ別（650V SiC SBD、1200V SiC SBD、その他）のSiCショットキーダイオードの販売量、収益、市場シェア、販売価格（2021年から2026年）が示されています。さらに、アプリケーション別（自動車およびEV/HEV、EV充電、産業用モーター/ドライブ、太陽光発電、エネルギー貯蔵、風力発電、UPS、データセンターおよびサーバー、鉄道輸送、その他）のSiCショットキーダイオードの販売量、収益、市場シェア、販売価格（2021年から2026年）の分析も提供されています。
第3章には、企業別の世界のSiCショットキーダイオード市場の詳細な分析が示されています。これには、企業別の年間販売量、販売市場シェア、年間収益、収益市場シェア、販売価格（いずれも2021年から2026年）が含まれます。また、主要メーカーのSiCショットキーダイオード生産地域分布、販売地域、製品タイプ、市場集中度分析（競争環境分析、CR3、CR5、CR10の集中度および2024年から2026年）、新製品と潜在的な新規参入企業、市場のM&A活動と戦略に関する情報も記載されています。
第4章には、地理的地域別のSiCショットキーダイオードの世界的な歴史的レビューが提供されています。2021年から2026年までの地理的地域別および国/地域別のSiCショットキーダイオードの市場規模（年間販売量および年間収益）が詳細に分析されています。加えて、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカにおけるSiCショットキーダイオードの販売成長率も示されています。
第5章には、アメリカ地域におけるSiCショットキーダイオード市場の詳細な分析が掲載されています。国別（米国、カナダ、メキシコ、ブラジルなど）の販売量および収益（2021年から2026年）、タイプ別の販売量（2021年から2026年）、およびアプリケーション別の販売量（2021年から2026年）が提供されています。
第6章には、APAC地域におけるSiCショットキーダイオード市場の詳細な分析が掲載されています。地域別（中国、日本、韓国、東南アジア、インド、オーストラリア、中国台湾など）の販売量および収益（2021年から2026年）、タイプ別の販売量（2021年から2026年）、およびアプリケーション別の販売量（2021年から2026年）が提供されています。
第7章には、ヨーロッパ地域におけるSiCショットキーダイオード市場の詳細な分析が掲載されています。国別（ドイツ、フランス、英国、イタリア、ロシアなど）の販売量および収益（2021年から2026年）、タイプ別の販売量（2021年から2026年）、およびアプリケーション別の販売量（2021年から2026年）が提供されています。
第8章には、中東およびアフリカ地域におけるSiCショットキーダイオード市場の詳細な分析が掲載されています。国別（エジプト、南アフリカ、イスラエル、トルコ、GCC諸国など）の販売量および収益（2021年から2026年）、タイプ別の販売量（2021年から2026年）、およびアプリケーション別の販売量（2021年から2026年）が提供されています。
第9章には、SiCショットキーダイオード市場の推進要因と成長機会、市場の課題とリスク、および業界のトレンドに関する重要な情報が記載されています。
第10章には、SiCショットキーダイオードの製造コスト構造分析が詳細に説明されています。これには、原材料とサプライヤー、SiCショットキーダイオードの製造コスト構造、製造プロセス分析、および産業チェーン構造が含まれます。
第11章には、SiCショットキーダイオードのマーケティング、流通業者、および顧客に関する情報が提供されています。販売チャネル（直接チャネル、間接チャネル）、主要な流通業者、および顧客セグメントが記載されています。
第12章には、地理的地域別のSiCショットキーダイオードの世界的な市場予測レビューが収録されています。2027年から2032年までの地域別の市場規模予測（販売量および年間収益）、アメリカ、APAC、ヨーロッパ、中東およびアフリカの国/地域別の予測、ならびにタイプ別およびアプリケーション別の世界のSiCショットキーダイオード予測が示されています。
