窒化ガリウム（GAN）の日本市場（2026年～2034年）、市場規模（GaN-on-Silicon、GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiC）・分析レポートを発表

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「窒化ガリウム（GAN）の日本市場（2026年～2034年）、英文タイトル：Japan Gallium Nitride (GAN) Market 2026-2034」調査資料を発表しました。資料には、窒化ガリウム（GAN）の日本市場規模、動向、予測、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■主な掲載内容

本調査会社によると、日本の窒化ガリウム（GaN）市場規模は2025年に1億2,519万米ドルに達し、2034年までに4億4,189万米ドルに達すると予測されており、2026年から2034年にかけて年平均成長率（CAGR）15.04%で成長する見込みです。この市場は、半導体開発への政府による多額の投資、高度なRFコンポーネントを必要とする5G通信インフラの急速な拡大、国内のGaN能力を強化する戦略的な企業買収によって牽引されています。また、電気自動車やデータセンターにおける高効率パワー半導体への需要の高まりも、日本におけるGaN市場シェアを拡大させています。

日本のGaN市場のトレンドとしては、主に以下の3点が挙げられます。

第一に、政府による投資が国内GaN半導体開発を推進していることです。日本政府は、半導体産業を再活性化するための包括的な戦略を実行しており、特にGaNデバイスを含む次世代技術に前例のない財政的コミットメントを行っています。これらの投資は、世界の半導体市場における日本の競争力を回復させ、サプライチェーンのセキュリティと技術的自立を確保することを目的としています。2025年1月には、日本政府が次世代チップおよび量子コンピューティング研究に1兆500億円を、国内の先進チップ生産支援に4,714億円を割り当てました。これは、石破茂首相が2030年までに半導体および人工知能開発を強化するために掲げた10兆円の公約の一部を構成しています。この資金配分は、日本が広帯域ギャップ半導体を炭素中立目標達成と新興アプリケーションにおける競争力維持のための重要技術として認識していることを示しています。直接的な財政支援に加えて、日本政府は約5億米ドルの研究開発資金を、炭化ケイ素やGaNデバイスを含む超高効率パワー半導体開発に特化して投じています。この的を絞った投資は、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、工場自動化、通信機器、データセンター、防衛アプリケーションにおけるGaN技術の戦略的重要性を示しています。資金調達メカニズムは、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）が調整する官民パートナーシップを通じて運営されており、半導体メーカー、材料サプライヤー、設備メーカーが連携しています。日本の政策立案者は、特に化合物半導体に必要な重要鉱物供給における中国の優位性を考慮し、これらの投資を経済安全保障に不可欠であると見ています。この包括的なアプローチは、製造能力拡大のための直接補助金と技術進歩のための研究助成金を組み合わせ、基板生産からデバイス製造、アプリケーション開発に至るGaNサプライチェーン全体を支援するエコシステムを構築しており、複数の最終用途セグメントで日本のGaN市場の著しい成長を推進しています。

第二に、5Gインフラ展開の急速な拡大です。日本における第5世代ワイヤレスネットワークの展開は、ミリ波周波数で効率的な信号伝送を可能にするパワーアンプをはじめとする、高性能なGaNベースの無線周波数コンポーネントの需要を加速させています。NTTドコモ、KDDI、ソフトバンクといった日本の通信事業者は、都市中心部から地方都市、農村部へと展開を進め、5Gインフラを積極的に展開しています。この拡大により、従来のシリコンベースの代替品よりも効率的なGaNパワーアンプモジュールに多くの機会が生まれています。2025年3月、三菱電機株式会社は、5G massive MIMO基地局向けに特別に開発された平均出力16ワットの新しいGaNパワーアンプモジュールのサンプル出荷を開始すると発表しました。このモジュールは3.6GHzから4.0GHz帯で動作し、北米、東アジア、東南アジアでの広範な展開に適しています。この製品は、日本のメーカーが次世代ワイヤレスインフラの技術要件に対応しつつ、生産コストと消費電力を削減するGaNソリューションを開発していることを示しています。64送信/受信massive MIMO構成から、より費用対効果の高い32送信/受信システムへの移行は、少ないコンポーネントで同等のカバレッジ距離を維持できる高出力GaNアンプによって促進されています。GaN技術は、高周波数で効率的に動作しながら、かなりの電力レベルを処理できる能力を通じて、5Gアプリケーションに重要な利点をもたらします。GaNの優れた熱伝導率と電子移動度により、パワーアンプは広範な周波数範囲で40%を超える電力付加効率を達成でき、基地局機器のエネルギー消費と冷却要件を大幅に削減します。通信事業者が運用コストを最小限に抑えつつカバレッジを拡大するよう圧力を受ける中、GaNベースのソリューションはますます魅力的になっています。日本のメーカーは、5G-Advancedおよび将来の6Gアプリケーションに指定された新興の7GHz帯向けGaNコンポーネントも開発しています。この戦略的なポジショニングにより、日本企業はワイヤレス標準の継続的な進化を活用しつつ、国内の通信インフラ開発を支援することができます。政府が国内製造を奨励する政策と大手キャリアからの強い需要との相乗効果が、日本のGaN RFデバイス部門の持続的な成長に有利な環境を生み出しています。

