新興メモリおよびストレージ技術の世界市場：用途・技術・ウエハサイズ・地域/国別の分析・予測 (2025-2034年)

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「新興メモリおよびストレージ技術の世界市場：用途・技術・ウエハサイズ・地域/国別の分析・予測 (2025-2034年)」（BIS Research）の販売を8月20日より開始しました。

【当レポートの詳細目次】
https://www.gii.co.jp/report/bis1732575-emerging-memory-storage-technology-market-global.html

新興メモリおよびストレージ技術産業は大きな転換期を迎えており、主要な半導体ファウンドリー、材料サプライヤー、システムインテグレーターが連携して、DRAMやNANDフラッシュの遅延・耐久性・エネルギー効率の課題を克服する不揮発性メモリの商用化を進めています。

過去2年間で、相変化メモリ (PCM)、抵抗変化メモリ (ReRAM)、スピントランスファートルクMRAM (STT-MRAM) が、ラボでの実証段階から22nm未満のプロセスノードでのパイロットラインに進み、3D積層技術や先端パターニング技術を活用して、競争力のある記憶密度や100ナノ秒未満のアクセス速度を実現しています。TSMC、Samsung Foundry、Micron、Intel、専門IPプロバイダーを中心とするコンソーシアムは、カルコゲナイド、金属酸化物、磁気トンネル接合材料向けの成膜装置やプロセスフローの最適化を共同開発しており、量産化に向けた歩留まりの向上が加速しています。年間50億ドルを超える研究開発投資と、ハイパースケールデータセンター、エンタープライズストレージ、自動車制御ユニット向けのモジュールとしての初期出荷により、業界は実験的検証段階から本格商業展開への転換点にあります。

現在、市場はライフサイクルの初期成長段階に位置しています。大学や国立研究機関による数年にわたる導入期間を経て、主要なメモリ技術は初期生産の段階へと突入しました。第一世代のPCMおよびMRAMモジュールは、現在、特定の高性能およびエッジコンピューティング用途において認証されています。採用は依然として、ハイパースケールクラウド事業者、AIアクセラレータのOEM、防衛請負業者といった初期採用者の間に集中していますが、自動車および産業用IoTにおける最近の設計採用は、対応可能な市場の拡大を示しています。今後2～3年の間に、製造の拡大、欠陥率の低下、インターフェース規格の確立が進むにつれ、新興メモリ市場は成長段階へと移行する見込みです。この段階では、ビット当たりコストの効率性と、より広範なシステム統合が、主流市場での採用を促進する見通しです。

市場の分類：

セグメンテーション1：用途別
・CE製品
・エンタープライズストレージ
・自動車・輸送機器
・軍事・航空宇宙
・工業
・通信
・エネルギー・電力
・ヘルスケア
・その他

セグメンテーション2：技術別
・不揮発性メモリ
　抵抗変化メモリ (RRAM)
　相変化メモリ (PCM)
　磁気抵抗RAM (MRAM)
　3D XPoint
　ナノRAM (NRAM)
　その他
・揮発性メモリ
　ハイブリッドメモリキューブ (HMC)
　高帯域幅メモリ (HBM)

セグメンテーション3：地域別
・北米：米国、カナダ、メキシコ
・欧州：ドイツ、フランス、イタリア、スペイン、英国、その他
・アジア太平洋地域：中国、日本、韓国、インド、その他
・その他：南米、中東・アフリカ

当レポートでは、世界の新興メモリおよびストレージ技術の市場を調査し、主要動向、市場影響因子の分析、法規制環境、技術・特許の動向、ケーススタディ、市場規模の推移・予測、各種区分・地域/主要国別の詳細分析、競合情勢、主要企業のプロファイルなどをまとめています。

エグゼクティブサマリー
第1章 市場：業界展望
第2章 新興メモリおよびストレージ技術市場：用途別
第3章 新興メモリおよびストレージ技術市場：製品別
第4章 新興メモリおよびストレージ技術市場：地域別
第5章 市場：競合ベンチマーキングと企業プロファイル
第6章 調査手法

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