第13章には、主要企業（STMicroelectronics、Infineon、Wolfspeed、Rohm、onsemi、Microchip（Microsemi）、Fuji Electric、Navitas（GeneSiC）、Toshiba、Qorvo（UnitedSiC）、San'an Optoelectronics、Littelfuse（IXYS）、CETC 55、WeEn Semiconductors、BASiC Semiconductor、SemiQ、Diodes Incorporated、KEC Corporation、PANJIT Group、Nexperia、Vishay Intertechnology、Zhuzhou CRRC Times Electric、China Resources Microelectronics Limited、Yangzhou Yangjie Electronic Technology、Changzhou Galaxy Century Microelectronics、Cissoid、SK powertechなど）に関する詳細な分析が提供されています。各企業について、企業情報、SiCショットキーダイオードの製品ポートフォリオと仕様、2021年から2026年までのSiCショットキーダイオードの販売量、収益、価格、粗利益、主な事業概要、および最新の動向が記載されています。
第14章には、調査結果と結論がまとめられています。
■ SiCショットキーダイオードについて
SiCショットキーダイオードは、シリコンカーバイド（SiC）を基にした半導体素子で、高速スイッチングと高耐圧を特徴としています。このダイオードは、特に電力変換器や高温、高電圧のアプリケーションで広く使用されています。SiCはシリコンに比べて広いバンドギャップを持つため、高温環境でも性能を維持できる点が大きな利点です。
SiCショットキーダイオードにはいくつかの種類があります。代表的なものは、ベンダーによって異なる製品が存在しますが、主にニーズに応じた異なる耐圧や最大電流を持つ製品群に分かれています。また、SiCショットキーダイオードは、シングルダイオードやモジュール型など、構造によっても分類されます。特に、シングルダイオードは小型化が容易で、モジュール型は複数のダイオードを一つのパッケージに収めることができ、システム全体の集積度を向上させることができます。
SiCショットキーダイオードの主な用途は、電力変換、スイッチング電源、インバータ、そして電気自動車の充電システムなどです。特に高周波数での動作が求められるDC-DCコンバータやAC-DCコンバータにおいては、その高速スイッチング特性が非常に重要です。また、高温環境下でも使用できるため、航空宇宙や産業機器の分野でも需要が高まっています。
SiCショットキーダイオードは、次世代の電力電子デバイスとして注目されています。その理由の一つは、従来のシリコンダイオードと比較して、コンバータの効率を大幅に向上させることが可能だからです。シリコンダイオードの順方向電圧降下よりも低い電圧降下を持つため、エネルギー損失を減少させ、冷却コストも削減できます。
関連技術としては、SiC基板の加工技術や、高温動作を可能にする冷却技術などが挙げられます。特に、SiC基板そのものの製造プロセスは高難度であり、品質管理が重要です。また、ダイオードと放熱のためのパッケージ技術も進化しており、高熱伝導材料や設計が求められています。これにより、高効率な電力変換が実現され、全体的なシステム効率が向上します。
電気自動車の普及に伴い、SiCショットキーダイオードの需要はさらに高まると予想されます。充電効率の向上や、車両内のエネルギーマネジメントシステムにおいても重要な役割を果たすためです。このような背景から、さまざまな技術者や企業がSiCベースの電力電子デバイスの研究開発に取り組んでいます。
将来的には、さらに高効率なデバイスや新しい材料の応用が期待され、SiCショットキーダイオードの市場は拡大するでしょう。これにより、アイデアや技術の進化が続き、さらなる革新がもたらされることが見込まれます。SiCショットキーダイオードは、今後の電力エレクトロニクスの中心的な存在になることが予測されており、大きな成長が期待される分野です。
■ 本調査レポートに関するお問い合わせ・お申込みはこちら
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・レポートの形態：英文PDF（Eメールによる納品）
・日本語タイトル：SiCショットキーダイオードの世界市場2026年～2032年
・英語タイトル：Global SiC Schottky Diodes Market 2026-2032
■株式会社マーケットリサーチセンターについて
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