窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場規模、シェア、動向及び成長分析レポート2026-2034年

株式会社グローバルインフォメーション（所在地：神奈川県川崎市、代表者：樋口 荘祐、証券コード：東証スタンダード 4171）は、市場調査レポート「窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場規模、シェア、動向及び成長分析レポート2026-2034年」（Value Market Research）の販売を5月27日より開始しました。グローバルインフォメーションはValue Market Researchの日本における正規代理店です。

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窒化ガリウム半導体デバイス市場規模は、2025年の46億3,000万米ドルから2034年には413億4,000万米ドルに達すると予測されており、2026年から2034年にかけてCAGR27.54％で成長する見込みです。

高効率・高周波電力電子機器への産業移行に伴い、世界のGaN半導体デバイス市場は加速する見込みです。窒化ガリウム（GaN）は優れたワイドバンドギャップ特性を有し、従来のシリコンと比較して高速スイッチング、低エネルギー損失、高熱安定性を実現します。これらの特性は、性能とエネルギー最適化が極めて重要な電源装置、RFデバイス、電気自動車、5Gインフラ分野での採用を促進しています。

メーカー各社は、欠陥がなくコスト効率に優れたGaNウエハーを提供するため、生産能力の拡大と金属有機化学気相成長法（MOCVD）などのエピタキシャル成長技術の改良を進めております。データセンターや再生可能エネルギーグリッドの急速な成長が、GaNベースのトランジスタ、ダイオード、集積回路の需要をさらに押し上げております。小型化と効率化が半導体設計の最優先課題である中、GaNデバイスは次世代エレクトロニクスにおいて不可欠な存在として台頭しています。

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