電気光学変調器（EOM）市場、2032年に414百万米ドルへ CAGR8.0%で成長予測

電気光学変調器（EOM）は、光通信設備や計測装置、研究用途の光学系に組み込まれ、光信号の強度や位相を外部電気信号によって制御するための光学部品である。長距離光ファイバー通信における信号変調や、レーザー計測システムでの精密な光制御用途など、安定した信号処理が求められる場面で使用される。通信インフラやデータセンター関連設備においては、高速伝送環境への対応が前提となり、装置全体の性能に影響を与える構成要素の一つとして位置付けられる。

電気光学変調器（EOM）は、広帯域動作、高い変調安定性、低挿入損失といった特性が評価項目となる。温度変動や外部振動の影響を抑制する設計が求められ、長時間連続運転下での信頼性も重要である。モジュール化された製品形態により既存光学システムへの組み込みが可能であり、用途に応じた波長帯や駆動条件の選択が行われる。光通信市場の拡大や高精度計測需要の動向と連動し、継続的な需要が形成されている。

QYResearchが発表した新たな市場調査レポート「電気光学変調器（EOM）―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」によると、世界の電気光学変調器（EOM）市場規模は2025年の約243百万米ドルから2026年の261百万米ドルへと順調に拡大すると見込まれ、予測期間中は年平均成長率（CAGR）8.0%で成長し、2032年には414百万米ドルに達すると予測されている。

• AI・量子技術・材料革新が重なり、日本市場における電気光学変調器（EOM）需要は構造的拡大局面に入っている。

1. AI主導のデータセンター高度化と光I/O需要の急増
   生成AIおよび大規模機械学習の普及により、データセンター内部の光インターコネクト構造は大きく変化している。大規模GPUクラスタでは膨大な並列データ転送が求められ、超高速・低消費電力・高線形性を備えたEOMの重要性が急速に高まっている。特にLPOやCPOといった次世代アーキテクチャでは、限られた実装面積内で安定動作する高性能EOMが不可欠となる。半導体材料および装置分野に強みを持つ日本は、このAI主導の光I/O投資拡大の恩恵を受ける構造にある。

2. 国家戦略としての量子技術推進
   日本政府は量子技術を国家戦略分野に位置付け、Q-LEAP等の枠組みを通じて研究開発投資を拡大している。量子計算や量子通信では、極めて精密なレーザーパルス制御が必要となり、その中核デバイスとしてEOMが不可欠である。RIKENやNICTをはじめとする研究機関の需要は規模こそ限定的ながら、超低雑音・高安定動作といった最高水準性能を市場に求める。これにより、日本企業は高付加価値EOMの技術蓄積を進め、将来市場に向けた競争優位を確立しつつある。

3. 先端材料技術による性能進化
   EOMの性能向上は材料革新と密接に結び付いている。従来のバルク型LiNbO₃に加え、薄膜LiNbO₃（TFLN）やシリコンフォトニクスとのハイブリッド化が進展し、高帯域・低駆動電圧・高集積化が実現しつつある。精密結晶材料や半導体プロセス技術で世界的優位性を持つ日本企業は、ウエハ供給から微細加工まで一貫対応が可能であり、EOMの次世代プラットフォーム確立において重要な役割を担っている。

• 技術世代交代とシステム統合の進展により、日本企業にはEOMの付加価値領域を拡張する好機が到来している。

1. TFLN商用化による価値連鎖の高度化
   TFLNは高性能と高集積性を両立する次世代材料として注目されている。800G/1.6T級光モジュールや長距離コヒーレント通信向けに、高帯域かつ低電圧駆動のEOM需要は拡大が見込まれる。日本は結晶加工や精密実装技術に強みを持ち、設計から製造、パッケージングまでの垂直統合を進めることで、単なる材料供給を超えた光チップ中核企業への進化が期待される。

2. CPO時代における協調設計モデルの確立
   スイッチASICの大容量化に伴い、CPO構造が現実味を帯びている。これによりEOMは単体部品ではなく、ドライバICや光エンジンと一体で最適化される設計思想へと移行する。日本の半導体設計・後工程エコシステムは依然として競争力を保持しており、光電協調設計分野への参入を通じて、EOM事業の上流・下流双方で付加価値を高める余地がある。

3. 量子関連計測市場の立ち上がり
   量子技術の社会実装が進むにつれ、高精度レーザー制御装置や光学計測機器の需要が拡大している。EOMはこれら装置の中核制御素子であり、高信頼・高安定動作が求められる。計測機器分野で実績を持つ日本企業にとって、国産高性能EOMとの組み合わせは、デバイス単体から統合システム提供への転換を促す戦略的機会となる。

• 超高速化・供給構造・人材不足が、日本EOM市場の持続的拡大に対する主要なリスクとなっている。

1. 100Gbaud超領域における設計・熱管理の難度上昇
   超高速領域では、電極設計と光波導の速度整合が極めて厳格となり、微小誤差が性能劣化に直結する。加えて、高密度化に伴う発熱問題が安定性を制限する。高度な異種材料統合や高価な放熱構造が必要となり、開発コストと量産難易度は上昇傾向にある。日本企業にとっても研究開発投資負担は無視できない水準にある。

2. 原材料・製造プロセスの供給集中リスク
   高性能EOMはLiNbO₃結晶やInP基板など特定材料に依存しており、供給源は地理的に集中している。地政学的要因や輸出規制、自然災害などが発生した場合、日本国内メーカーも影響を受けやすい構造にある。特に高品質結晶の歩留まりやエネルギー集約型工程はコスト変動要因となる。

3. 高速光パッケージング分野の人材不足
   EOM性能はパッケージングと評価技術に大きく左右されるが、マイクロ波設計と精密光学実装を横断できる技術者は限られている。日本においても高度専門人材の育成には時間を要し、量産移行や製品高度化のスピードを制約する要因となっている。

電気光学変調器（EOM）市場をどう捉えるべきか

本記事では、電気光学変調器（EOM）という注目製品に焦点を当て、市場を牽引する成長ドライバー、拡大のチャンス、そして克服すべき課題を整理し、読者が短時間で市場の現状を把握できるよう構成している。さらに、完全版レポートでは、市場規模や成長予測、地域別・用途別・製品タイプ別の需要特性、潜在リスクや構造的課題、主要企業の競争環境、技術革新の動向、サプライチェーン分析や市場機会の詳細評価までを網羅的に収録している。これにより、電気光学変調器（EOM）市場を総合的に理解するための情報を提供している。本レポートを通じて、業界の全体像を把握し、事業戦略の立案や新規参入の判断に直結する実践的な知見を得ることが可能となっている。

https://www.qyresearch.co.jp/reports/1613308/electro-optic-modulators--eom

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