第三に、戦略的買収とパートナーシップがGaN能力を強化していることです。日本の半導体企業は、GaN市場への参入を加速させるために戦略的な買収と協業を追求しており、有機的な開発だけでは世界のリーダーとの技術格差を埋めることはできないと認識しています。これらの取引は、急速に成長する広帯域ギャップ半導体分野において、知的財産、製造ノウハウ、確立された顧客関係を確保する緊急の必要性を反映しています。これらの買収はまた、主要な日本のエレクトロニクス企業が、電気自動車、データセンター、再生可能エネルギー、通信といった主要な成長市場において関連性を維持するためにGaNを不可欠なものと見なしていることを示しています。2024年6月、ルネサスエレクトロニクス株式会社は、GaNパワー半導体の世界的リーダーであるTransphorm, Incorporatedを約3億3,900万米ドルで買収することに成功しました。買収後、ルネサスは、広帯域ギャップ半導体ソリューションへの需要増加に対応するため、GaNベースのパワー製品とリファレンスデザインの開発を迅速に開始しました。この取引により、ルネサスは既存のシリコンベースIGBTポートフォリオおよび最近取得した炭化ケイ素能力を補完する社内GaN技術を獲得しました。その後、ルネサスは、TransphormのGaNデバイスと自社の組み込みプロセッサ、パワーマネジメント、ネットワーキング、アナログ機能を融合させ、市場投入可能な15種類の新しいリファレンスデザインを発表しました。これらのデザインには、電気自動車向けの統合パワートレインシステムや、車載バッテリー充電器向けの車載グレードGaNソリューションが含まれており、ルネサスは電化バリューチェーンにおいて全面的に競争できる立場にあります。Transphormの買収は、市場参入を加速させるために外部技術と人材を求める日本の半導体企業の広範なトレンドを象徴しています。この取引は、GaNデバイスの設計と特許だけでなく、日本の会津における確立された製造事業と、主要な自動車および産業機器メーカーとの顧客関係をももたらしました。マイクロコントローラや車載半導体に伝統的に注力してきたルネサスのような企業にとって、GaNの追加は、効率改善が顧客価値に直接つながる高成長のパワーエレクトロニクスアプリケーションへの参加を可能にします。同様の戦略的思考が、ロームと東芝によるパワー半導体共同開発への多額の投資（政府補助金1,294億円）の根底にあります。これらの協業は、日本企業がリソースを共有し、リスクを分担し、より大規模な国際競争相手と競争するために必要な規模を達成しながら、技術的独立性と国内製造能力を維持することを可能にします。

本調査会社は、市場をタイプ、アプリケーション、生産方法、最終用途、および地域に基づいて詳細に分析しています。
タイプ別では、GaN-on-Silicon、GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiCに分類されます。
アプリケーション別では、パワーデバイス、RFデバイス、LED、レーザーダイオードが含まれます。
生産方法別では、MOCVD、ハイドライド気相成長法、液相エピタキシーに分類されます。
最終用途別では、家庭用電化製品、通信、自動車、航空宇宙に分類されます。
地域別では、関東地方、関西・近畿地方、中部地方、九州・沖縄地方、東北地方、中国地方、北海道地方、四国地方の主要な地域市場が包括的に分析されています。

競争環境については、市場構造、主要企業のポジショニング、トップ戦略、競合ダッシュボード、企業評価象限などの詳細な分析に加え、主要企業の詳細なプロファイルも提供されています。本レポートでは、日本のGaN市場がこれまでどのように推移し、今後数年間でどのように推移するか、タイプ、アプリケーション、生産方法、最終用途、地域ごとの市場の内訳、GaN市場のバリューチェーンにおけるさまざまな段階、主要な推進要因と課題、市場構造と主要プレーヤー、市場の競争度といった主要な疑問に対する回答が提示されています。

第1章には序文が記載されている。
第2章には調査の範囲と方法論、すなわち研究目的、ステークホルダー、データソース（一次・二次）、市場推定方法（ボトムアップ・トップダウン）、予測方法が記載されている。
第3章にはエグゼクティブサマリーが記載されている。
第4章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の概要、市場ダイナミクス、業界トレンド、競争情報が記載されている。
第5章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の全体像、具体的には2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンドと、2026年から2034年までの市場予測が記載されている。
第6章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場のタイプ別内訳として、GaN-on-Silicon、GaN-on-Sapphire、GaN-on-SiCのそれぞれについて、概要、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンド、2026年から2034年までの市場予測が記載されている。
第7章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の用途別内訳として、パワーデバイス、RFデバイス、LED、レーザーダイオードのそれぞれについて、概要、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンド、2026年から2034年までの市場予測が記載されている。
第8章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の製造方法別内訳として、MOCVD、ハイドライド気相成長法、液相エピタキシー法のそれぞれについて、概要、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンド、2026年から2034年までの市場予測が記載されている。
第9章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の最終用途別内訳として、家電、通信、自動車、航空宇宙のそれぞれについて、概要、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンド、2026年から2034年までの市場予測が記載されている。
第10章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の地域別内訳として、関東、関西/近畿、中部、九州・沖縄、東北、中国、北海道、四国の各地域について、概要、2020年から2025年までの過去および現在の市場トレンド、タイプ別、用途別、製造方法別、最終用途別の市場内訳、主要プレイヤー、2026年から2034年までの市場予測が詳細に記載されている。
第11章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の競争環境として、概要、市場構造、市場プレイヤーのポジショニング、主要な勝利戦略、競争ダッシュボード、企業評価象限が記載されている。
第12章には主要企業のプロファイルとして、各企業の事業概要、提供製品、事業戦略、SWOT分析、主要ニュースとイベントが記載されている。
第13章には日本の窒化ガリウム（GAN）市場の業界分析として、推進要因、阻害要因、機会、ポーターのファイブフォース分析、バリューチェーン分析が記載されている。
第14章には付録が記載されている。

【窒化ガリウム（GAN）について】

窒化ガリウム（GaN）は、III–V族の半導体材料であり、優れた電気的および光学的特性を持つことから、現代のエレクトロニクスや光エネルギー技術において広く利用されています。窒化ガリウムは、化学式GaNで示され、ガリウム（Ga）と窒素（N）から構成されています。その特性から、特に高電圧、高温、そして高周波の条件下での動作が求められる分野において重要な役割を果たしています。

GaNは、広帯域ギャップ半導体であり、そのバンドギャップエネルギーは約3.4 eVです。この特性は、GaNが青色および紫外線の発光素子に適していることを意味します。実際、GaNを基盤とした青色LED（発光ダイオード）は、ホワイトLEDの開発において重要な役割を果たし、次世代の照明技術に革命をもたらしました。このように、GaNは光通信、レーザー技術、さらには光触媒技術にも応用されており、特に省エネルギーな光源としての需要が高まっています。

さらに、GaNは高出力・高効率のパワーエレクトロニクスにおいても広く使用されています。従来のシリコン（Si）系デバイスと比較して、GaNデバイスはより高い電圧耐性を持ち、より小型で、かつ高温環境でも安定して動作する特性を持っています。このため、GaNは電源供給、電動機制御、無線通信などの分野での進化を促進する要素となっています。特に、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムにおいて、エネルギー効率を大幅に向上させることが可能です。

GaNの製造技術も進化しています。最近では、エピタキシャル成長技術や基板技術の改善により、より高品質で均一なGaN材料を生産することが可能になりました。これにより、デバイスの性能向上が図られており、多くの企業がGaNを用いた新しい製品の開発を進めています。また、シリコンとのハイブリッド技術も研究されており、GaNの優れた特性を活かしつつ、既存のシリコンインフラを最大限に活用する試みも見られます。

環境への配慮も重要であり、GaNを使用したデバイスはエネルギー効率が高いため、持続可能な社会の実現に寄与することが期待されています。特に、再生可能エネルギーの導入が進む中で、GaNを活用することで、エネルギー損失を最小限に抑え、クリーンエネルギーの利用促進に寄与することが可能です。

このように、窒化ガリウムはエレクトロニクスやエネルギー分野において革新的な材料として位置付けられています。今後さらに技術が進展すれば、GaNを基盤とした新しいアプリケーションやデバイスが登場し、私たちの生活にさらなる変革をもたらすことでしょう。

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